范文一：DIN40500-3由铜和铜银合金制成的棒材和异形材

旧版本:DIN VDE 500=DIN 40 500:04.34x ; DIN 40 500第三部分:06.59, 10.62, 09.70

1980年 4月修改本:

电气用铜条、杆、棒--供货技术条件

法定的单位由 DIN 1301第一部分引进

内容经过加工,请见说明

翻印,就连摘录,只有经柏林德国标准研究院批准才许可

至于本标准的适用范围,在地方上或在国际上都没有相应的标准。

内 容

页 页

1 适用范围 1 6.2 金属加工性能 2

2 同时有效的标准 1 6.3 焊接和硬钎焊 2

3 订货说明 1 7 检验 2

4 材质特性 1 7.1 机械性能 2 4.1 化学成分 1 7.2 电气性能 4

4.2 强度和电气性能 2 7.3 表面质量 4

5 度量标准 2 7.4 其他检验项目 4

6 要求 2 8 证明书 4 6.1 表面质量 2 9 赔偿要求 4

1 适用范围

本供货技术条件适用于 4.1款中提到的电工技术所用材 质的棒材和异形材。

2 同时有效的标准

DIN 1787 铜:半成品

DIN 17 666 铜—塑性合金;

低合金;化学成分

DIN 50 049 材质检验证明书

DIN 50 125 检验金属材质;拉力试样,制造

准则

DIN 50 133第一部分 检验金属材质;用维

氏来检验硬度,检验力的范围 49

至 980N (5至 100Kp )

DIN 50 133第二部分 检验金属材质;用维

氏检验硬度;检验范围 1.96至 49N

(0.2至 5Kp )(小负荷范围)

DIN 50 145 检验金属材质;拉力试验

DIN 50 315 检验金属材质;用布氏检验硬度

DIN IEC 468(目前尚是草案)金属材质电阻

比的测定法

DIN和 VDE (DKE )所属德国电气委员会, DIN 所属有色金属标准委员会(FNNE ) 3 订货说明

选择材质和选择供货状态是订货者的事,而制造工艺则是 由制造厂商来选择的。

向你推荐,在订货时请说明用途和加工工艺;此外,还应 注意 6至 9款。

在给电工技术所用铜和铜银合金制的板材和带材命名或订 货时,应当使用本标准表格中的缩写符号或材质编号,如 在度量标准中所列举的命名例子。

4 材质特性

4.1化学成分

铜按 DIN 1787:

E-Cu57*) SE-Cu

铜银合金按 DIN 17 666:

CuAg0.1

CuAg0.1P

*)详见说明

下接第 2和 4页 说明在第 4页

4.2 强度和电气性能

强度性能适用于所说明的尺寸范围,但总的都应在度量 标准所涉及的极限之内。

表格中说明的拉力强度值、 0.2极限值和(断裂)延伸 率值都是对验收检验有约束力的,而布氏硬度值和弹性 模数值倒是没有约束力的。

表格在第三页

5 度量标准

关于尺寸和尺寸及规格允许误差有下列标准:

DIN 1756 铜制和铜—塑性合金制圆棒材;拔

制,尺寸

DIN 1759 铜制 5和铜—塑性合金制长方形棒

材;拔制,锐边,尺寸,允许误差,

静止值

DIN 1761 铜制和铜—塑性合金制四方棒材;

拔制,锐边,尺寸

DIN 1763 铜制和铜—塑性合金制六角形棒

材;拔制,锐边,尺寸

DIN 17674 第 4部分 铜制和铜—塑性合金制

棒材挤压异形材;挤压制,允许误

差

DIN 17674 第 5部分 铜制和铜—塑性合金制

棒材挤压异形材,拔制,允许误差

DIN 43 671铜制电流母线,测定恒定电源

DIN 46 433扁平线材和扁平棒材;拔制,圆边, 尺寸

DIN 46 433选择 1,扁平线材和扁平棒材,圆

边,尺寸,选用于电气设备和电气

仪表

DIN 46 433选择 2,扁平线材和扁平棒材,圆

边,尺寸,选用于变压器

DIN 46 433选择 3,扁平棒材,拔制,圆边,

尺寸选用于电气设备

6 要求

棒材和异形材的尺寸规格和材质特性方面都得与 4和 5款中列举的标准相一致。其他要求在 6.1至 6.3款中已 经确定。

6.1 表面质量

棒材和异形材的表面质量是与其制造工艺相一致的,在 通常情况下,拔管供货时,其表面是光亮的。

由于制造工艺的关系,会出现挤压条痕和拉拔条款、变 色和类似的现象,还有划痕、刮痕、剥落点、压印和其 他机械损伤是不可完全避免的。

关于缺陷允许性有下列准则可遵循:

——严重缺陷,例如严重横裂纹,严重机械损伤,形成 严重剥落,大气泡和大夹杂物都是不允许的,因为它们 会损害强度和结构性使用 ——锉纹会对今后使用和后道表面加工引起大麻烦的, 在一般情况下是将其清除掉,只要不超过尺寸允许误差 范围

——其他表面状况(现象),其不妨碍今后使用,或经 过表面再加工可以清除掉,如轻微挤压网疑纹,轻微锉 纹,变色等是允许的,它们是因热处理而引起的。 ——对金属加工有特殊要求的棒材和异形材的

表面质量,请见 6.2款,而另一种表面质量,例如酸 洗,那是应在订货时特别地商定。

6.2 金属加工性能

棒材和异形材的金属加工性能是以本标准表格中的强度 特性为标准的。 F20(请见表格注脚 5)对金属加工性 能提出特殊要求时,这就决定了对其直度、表面质量等 的要求有所降低,例如:由于热处理使其退色和表面外 观不一致性都被视为允许。

6.3 焊接和硬钎焊

用明火(焰)焊接和硬钎焊 E-Cu57和 CuAg0.1时,尤 其在工作温度高,且又焊接时间长时,就会导致脆变 (氢病),因此,应尽可能地避免使用气焊和火焰钎 焊;而 SE-Cu 和 CuAg0.1P 倒是适合用气焊和火焰钎焊 的。

7 检验

如要证明表格中所说明的各项指标性能,那在订货时双 方要有商定(见第 8款)

7.1 机械性能

按 DIN 50 125 来制造拉力试样(件),尔后,按 DIN 50 145来进行拉力试验

横截面直至 500mm 2的棒材可以进行整体检验;横截面 超过 2000mm 2的棒材应偏心取试样,在从边缘算起直 径 1/3处取样;至于扁平棒材应在窄边 1/3处取样;至 于异形材,何处是取样位置应商定。

按 DIN 50 351 进行布氏硬度试验,球体直径为

2.5mm ,试验力为 613N (62.5Kp ),其缩写符号为 HB2.5/62.5。按 DIN 50 351来检验不厚的试验件,其试 验条件适用于负荷度 F/D2=10, 1973年 1月出版,图 2和 3。

