就是冰冰咯
范文一：效率计算公式
效率计算公式
MI 段效率计算公式 :
1. 投入工时=∑（负荷工时-计划停机时间）
备注﹕计划停机时间=无排程时间(含休息及吃饭)+计划保养时间
2. 稼动总工时=∑（投入工时-非计划停机时间）
3. 产出总工时=∑（实际产量*理论C/T）
4. 总负荷时间=24小时*机台数*天数
5. 设备稼利用率=投入总工时/总负荷时间*100% 6 .时间稼动率=稼动总工时/投入总工时*100%
7. 性能稼动率= 产出总工时/稼动总工时*100%
8. 良品率=（1-∑不良数量/∑（实际产量+不良数量））*100% 不良统计站点:VCD,RAD, SMT目检﹐ICT ,BFBT
9. 总合效率=时间稼动率*性能稼动率*良品率
范文二：效率计算公式
其物理含义如下：IL ：光生电流；
Id ：饱和暗电流；
Rsh ：并联电阻（电池边缘漏电和结区漏电会降低并联电阻值）；
Rs ：串联电阻（金属浆料电阻、烧结后的接触电阻、半导体材料电阻和横向电阻）； PN 结：单二极管（理想因子n=1）或双二极管（另一个并联的二极管n=2）。 由此，我们可以得出电流的输出为： 或
注：在表达式q/(nkT)中理想因子为n ，可取1或者2。n=1反映体内或表面通过陷阱能级的复合；n=2描述载流子在电荷耗尽区（也就是结区）复合。 3
太阳电池的电特性测量：
测出的太阳电池的电特性为一曲线，相当于外接一个0~∞变化的电阻时太阳电池的电流电压输出曲线。具体如下图所示：
同时可根据该曲线计算出开路电压Voc 、短路电流Isc 、最佳工作点电压Vmp 、最佳工作点电流Imp 、最大功率点Pmax 、填充因子FF 和光电转换效率Eff 及串联电阻Rs 、并联电阻Rsh 。
其中，Rs 和Rsh 采用近似计算。
计算Rsh 时，忽略ID, 并取Rs
计算Rs 时，认为Rsh 很高，且理想因子介于1和2之间，则在Voc 处，I=0，有取Voc 处的斜率可以得出Rs 。可用Rs=(V2-Voc)/Isc,V2为Isc 对横轴的对称点的水平延长线与IV 曲线延长线的交点对应的电压值。较准确的计算为
Rs=(V2-Voc)/Imp,V2为Imp 对横轴的对称点的水平延长线与IV 曲线延长线的交点对应的电压值。
另外，参考国标《晶体硅光伏器件的I-V 实测特性的温度和辐照度修正方法》GB/T6495.4-1996 idt IEC891:1987，测量IV 曲线时，要修正到标准状态参数（E=100mW/cm2,T=25℃,AM=1.5）下的值，修正公式为：
I1，V1为实测点的坐标，I2，V2为修正特性对应点的坐标，
Isc ：试样的实测短路电流（等同于I1）；
IMR ：标准太阳电池实测短路电池，在测量IMR 时，如有必要应对标准电池的温度作修正；
I SR：标准太阳电池在标准的或其他想要的辐照度下的短路电流；
T1：试样的实测温度；
T2：标准温度，或其他想要的温度；
α和β：试样在标准的或其他想要的辐照度下，以及在关心的温度范围内的电流和电压温度系数（β为负数）；
RS ：试样的内部串联电阻；
K ：曲线修正系数。
在我们的分类测量软件中，由于测量软件编写的公式略有不同使得T1为标准温度或其他想要的温度，导致β为正数。这样I SR 、T1分别为：100mW/cm2，21℃（一线测试仪）或25℃（二线测试仪，这是由于太阳模拟器的高度不同而确定的）。其他参数为：α和β、K 、RS 分别为：0.0001A/℃，0.0024V/℃，0.0000125Ohm/℃，0.02Ohm 。
对照上述标准中关于温度系数、内部串联电阻和曲线修正系数的测定，参考我们公司送检的各种组件的测量结果（按IEC61215标准测量）：
For STP-080 modules(8 pieces), αIsc=0.0022 A/℃，αImax=0.0002 A/℃，βVoc= -0.0793 V/℃，βVmax= -0.0886 V/℃，Coef. Pmax=-0.3938 W/℃。因此，单个电池的αc 介于0.0022-0.0002 A/℃之间，βc 介于-0.0022~ -0.00246 V/℃。对于组件的αIsc 可能存在较大的问题，βc 与理论值（-0.0023 V/℃）较为接近。
对于K 和RS 应专门测量后确定。
扩散工艺培训
1、
什么是扩散？扩散的作用是什么？
扩散是一种由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程。由于热运动，把原子从一个位置输运到另一个位置，使基体原子与杂质原子不断地相互混合，从而改变基片表面层的导电类型。扩散是常规硅太阳电池工艺中，形成PN 结的主要方法。
2、硅太阳电池主要的扩散杂质源：
硅太阳电池所用的主要的扩散杂质源有气态源、液态源、固态源等。
气态源-磷化氢PH3
磷化氢是无色、易燃、有剧毒的气体。考虑到安全问题没有在硅太阳电池的扩散中被使用。 固态源-五氧化二磷P2O5
P2O5为固体，有很强的吸水性，作为杂质源操作在使用和保存时保持一定的状态是不可能的，用来扩散重复性差。
液态源-三氯氧磷POCL3
POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源，它是无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。其比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发，高温下蒸汽压很高。为了保持蒸汽压的稳定，通常是把源瓶放在20℃的恒温箱中。POCL3有巨毒，换源时应在抽风厨内进行，且不要在尚未倒掉旧源时就用水冲，这样易引起源瓶炸裂。POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：
5POCl3 = 3PCl5 + P2O5
生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下： 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P
由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：