当检验薄(小)型棒材和异形材时,用布氏来测定其硬 度是不够准确的,倒宁可按 DIN 50 133第 1和第 2部 分用维氏来测定硬度,但请注意用维氏测定的硬度值可 能会比用布氏测定的硬度值高出 15%。

至于其他检验方法需经双方商定。

DIN 40 500标准第 3部分第 3页

第 4页, DIN40 500标准第 3部分

7.2 电气性能

关于电气性能,请按 DIN IEC 468(目前尚是草案)来 检验。

7.3 表面质量

不用光学辅助器具进行目测

7.4 其他检验

其他检验可由双方约定,例如:按 DIN 17 672第二部 分和 DIN 17674 第二部 8 证明书

只有在双方约定之后,才按 DIN 50 049 签发材质 检验证明书

9 赔偿要求

只有当内外部的缺陷严重影响铜种及其产品形状 进行适当加工和使用时才可提出赔偿要求。 但订货者必须向供货厂商提供机会,使其有权核 实赔偿的正确性,并应尽可能地提供索赔的样品 和所供材料的校核试

其他标准

DIN 17 672 第一部分 DIN 17 672 第二部分 DIN 17 674 第一部分 DIN 17 674 第二部分 DIN 17 674 第三部分 DIN 40 500 第二部分 DIN 40 500 第三部分 DIN 40 500 第四部分 DIN 40 500 第五部分 由铜制和铜—塑性合金制棒材;强度性能

由铜制和铜—塑性合金制棒材;供货技术条件

铜制和铜—塑性合金制棒材挤压异形材;强度性能

铜制和铜—塑性合金制棒材;供货技术条件

铜制和铜—塑性合金制棒材;设计

电工技术用铜;铜制和铜银合金制板带和带材:供货技术条件 电工技术用铜;铜制和铜银合金制管材:供货技术条件 电工技术用铜;铜制和铜银合金制线材:供货技术条件 (试用标准)电工技术用铜:镀锡线材:供货技术条件

1)这些缩写符号或索引数都可以分配给每一个说明的铜种,例如:E-Cu57 F37或 2.0060.32

2)当厚度比宽度≥ 1:20(≥0.05)时,横截面积最大为 5000mm 2

3)当厚度比宽度≥ 1:20(≥0.05)时

4)当两个相邻强度档次的相交,最大不超过 10N/mm2时,是不许可提出索赔的。

5)如果在表面质量等提出较低要求时,上述值才能被执行,或按商定对一定的尺寸规格,执行较低的值, 请注意 5.1至 5.3款。

范文二：铍铜的硬度检验

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铍铜的硬度检验

压痕硬度检验是评价铍铜元件机械性能最普通的方法。该方法成本低、快速、易于操作，同时要求用以检验的材料很小。硬度检验是用于监测工艺操作过程。例如;冷加工、固溶退火、淬火及时效硬化。、矿业招聘、

带材及薄片产品硬度检验方法的选择

有一组硬度检验方法(表1)适用于铍铜。依据合金种类、状态(硬度)和零件的厚度而定，可参见相应的ASTM标准关于对应设备和检验步骤和详细资料。、矿业求职、

洛氏检验法

洛氏硬度检验法，依不同的载荷和压痕的形状而包括了三十种不同的方法(刻度)。最普遍使用的洛氏刻度B和C，通常不用于检测铍铜合金，除非零件的厚度在1m.m以上，B和C刻度的硬度值仅作为参考。作为材料的技术条件以及薄片产品的检验，必须采用合适的表面刻度(N和T)或者显微硬度刻度来进行检测。

表一.用以铍铜的硬度检验方法

硬度检验方法 ASTM标准

洛氏(Roclwell) E18

威氏(Vickers) E29

克努普(Knoop) E348

表面洛氏硬度检验用N和T刻度，可施加15或30g的载荷。表面刻度法允许试样的最小厚度取决于材料的硬度，查询ASTM标准E18。作为近似值，对0.6mm

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以上厚度的试样，使用30g的载荷，而0.4mm厚的试样使用15g的载荷，而更薄的材料则材料选用显微硬度(威氏和克努普)检验。、矿产招聘、

威氏和克努普检验法 标准的威氏硬度检验也可视作为金钢石锥头硬度(DPH)检测。其载荷为1,120kg之间。当载荷小于1000g时，则视为威氏显微硬度检验。载荷的选择原则是:威氏压痕的对角线小于零件厚度的20,。

克努普检测是用长形压痕(与威氏正方压痕相比较而言)的专用显微硬度。其长轴相当于短轴的7倍。由于冷加工零件的各向异性，以及试验压痕的方向性，通常需要重复多次的克努普读数，以获得准确的检验数据。如果可能，对每一次检验，都应当取相互成90o的克努普读数的平均值。克努普度检验的加载范围为1-1000g.当采用威氏硬度检验薄材时,应当在试样的横载面上打硬度.金相抛光试样厚度至少为0.05m.m.

检验结果的介释

由于硬度检验时受到影响的材料体积较小,必须认真获取具有代表性的检验值.应该进行多次的测量,以避免由于不均匀性,诸如硬的铍化合相或晶界而造成的错误读数.当不均匀的冷加工引起表面硬度较高地,应该检验横截面的硬度.压痕穿透的深度必须低于金属厚度的10%,从一个边角至少取两个压痕半径的读数.

当以硬度试验值表示材料的强度时,它不能取代抗拉强度,当同时给出抗拉强度和硬度值时,则优先抗拉数值.而硬度值仅作为参考.为了方便起见,经常使用硬度刻度的转换值.但是,ASTM不允许在材料的合格证中使用这种刻度的转换值.

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范文三：碳纳米管表面铜和银纳米粒子的修饰

碳纳米管表面铜和银纳米粒子的修饰

*

刘苗苗 , 刘

刚 , 吴惠霞 , 杨仕平

(上海师范大学化学系 , 上海 200234)

摘

要 :利用非共价修饰的方法 , 先在碳纳米管表面包裹上表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB ) 和聚丙烯酸钠 (PAA ) ,

然后原位修饰上铜和银纳米粒子 , 制备出 MWCNT /CTAB/PAA/M(M :Cu 或 Ag ) 纳米复合材料 , 最后通过 XRD 、

SEM 和 TEM 等技术 对其进行表征 。 结果表明 ,

利用这种简单的层层自组装方法能够在碳管上均匀地修饰金属纳米粒子 , 并且这两种金属纳米粒子的尺 寸都小于 5nm 。

关键词 :碳纳米管 ; 非共价修饰 ; 层层自组装 ; 金属纳米粒子

Decoration of Ag and Cu Nanoparticles on Multiwalled Carbon Nanotubes *

LIU Miao －miao , LIU Gang , WU Hui －xia , YANG Shi －ping

(Department of Chemistry , Shanghai Normal Univesity , Shanghai 200234, China )

Abstract :Metal nanoparticles (copper or silver ) were loaded on the sidewall of MWCNTs by an in situ wet chemical synthesis approach via layer by layer non －covalent functionalization of MWCNTs with cetyltrimethyl ammonium bromide (CTAB ) and sodium polyacrylate (PAA ) ．The resultant of MWCNT /CTAB/PAA/M(M =Cu , Ag ) nanocomposites were characterized by XRD , SEM and TEM techniques．The results showed that the CNTs were well modified with the metal nanoparticles and the mean sizes of the particles were less than 5nm．

Key words :carbon nanotubes ; non －covalent functionalization ; layer by layer self －assembly ; metal nanopaticles

*

基金项目 :国家自然科学基金 (50972092) 资助 。 作者简介 :刘苗苗 (1985－) , 女 , 研究生 , 主要从事有机无机杂化纳米材料的制备和应用 。 E －mail :lmmchemistry2008@yahoo．com．cn 通讯作者 :吴惠霞 (1972－) , 女 , 副教授 , 主要从事纳米杂化材料的合成与应用 。 E －mail :wuhuixia@shnu．edu．cn

碳纳米管具有独特的结构和性质 , 因此备受人们的关注 。 为了扩大碳纳米管的应用范围 , 人们尝试用各种方法对碳纳米

管进行修饰

[1－3]

。 金属纳米粒子和普通的金属材料相比具有 特殊的性质 , 目前已被广泛用于工业催化 、 电子器件 、 传感器等

领域 [4]

。 将金属纳米粒子引入到碳纳米管的表面 , 能够将这两 类纳米材料的优良性能结合起来 , 获得的纳米组装材料在光

学 、 电学以及电催化领域具有很大的应用潜能 [5]

。 将金属纳米 粒子修饰到碳纳米管表面常常需要在碳纳米管表面修饰树枝

状大分子 [6]、 聚电解质 [7]或 DNA [8]

等作为连接剂 。 其中 , 非共 价方式的层层自组装法是一种常用的方法 。 利用疏水相互作 用 、 静电相互作用等可将各种表面活性剂或聚电解质层层自组

装在碳纳米管表面 [9－10]

。 然后 , 包裹在碳纳米管上的表面活性

剂或聚电解质与金属离子之间发生静电相互作用或配位作用 , 而将金属离子固定在碳纳米管上 。 最后 , 用适当的还原剂将金 属离子还原成金属纳米粒子 , 从而在碳纳米管上修饰金属纳米 粒子 。

本文采用层层自组装法 , 在多壁碳纳米管 (MWCNTs ) 表面

相继修饰十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB ) 聚丙烯酸钠 (PAA ) ,

然 后以表面修饰的碳纳米管为模板 , 将金属纳米粒子原位沉积

在碳纳米管表面 , 形成 MWCNT /CTAB/PAA/M(M :Cu ,

Ag ) 纳 米复合材料 。 用 Zeta －电势 、 X －射线粉末衍射 (XRD ) 、 透射

电镜 (TEM ) 、

扫 射 电 镜 (SEM ) 等 技 术 对 所 得 复 合 材 料 进 行 研究 。

1

实验部分

1．1

试剂与仪器

主要试剂和材料 :碳纳米管 (直径为 60 80nm , 长度为 10 15μm ) 由深圳碳纳米港公司提供 , 十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB ) 和聚丙烯酸钠 (PAA ) 均购自中国医药 (集团 ) 上海化学

试剂公司 。 其余药品和试剂等都是分析纯 ,

均未经过处理 。 水 为去离子水 。

主要仪器 :TEM 照片和 EDS 谱图是在 JEOL JEM －2100高 分辨透射电镜上完成的 。 SEM 照片是在 JSM －6460电子显微镜 上完成的 。 XRD 谱图用 Rigaku DMAX 2000X －射线衍射仪测定 (Cu /Kα, λ=0．15405nm ) (40kV ,

40mA ) 。 Zeta －电势分析所 用的仪器为 Malvern Zetasizer Nano －ZS90。

1．2碳纳米管的预处理

称取 1 2g 碳纳米管于 250mL 烧瓶中 , 加入 90mL 蒸馏水

与 30mL 浓硝酸 , 磁力搅拌 ,

80? 油浴回流 10h 。 结束后撤去回 流装置 ,

静置冷却至室温 。 待自然沉降完全后 , 用大量蒸馏水多 次清洗至中性 ,

再置于 50? 真空干燥箱内真空干燥 , 保存在干 燥器内备用 。

1．3MWCNT /CTAB/PAA/M(M :Cu , Ag ) 纳米复合 材料的合成

称取 30．0mg 处理过的 MWCNTs , 加入 30．0mL 含有 1．0wt% CTAB 的水溶液 , 超声分散 3h , 让 CTAB 充分吸附在碳纳米管表 面 。 离心分离 , 固体用水分散 , 再离心 , 如此反复 3次 , 以除去过 量的 CTAB , 然 后 将 所 得 吸 附 了 CTAB 的 碳 纳 米 管 分 散 在 40．0mL 含有 1．0wt%PAA 的水溶液中 , 超声 2h 。 离心分离 , 固 体分别用水 、 甲醇洗三遍 , 以除去过量的 PAA , 然后将得到的吸 附有 CTAB 和 PAA 的碳纳米管分散在 40．0mL 甲醇中 。 称取

0．02mmol Cu (NO 3 )

2

·3H

2

O (或 AgNO

3

) , 加入 10．0mL 甲醇溶

解 , 配制成含有 Cu 2+离子 (或 Ag +) 的甲醇溶液 , 在搅拌下将此 溶液加入到上述碳纳米管的悬浮液中 , 继续搅拌 30min 。 接着 , 将新配制的 30．0mL 0．1mol /L的硼氢化钠甲醇溶液在搅拌条 件下逐滴加入上述混合溶液中 , 滴加完毕后继续搅拌 10min , 离 心分离 , 用甲醇和蒸馏水洗涤 , 50? 真空干燥 。

2结果与讨论

2．1Zeta 电势分析

图 1为 MWCNT 、 MWCNT /CTAB和 MWCNT /CTAB/PAA的 Zeta 电势图 。 这三种材料分别分散在去离子水中 , 配成浓度为 0．1mg /mL的均匀体系 。 酸处理过的 MWCNTs 的 Zeta 电位为 －19．3mV , 说明其表面带有一定的负电荷 。 MWCNT /CTAB的 Zeta 电位为 38．3mV , 因为 CTAB 本身是带正电荷的表面活性剂 , 可通过静电相互作用非共价地修饰到碳纳米管表面 。 MWCNT / CTAB /PAA的 Zeta 电位为 －35．2mV , 这是由于 PAA 本身是带有 负电性的聚电解质 , 能够与修饰于 MWCNTs 上的 CTAB 发生静电 相互作用而形成 MWCNT /CTAB/PAA自组装复合材料 [11]

。

图 1MWCNT (a ) , MWCNT /CTAB(b ) 和 MWCNT /CTAB/PAA (c ) 的 Zeta 电势图

Fig．1The Zeta Potentials of MWCNT (a ) , MWCNT /CTAB(b )

and MWCNT /CTAB/PAA(c ) 2．2XRD 分析

以 MWCNT /CTAB/PAA自组装体系为模板 , 可将 Cu 或 Ag 金属钠米粒子原位沉积到碳纳米管表面 。 图 2(a ) 是 MWCNT / CTAB /PAA/Ag纳 米 复 合 材 料 的 XRD 谱 图 。 在 2θ=38．1? 、 44．3? 、 64．4? 、 77．4? 处的衍射峰可以归属为立方结构 Ag (JCPDS 卡片编号 :65－2871) 的 (111) 、 (200) 、 (220) 、 (311) 晶面 , 表明该纳米复合材料中存在 Ag 纳米粒子 。 图 2(b ) 是 MWCNT / CTAB /PAA/Cu纳米复 合 材 料 的 XRD 谱 图 。 在 2θ=43．3? 、 50．4? 、 74．1? 处 的 衍 射 峰 可 以 归 为 立 方 结 构 Cu 的 (111) 、 (200) 和 (220) 晶面 , 和 Cu (JCPDS 卡片编号 :04－0836) 的标 准谱图一致 , 说明 Cu 纳米粒子已成功地修饰到了碳纳米管表 面 , 在 2θ=36．8? 是 Cu

2

O 的 (111) 晶面 , 说明部分 Cu 纳米粒 子表面被氧化了 [12]。 此外 , 图 2中在 2θ=26．1? 处的衍射峰是 碳纳米管 (002) 晶面衍射峰 [12]

。

图 2MWCNT /CTAB/PAA/Ag(a ) 和 MWCNT /CTAB/PAA/Cu(b ) 纳米复合材料的 XRD 谱图

Fig．2XRD patterns of MWCNT /CTAB/PAA/Ag(a ) and

MWCNT /CTAB/PAA/Cu(b ) nanocomposites．

2．3SEM 和 TEM 分析

所得 MWCNT /CTAB/PAA/M纳 米 复 合 材 料 的 形 貌 通 过 SEM 和 TEM 技术进行表征 。 图 3(a ) 和 (b ) 是 MWCNT /CTAB/ PAA /Ag和 MWCNT /CTAB/PAA/Cu纳米复合材料的 SEM 图 。 由图中可以看出 , 金属银 、 铜纳米粒子已经成功地修饰到碳纳米 管上 , 而且粒子尺寸比较均一 。 图 3(c ) 是 MWCNT /CTAB/PAA/ Ag 的 EDS 谱图 (用 TEM 仪器所配备的 EDS 仪测定 ) , 发现有 C 、 Ag 和 Cu 三种元素 , 其中 C 主要来自碳纳米管 , Ag 来自金属银 纳米粒子 , Cu 来自测试所用的铜网 。 图 3(d ) MWCNT /CTAB/ PAA /Cu的 EDS 谱图 (用 SEM 仪器所配备的 EDS 仪测定 ) , 有 C 和 Cu 三种元素 , 其中 C 来自碳纳米管 , Cu 来自金属铜纳米粒 子 。

图 3MWCNT /CTAB/PAA/Ag(a ) 和 MWCNT /CTAB/PAA/Cu

(b ) 的 FESEM 图 , 以及 MWCNT /CTAB/PAA/Ag

(c ) 和 MWCNT /CTAB/PAA/Cu(d ) 的 EDS 谱图

Fig．3FESEM images of MWCNT /CTAB/PAA/Ag

(a ) and MWCNT /CTAB/PAA/Cu(b ) , together with the EDS spectra of MWCNT /CTAB/PAA/Ag(c ) and MWCNT /CTAB/PAA/Cu (d ) nanocomposites

图 4和图 5分别是样品 MWCNT /CTAB/PAA/Ag和 MWCNT / CTAB /PAA/Cu的 TEM 图 。 从 图 4(a ) 可 以 看 出 , MWCNT / CTAB /PAA/Ag中银纳米粒子均匀地覆盖在碳纳米管表面 , 每个 粒子接近于球形 , 纳米粒子的平均粒径为 3．5nm (图 4(d ) ) 。 图 4(b ) 的高分辨 TEM 照片显示 , 银纳米粒子具有很好的结晶 度 , 图中所示的晶面间距为 0．24nm , 与立方结构银的 (111) 晶 面一致 。 图 4(c ) 的选区电子衍射图表明银纳米粒子为多晶态 , 除去碳纳米管的衍射环 (002) 之外 , 其余的衍射环分别是 Ag 纳 米粒子的 (111) 和 (311) 晶面衍射

。

图 4MWCNT /CTAB/PAA/Ag纳米复合材料的 TEM 和 HRTEM 图 (a , b ) , SAED 图 (c ) , 以及粒径分布图 (d )

Fig．4TEM and HRTEM images (a , b ) , SAED pattern (c ) and particle size distribution (d ) of MWCNT /CTAB/PAA/Agnanocomposites

·

41

·广州化工 2011年 39卷第 9期

从 MWCNT /CTAB/PAA/Cu的 TEM 图 (图 5(a ) ) 可以看出 , 铜纳米粒子均匀地覆盖在碳纳米管表面 , 纳米粒子的平均粒径 为 2．0nm (图 5(d ) ) 。 图 5(b ) 的高分辨 TEM 图表明 Cu 纳米粒 子具有很好的结晶度 , 图中标出的晶面间距为 0．21nm , 归属于 立方结构 Cu 纳米粒子的 (111) 晶面间距 [12]。 图 5(c ) 的选区 电子衍射图表明 Cu 纳米粒子为多晶态 , 除了碳纳米管 (002) 晶 面的衍射环之外 , 图中出现了 Cu 纳米粒子的 (111) 晶面衍射

。

a (50nm

)

b (5nm

)

c (51nm

)

d

图 5MWCNT /CTAB/PAA/Cu纳米复合材料的 TEM 和 HRTEM 图 (a , b ) , SAED 图 (c ) 以及粒径分布图 (d )

Fig．5TEM and HRTEM images (a , b ) , SAED pattern (c ) and particle size distribution (d ) of MWCNT /CTAB/PAA/Cunanocomposites 3结 论

本文通过层层自组装的方法 , 在多壁碳纳米管上非共价包 裹了阳离子表面活性剂 CTAB 和聚电解质 PAA , 然后以其为模 板 , 在碳纳米管上原位修饰上铜和银纳米粒子 , 制备了 MWCNT / CTAB /PAA/M纳米复合材料 。 用 Zeta －电势 、 XRD 、 SEM 、 TEM 等技术对所得复合材料进行一系列表征 。 结果显示 , 金属纳米 粒子能够均匀地修饰在碳纳米管表面 , 并且纳米粒子的平均尺 寸都小于 5nm 。

参考文献

[1]Liu Y , Wu D , Zhang W , et al．Polyethylenimine －grafted multiwalled carbon nanotubes for secure noncovalent immobilization and efficient de-livery of DNA [J ]．Angew．Chem．Int．Ed．, 2005, 44:4782－4785．

[2]Artyukhin A B , Bakajin O , Stroeve P , et al．Layer －by －Layer elec-trostatic self －assembly of polyelectrolyte nanoshells on individual car-bon nanotube templates [J ]．Langmuir , 2004, 20:1442－1448．[3]Sun J , Gao L , Iwasa M．Noncovalent attachment of oxide nanoparticles onto carbon nanotubes using water －in －oil microemulsions [J ]．Chem．Commun．, 2004(7) :832－833．

[4]Ducamp －Sanguesa C , Herrara －Urbina R , Figlarz M．Synthesis and characterization of fine and monodisperse silver particles of uniform shape [J ]．J．Solid State Chem．, 992, 100:272－280．

[5]Chu HB , Wei L , Cui RL , et al．Carbon nanotubes combined with inor-ganic nanomaterials :Preparations and applications [J ]．Coord．Chem．Rev．, 2010, 254:1117－1134．

[6]Ravindran S , Chaudhary S , Colburn B , et al．Covalent coupling of quantum dots to multiwalled carbon nanotubes for electronic device ap-plications [J ]．Nano．Lett．, 2003, 3:447－453．

[7]Jiang K , Eitan A , Schadler LS , et al．Selective attachment of gold nan-oparticles to nitrogen －doped carbon nanotubes [J ]．Nano．Lett．, 2003(3) :275－277．

[8]Moghaddam MJ , Taylor S , Gao M , et al．Highly efficient binding of DNA on the sidewalls and tips of carbon nanotubes using photochemistry [J ]．Nano．Lett．, 2004(4) :89－93．

[9]Li H , Jo JK , Zhang L , et al．A General and Efficient Route to Fabricate Carbon Nanotube －Metal Nanoparticles and Carbon Nanotube －Inor-ganic Oxides Hybrids [J ]．Adv．Funct．Mater．, 2010, 20:3864－3873．

[10]Xue CH , Zhou RJ , Shi MM , et al．Electrochemistry of glucose oxidase immobilized on carbon nanotubes noncovalently functionalized by multi-hydroxyl and multicarboxyl groups．J．Electroanal．Chem．, 2010, 642: 92－97．

[11]Liu Y , Jiang W , Li S , et al．Electrostatic self －assembly of Fe 3O 4 nanoparticles on carbon nanotubes．Appl．Surf．Sci．, 2009, 255:7999－8002．

[12]Wu HX , Cao WM , Li Y , et al．In situ growth of copper nanoparticles on multiwalled carbon nanotubes and their application as non －enzymat-ic glucose sensor materials [J ]．Electrochimi．Acta , 2010, 55:3734－3740．

·51·

2011年 39卷第 9期 广州化工

范文四：【word】 镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析

镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子

分析

宝鸡文理学院(自然科学版),第28卷,第1期,第49—53页,2008年3月

JournalofBaojiUniversityofArtsandSciences(NaturalScience),Vo1.28,N

o.1,pp.49—53,Mar.2008

镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析

张晓军,张建民,王安祥,翟学军

(1.西安工程大学理学院,陕西西安710048;2.陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西西安710062)

摘要:目的研究在Ni(100)基体上沉积Ag和Cu膜的择优取向的形成机理.方法采用X一射

线衍射进行分析,根据固体与分子经验电子理论(EET)的键距差(BLD)方法,计算Ni(100)晶面,Ag和

Cu的33个晶面的平均电子密度及相对电子密度差.结果X一射线衍射分析结果表明,在Ni(100)基

体上沉积Ag和Cu膜的主要择优取向为(111),其次依次为(100)和(110).计算结果表明,2个晶面的

电子密度差越小,相应的择优取向越强.结论从界面处电子密度的连续原理成功地分析了在基体上

沉积薄膜的择优取向的产生机理.

关键词:薄膜;择优取向;固体与分子经验电子理论;电子密度

中图分类号:0484.4文献标志码:A文章编

号:1007-1261(2008)01—0049—05

PreferredorientationsofAgandCufilmsonNi

substrateandvalenceelectronanalysis

ZHANGXiao—jun,ZHANGJian—min.WANGAn—xiang,ZHAIXue-ju

n

(1.SchoolofScience,Xi?anPolytechnicUniversity,Xi?an710048,Shaanxi,China;

2.CollegeofPhysicsandInformationTechnology,ShaanxiNormalUniversity,Xi?an710062,Shaanxi,China)

Abstract:AimInordertostudytheformationmechanismofthepreferredorientationsforthin

films,AgandCufilmsdepositedonNi(100)substrate.MethodsX—raydiffra

ction(XRD)wasused,

theaverageelectrondensitiesandrelativeelectron—densitydifferences(RE

DD)betweenNi(100)and

33planesofAgorCucrystalwerecalculatedbasedonthemethodofBondLengthDifference(BLD)

oftheEmpiricalElectronTheory(EET)ofsolidsandmolecules.ResultsTheresultsbyX—raydif—

fraction(XRD)showthatthepreferredorientationsofAgandCufilmsdeposit

edonNi(100)sub—

stratewere(111),(100)and(11O)inorder.theresultsofcalculationsshowthatthemoresmaller

densitydifferencesbetweentWOlatticeplanesis,the therelativeelectron—

morestrongerthepreferred

orientationsis.ConclusionThepreferredorientationsappearedinAgandCufilmshavebeenex—

plainedsatisfactoryfromcontinuityofelectrondensityacrossinterface.

Keywords:thinfilms;preferredorientations;empiricalelectrontheoryofsolidsandmolecules;e—

leetrondensity

薄膜材料已广泛用于集成电路,数据存贮器,

微型机械等器件.在所有这些应用中,薄膜的物

理,化学和力学性能直接影响这些器件的性能和

使用寿命.而薄膜的性能与其微观结构(包括晶

粒尺寸及其分布,择优取向或织构)密切相关[1j.

例如,OIURZYSKA等人[2的研究表明,晶粒尺

寸及其分布对Si?Fe膜的电阻率,磁导率和矫顽

力具有重要影响.YoUNG等人l_3J和CHANGl_4j

的研究均发现,在Cu(100)面上形成氧化物或硅

化物的速率比在(111)面上的大得多.

HUANGE引,ROYE,BA1E和KIME.等人分别对

Ag,Al和Cu膜的研究发现,就(200)和(111)两

*收稿日期:2007—12-04,修回日期:2007—12—18.E—mail:xiaoj—zhang@l26.com

基金项目:国家重点基础研究发展计划(2004CB619302)

作者简介:张晓军(1980一),男,陕西西安人,硕士,研究方向:材料物理.

5O宝鸡文理学院(自然科学版)

个织构而言,残余压应力越大,(200)织构越强,电

阻率越大;反之,残余张应力越大,(111)织构越

强,电阻率越小.

本文采用磁控溅射方法在Ni(100)基体上分

别沉积了Ag和Cu膜,X一射线衍射(XRD)分析表

明,Ag膜的择优取向依次为(111),(100)和

(110),Cu膜的择优取向依次为(111)和(100).

基于余瑞璜教授的固体与分子经验电子理论

(EET).,计算了Ni(100)晶面以及Ag和Cu的

33个晶面的电子密度,从界面电子密度连续性原

理分析了这些择优取向的产生机理.

1实验

采用磁控溅射方法在(100)取向的单晶Ni片

一h分别沉积厚度约为2m的Ag和Cu膜.为方

便用常规的一2扫描的X一射线衍射方法考察沉

积膜的相对择优取向,其结果如图1所示,其中

(a)和(b)分别为Ag和Cu膜的X一射线衍射谱.

各峰相对强度(×lOO)和PDF(Powder

』』』』,

DiffractionFile)卡片给出的对应自由取向的块状

材料的相对强度列在表1中.为了方便地看出薄

膜的择优取向,表1中还列出了薄膜的衍射强度

和对应晶面的PDF值之比(称为相对择优取向系

数).可以看出Ag和Cu膜的主要择优取向均为

(111),并且Ag膜的(100),(110),(311)和Cu膜

的(100),(110)取向依次减弱.

二(a)

基Agfilm?兰

.A.哭哭————?—一

3—?—5—————40———45505560657075

i三善cfjm舀?bj掣

455(1556065707580859095

20/deg

图1Ag和Cu膜的X_射线衍射谱

Fig.1X-raydiffractionpatternsforAgandCufilms

表1Ag和Cu膜的X_射线衍射峰的相对强度

Tab.1RatioofXRDpeakintensityforAgandCufilms

晶面(111)(200)(220)(311)(111)(200)(220)

PDF值1004025261004620

相对强度100261412100196

鬃襞.....ss..ss..s.........

2键距差分析

Ni,Ag和Cu均属于Al型立方结构,空间群

为Fm3m,其晶体结构如图2所示,他们的晶格常

数a,主要实验键距D()和等同键数,.(a—A,

B和C)列入表2,是待求的第a键上的共价电

子对数.

图2Al型晶体结构

Fig.2AItypeofcrystalstructure

表2Ni,Ag和Cu的晶格常数a(am),log(n(/nA)一

(D(“A)一Dr,.))/P.(5)

由于分配在一个结构单元内的全部共价键上

的共价电子数应等于该结构单元内各原子贡献出

的共价电子数之和,对每个原子有

“

?一”,(6)

其中为结构单元内每个原子提供的共价电子数,

?,r.一+,.r.+,r.(7)

过渡金属有较多的3d电子激发到4p轨道,

第1期张晓军等镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析51

根据Ni,Ag和Cu的A型双态杂化表.和晶体结

构把由(4),(7)式求出的”,”和”值代入(1)

,

(3)式求出相应的理论键距(“),(“)和

(“.),然后把满足实验键距与理论键距之差

AD.一lD()一(“.)l<0.005nm所对应的杂

阶o-及有关参数列入表3.

表3Ni,Ag和Cu的键距差(BLD)分析表

Tab.3Analysisresultsofbondlengthdifference(BLD)ofNi,AgandCu

3晶面电子密度的计算

若定义分布在一个晶面L所有键络包含的全

部共价电子数为该晶面上的共价电子数,那么

(hk1)晶面上的电子密度为

J0(从)一”?/S(从z),(8)

其中S为所考虑的(hk1)晶面的参考面元的面

积,”为参考面元内的共价电子数,即

“一

?川,(9)

其中为(hk1)晶面内a键的等同键数,其计算

公式为【.

?一?

s?K,(10)

其中IM为参考面元内包含的参考原子个数,Is

为参考原子在(hk1)晶面内能找到的等键距的同

类原子个数,为参数(同类原子成键取1,异类

原子成键取2).

3.1Ni(100)晶面的电子密度

Ni(100)晶面原子排列如图3(a)所示.边长

为D(“)的正方形面元内有A和B两种键,把对

应的等同键数

“一2×4×1—8和==二2×4×1—8,

键共价电子对数

“A一0.5251和,zB一0.0100,

以及该参考面元的面积

S(1.o)=D(“B):=

0.35236X0.35236—0.1242nm,

代入(8)和(9)式得

“.一(0.5251+0.0100)×8—4.28O8,

p(1..)一”/S.00)一

4.2808/0.1242—34.4787nm.

(a)Ni{100)(b)Ag{111)

图3Ni{100)和Ag{111)晶面的原子排列

Fig.3Arrangementoftheatoms

onNi{100)andAg{111)plane

3.2Ag(111)晶面的电子密度

类似于Ni(100)晶面的电子密度的计算方

法,Ag(1l1)晶面原子排列如图3(b)所示.边长

为2D(“)的等边三角形面元内有A和C两种键,

把对应的等同键数

I”一2x6x1—12和I?一2x6x1—12,

键共价电子对数

,zA一0.3647和”c一0.0001,

以及该参考面元的面积

5(1l1)一,/3×D(,2n)一

?3×0.2889x0.2889—0.1446nm,

代入(8)和(9)式得

“““一(0.3647+0.0001)×12—4.3776,

p…1)一”?

,

/S…1)一

4.3776/0.1446—3O.2739nm,.

52宝鸡文理学院(自然科学版)2008正

按上述方法求得的Ag和Cu的33个晶面的电子密度列入表4.

表4Ag和cu膜(hk1)晶面与(III)晶面间的夹角0(.),各晶面内的等同

键数J”,参考面元面积

s『址J)(nm),共价电子数?,平均电子密度P(am)以及与Ni(100)晶面间

的相对电子密度差

Tab.4Theangle0(.)between(111)planeand(hk1)plane.equivalentbondnu

ml~ers.areaofreferenceunit

S(址fI(nm),covalentelectronnumbers

址?andcovalentelectrondensityP(am一)on(hk1)planeinAgandCu

films.andrelativeelectrondensitydifferencesbetweenNi(100)planeandAg

andCu(hk1)planerespectively

4膜一基界面相对电子密度差的计算

在Ni(100)基体上生长的由各种取向组成的

多晶薄膜中,若晶粒的(hk1)晶面平行于Ni(100)

晶面,可定义界面处的相对电子密度差(REDD)

第1期张晓军等镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析53

为

?p(址)一2Iefilm:__NiII

lDf(i址lmf)+lD00)I.(11)

把基体Ni(100)晶面上电子密度值及Ag或

Cu各晶面电子密度值(见表4)代人(11)式求得的

Ni(1OO)晶面与Ag或Cu的(hk1)晶面间的相对

电子密度差?p?以及由下式求得的(hk1)晶面与

(111)晶面间的夹角0一并列入表4.

o0一一

43(h.+k.+z)

相对电子密度差?p随各晶面与(111)晶

面夹角0的变化曲线如图4所示.

图4Ag和Cu各晶面与Ni(100)晶面的相对电子密度

差?p?)随各晶面与(111)晶面夹角0的变化曲线

t

Fig.4VariationcursesofREDDbetweenNi(100)

and(hk1)planeinAg(opensquare)andCu

(opentriangle}respectivelywiththeangleD(.)

between(111)planeand(hk1)plane

由图4可以看出,Ag和Cu的各晶面与Ni

(1OO)晶面的相对电子密度差具有相同的变化趋

势,当(111)晶面平行于Ni(100)晶面时相对电子

密度差最小,其次依次为(100),(110)和(311).

从膜一基结合强度及电荷连续性两方面考虑,当由

两个晶面构成界面时,各晶面上的电子密度越大,

电子云重叠程度越高,两个晶面结合越强.另外,

两个晶面的电子密度差越小,越能满足电荷连续

性的要求,界面越稳定.因此从相对电子密度差

的最小化考虑,Ni(100)基体上沉积的Ag和Cu

膜的择优取向应依次为(111),(100),(110)和

(311),和实验结果一致.至于Cu(311)晶面的衍

射峰未在实验中探测到,是由于其衍射角太大所

致.

5结论

气相沉积薄膜普遍存在择优取向或织构.在

分析其产生机理的基础上,通过对薄膜微结构的

控制与优化以达到提高薄膜材料的使用性能和寿

命,在理论和实际应用两方面都具有重要的意义.

本文基于固体与分子经验电子理论(EET),把电

荷连续性原理应用在膜一基界面,即界面处的两个

晶面间电子密度差越小,越能满足电荷连续性的

要求,相应的择优取向越强,从而成功地解释了

Ni(1OO)基体上Ag和Cu膜的择优取向.该方法

也可用于其它异相界面的分析.

参考文献:

r1]MURARKASP.Multilevelinterconnectionsfor

ULSIandGSI[J].MaterSciEng,1997,19(3/4):

87-151.

E2]OIURZYSKAW,zBR0szCzYKJ,wYsL0CKIB.

StudyforcharacteristicsofSi—FefilmsEJ].Mater

SciForum,1992,94—96:425.

E3]YOUNGFW,CATHCARTJV,GwATHMEYA

T.Theratesofoxidationofseveralfacesofasingle

crystalofcopperasdeterminedwithellipticallypo—

larizedlight[J].ActaMaterialia,1956,4(1):145—

152.

[4]CHANGCA.FormationofcoppersilicidesfromCu

(100)/Si(100)andCu(111)/Si(111)structurtes

EJ].-,ApplPhys,1990,67(1):566—569.

[5]HUANGTC,LIMG,PARMIGIANIF,eta1.

Effectofionbombardmentduringdepositiononthe

x-raymicrostructureofthinsilverfilmsEJ].Vac

SciTech,1985,3(6):2161-2166.

[6]ROYRA,CU0M0JJ,YEEDS.Controlofmicro—

structureandpropertiesofcopperfilmsusingion-as—

sisteddeposition[J].-,cSciTech,1988,6(3):

1621-1625.

[7]BAIP,YANGGP,LUTM.LowconductivityCu

thinfilmdepositionbyself-ionbombardmentEJ].

ApplPhysLett,1990,56:198—200.

E8]KIMSP,CH0IHM,CHOISK.Astudyonthe

crystal1ographicorientationwithresidualstressand

electricalpropertyofA1filmsdepositedbysputte—

ring[J].ThinSolidFilms,1998,322(1/2):298—

302.

[9]张瑞林.固体与分子经验电子理论[M].长春:吉林

科学技术出版社,1993.

(编校:李宗红)

范文五：铜 银 锌及其化合物的化学方程式和离子方程式

铜 银 锌及其化合物的化学方程式和离子方程式

一、铜

1、铜在氯气中燃烧:Cu，ClCuCl 22

2、铜和氧气加热:2Cu，O2CuO 2

3、铜与硫共热:2Cu，SCuS 2

4、铜绿的形成:2Cu，O，CO，HOCu(OH) CO 2222234、铜与浓硫酸共热:Cu，2HSOCuSO，SO ?，2HO 244225、铜与浓硝酸反应:Cu，4HNOCu(NO) ，2NO ?，2HO 33222

，,2，Cu，4H，2NOCu，2NO ?，2HO 3226、铜和稀硝酸反应:3Cu，8HNO3Cu(NO) ，2NO ?，4HO 3322

,2，，3Cu，2NO ?，4HO 3Cu，8H，2NO327、铜与硝酸银溶液反应:Cu，2AgNOCu(NO) ，2Ag 332

，2，Cu，2AgCu，2Ag 8、铜与氯化铁溶液反应:Cu，2FeCl2FeCl，CuCl 322

3，2，2，Cu，2Fe2Fe，Cu 二、氧化铜

1、氢气通过灼热的氧化铜:CuO，HCu，HO 22

2、铝与氧化铜高温反应:3CuO，2Al3Cu，AlO 233、一氧化碳与氧化铜共热:CuO，COCu，CO 24、碳粉与氧化铜共热:2CuO，C2Cu，CO ? 2

5、氧化铜与硫酸反应:CuO，HSOCuSO，HO 2442

，2，CuO，2HCu，HO 2

6、氧化铜与氯化铁溶液反应:3CuO，2FeCl，3HO2Fe(OH) ，3CuCl 3232

3，2，3CuO，2Fe，3HO2Fe(OH) ，3Cu 23三、氢氧化铜

1、氢氧化铜溶于稀硫酸:Cu(OH) ，HSOCuSO，2HO 22442

，2，Cu(OH) ，2HCu，2HO 222、氢氧化铜与氯化铁溶液反应:3Cu(OH) ，2FeCl2Fe(OH) ，3CuCl 2332

3，2，3Cu(OH) ，2Fe2Fe(OH) ，3Cu 233、加热氢氧化铜:Cu(OH) CuO，HO 22

四、硫酸铜

1、硫酸铜溶液与氯化钡溶液反应:CuSO，BaClCuCl，BaSO ? 4224

2，2,Ba，SOBaSO ? 442、硫酸铜溶液与硫化钠溶液反应:CuSO，NaSCuS?，NaSO 4224

2，2,Cu，SCuS ? 3、硫酸铜与碳酸钠溶液反应:CuSO，NaCOCuCO ?，NaSO 423324

2，,2Cu，COCuCO ? 33

4、硫酸铜溶液呈酸性:CuSO，2HOCu(OH) ，HSO 42224

2，，Cu，2HOCu(OH) ，2H 22

5、硫酸铜溶液与氢氧化钠溶液反应:CuSO，2NaOHCu(OH) ?，NaSO 4224

2，,Cu，2OHCu(OH) ? 26、硫酸铜溶液中加入氨水:CuSO，2NH?HOCu(OH) ?，(NH)SO 4322424

2，，Cu，2NH?HOCu(OH) ?，2NH 32247、硫酸铜溶液和偏铝酸钠溶液混合:

CuSO，2NaAlO，4HOCu(OH) ?，2Al(OH) ?，NaSO 4222324

2，,Cu，2AlO，4HOCu(OH) ?，2Al(OH) ? 2223

8、硫酸铜溶液中加入锌:Zn，CuSOZnSO，Cu 44

2，2，Zn，CuZn，Cu 9、铁和硫酸铜溶液反应:Fe，CuSOFeSO，Cu 44

2，2，Fe，CuFe，Cu

10、加热硫酸铜晶体:CuSO?5HOCuSO，5HO 424211、水蒸气通过无水硫酸铜:CuSO，5HOCuSO?5HO 4242五、银

1、银与浓硝酸反应:Ag，2HNOAgNO，NO ?，HO 3322

，,，Ag，2H，NOAg，NO ?，HO 3222、银与稀硝酸反应:3Ag，4HNO3AgNO，NO ?，2HO 332

，,，3Ag，4H，NO3Ag，NO? ，2HO 32六、硝酸银

1、硝酸银溶液与氯化钠溶液反应:AgNO，NaClAgCl?，NaNO33

，,Ag，ClAgCl? 2、硝酸银溶液与溴化钠溶液反应:AgNO，NaBrAgBr?，NaNO 33

，,Ag，BrAgBr? 3、硝酸银溶液与碘化钾溶液反应:AgNO，KIAgI?，KNO 33

，,Ag，IAgI? 4、硝酸银溶液和硫化钠溶液反应:2AgNO，NaSAgS?，2NaNO 3223

，2,2Ag，SAgS? 25、硝酸银溶液呈酸性:AgNO，HOAgOH，HNO 323

，，Ag，HOAgOH，H 2

6、向硝酸银溶液加入氢氧化钠溶液:AgNO，NaOHAgOH?，NaNO 33

，,Ag，OHAgOH? 7、硝酸银溶液中加入少量氨水:AgNO，NH?HOAgOH?，NHNO 33243

，，Ag，NH?HOAgOH?，NH 3248、硝酸银溶液加入过量氨水:AgNO，2NH?HOAg(NH)NO，2HO 3323232

，， Ag，2NH?HOAg(NH)，2HO 323229、铜与硝酸银溶液反应:Cu，2AgNOCu(NO) ，2Ag 332

，2，Cu，2AgCu，2Ag

见光或受热 10、硝酸银见光分解:2AgNO2Ag，2NO ?，O ? 322

七、锌

1、锌在氯气在燃烧:Zn，ClZnCl 22

2、锌与氧气共热:2Zn，O2ZnO 2

3、锌与硫共热:Zn，SZnS

4、锌与浓硫酸反应:Zn，2HSOZnSO，SO ?，2HO 24422

Zn(NO) ，2NO ?，2HO 5、锌与浓硝酸反应:Zn，4HNO32223

，,2，Zn，4H，2NOZn，2NO ?，2HO 3226、锌和稀硝酸反应:3Zn，8HNO3Zn(NO) ，2NO ?，4HO 3322

，,2，3Zn，8H，2NO3Zn，2NO ?，4HO 327、锌与硝酸银溶液反应:Zn，2AgNOZn(NO) ，2Ag 332

，2，Zn，2AgZn，2Ag 8、硫酸铜溶液中加入锌:Zn，CuSOZnSO，Cu 44

2，2，Zn，CuZn，Cu 9、少量的锌和氯化铁溶液反应:Zn，2FeCl2FeCl，ZnCl 322

3，2，2，Zn，2Fe2Fe，Zn 10、过量的锌与氯化铁溶液反应:3Zn，2FeCl3ZnCl，2Fe 32

3，2，3Zn，2Fe3Zn，2Fe 八、氧化锌

1、氢气通过灼热的氧化锌:ZnO，HZn，HO 22

2、铝与氧化锌高温反应:3ZnO，2Al3Zn，AlO 233、一氧化碳与氧化锌高温反应:ZnO，COZn，CO 24、碳粉与氧化锌高温反应:2ZnO，C2Zn，CO ? 2

5、氧化锌与硫酸反应:ZnO，HSOZnSO，HO 2442

，2，ZnO，2HZn，HO 2

6、氧化锌与氯化铁溶液反应:3ZnO，2FeCl，3HO2Fe(OH) ，3ZnCl 3232

3，2，3ZnO，2Fe，3HO2Fe(OH) ，3Zn 23九、氢氧化锌

1、氢氧化锌溶于稀硫酸:Zn(OH) ，HSOZnSO，2HO 22442

，2，Zn，2HO Zn(OH) ，2H22

2、氢氧化锌与氯化铁溶液反应:3Zn(OH) ，2FeCl2Fe(OH) ，3ZnCl 2332

3，2，3Zn(OH) ，2Fe2Fe(OH) ，3Zn 233、加热氢氧化锌:Zn(OH) ZnO，HO 22

十、硫酸锌

1、硫酸锌溶液与氯化钡溶液反应:ZnSO，BaClZnCl，BaSO ? 4224

2，2,Ba，SOBaSO ? 442、硫酸锌溶液与硫化钠溶液反应:ZnSO，NaSZnS?，NaSO 4224

2，2,Zn，SZnS ? 3、硫酸锌与碳酸钠溶液反应:ZnSO，NaCOZnCO ?，NaSO 423324

2，2,Zn，COZnCO ? 33

4、硫酸锌溶液呈酸性:ZnSO，2HOZn(OH) ，HSO 42224

2，，Zn，2HOZn(OH) ，2H 22

5、硫酸锌溶液与氢氧化钠溶液反应:ZnSO，2NaOHZn(OH) ?，NaSO 4224

2，,Zn，2OHZn(OH) ? 26、硫酸锌溶液中加入氨水:ZnSO，2NH?HOZn(OH) ?，(NH)SO 4322424

2，，Zn，2NH?HOZn(OH) ?，2NH 32247、硫酸锌溶液和偏铝酸钠溶液混合:

ZnSO，2NaAlO，4HOZn(OH) ?，2Al(OH) ?，NaSO 4222324

2，,Zn，2AlO，4HOZn(OH) ?，2Al(OH) ? 2223

8、硫酸锌溶液中加入镁:Mg，ZnSOMgSO，Zn 44

2，2，Mg，ZnMg，Zn

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