4PCl5 + 5O2 = 2P2O5 + 10Cl2
生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气，在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：
4POCl3 + 3O2 = 2P2O5 + 6Cl2
POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散，反应式如前所示：
2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P
POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN 结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大的结面积的太阳电池是非常重要的。
磷扩散装置如附图2-1所示，源瓶要严加密封，切勿让湿气进入源瓶，因为POCl3易吸水汽而变质，使扩散表面浓度上不去，其反应式如下：
2POCl3 + 3H2O = P2O5 + 6HCl
所以如果发现POCl3出现淡黄色时就不能再用了。
图2-1三氯氧磷扩散装置示意图
磷扩散的系统应保持清洁干燥，如果石英管内有水汽存在，就会使管内P2O5水解生成偏磷酸（HPO3），使扩散管炉口内出现白色沉积物和粘滞液体，粘滞液体的会在工艺运行进舟和出舟时滴落在硅片上，造成返工片，粘滞液体的吸附性还比较强，会吸附杂质，而对扩散管内的洁净度产生影响，因此，长时间扩散后对扩散管定期进行HF 浸泡清洗。
3、什么是PN 结
PN 结是太阳能电池的心脏。需要强调指出，PN 结是不能简单地用两块不同类型（p 型和n 型）的半导体接触在一起就能形成的。要制造一个PN 结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P 型区域，另一部分是N 型区域。也就是在晶体内部实现P 型和N 型半导体的接触。制造PN 结，实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个区域中占优势（P 型），而使施主杂质在半导体内的另外一个区域中占优势（N 型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P 型和N 型半导体的接触。
我们制作太阳电池的硅片是P 型的，也就是说在制造硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为P 型硅片。如果我们把这种硅片放在一个石英容器内，同时将含磷的气体通入这个石英容器内，并将此石英容器加热到一定的温度，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽，在硅片周围包围着许许多多的磷的分子。我们用肉眼观察硅片时，认为硅片是密实的物体，实际上硅片也是像海绵一样充满着许多空隙，硅原子并不是排列得非常严实，它们的之间存在着很大的缝隙。因此磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。当硅晶体中掺入磷后，磷原子就以替代的方式占据着硅的位置。理想晶体中原子的排列是很整齐的，然而在一定的温度下，构成晶体的这些原子都围绕着自己的平衡位置不停地振动，其中总有一些原子振动的比较厉害，可以具有足够高的能量，克服周围原子对它的作用，离开原来的位置跑到其它地方去，这样就在原来的位置上留下一个空位。替位或扩散是指杂质原子进入晶体后，沿着晶格室位跳跃前进的一种扩散。这种扩散机构的特征是杂质原子占据晶体内晶格格点的正常位置，不改变原材料的晶体结构。在靠近硅晶片表面的薄层内扩散进去的磷原子最多，距表面愈远，磷原子愈少。也就是说，杂质浓度（磷浓度）随着距硅表面距离的增加而减少。从以上分析中我们可以看到，浓度差别的存在是产生扩散运动的必要条件，环境温度的高低则是决定扩散运动快慢的重要因素。环境温度愈高，分子的运动越激烈，扩散过程进行得就越快。当然，扩散时间也是扩散运动的重要因素，时间愈长，扩散浓度和深度也会增加。
硅晶片是P 型的，如果扩散进去的磷原子浓度高于P 型硅晶片原来受主杂质浓度，这就使得P 型硅晶片靠近表面的薄层转变成为N 型了。由于愈靠近硅晶片表面，硼原子的浓度愈高，因此可以想象：在距离表面为
的地方，那里扩散进去的磷原子浓度正好和硅晶体中原来的硼原子浓度相等。在与表面距离小于
的薄层内，磷原子浓度高于原来硅晶片的硼原子浓度，因此这一层变成了N 型硅半导体。在与表面距离大于
的地方，由于原来硅晶片中的硼原子浓度大于扩散进去的磷原子浓度，因此仍为P 型。由此可见，在与表面距离
处，形成了N 型半导体和P 型半导体的交界面，也就是形成了PN 结。
即为PN 结的结深。
这样我们就可以利用杂质原子向半导体晶片内部扩散的方法，改变半导体晶片表面层的导电类型，从而形成P 、N 结，这就是用扩散法制造P-N 结的基本原理。
4、
结深
对扩散的要求是获得适合于太阳电池pn 结需要的结深和扩散层方块电阻，浅结死层小，电池短波响应好，而浅结引起串联电阻增加，只有提高栅电极的密度，才能有效提高电池的填充因子，这样，增加了工艺难度，结深太深，死层比较明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降，实际电池制作中，考虑到各个因素，太阳电池的结深一般控制在0.3～0.5 m 。
5、
恒定源扩散与恒量源扩散
固体中的扩散方程可写成下式：
（5-1）
式中的 表示杂质浓度，是坐标 和时间 的函数。坐标 指杂质原子进入硅中的深度，即距离表面的距离，单位取厘米，时间 单位取秒，上式已假定D 是一个常数。事实上，扩散系数D 是表征扩散速度的物理常数，随着固体的温度上升而变大，同时还受到杂质浓度、晶体结构等因素的影响。
在扩散过程中，硅片周围的杂质浓度恒定，不随时间而改变，硅片表面的杂质浓度Ns 保持不变，始终等于源相中的杂质浓度，称这种情况为恒定源扩散，根据边界条件，(5-1)式的解为：
（5-2）
只要知道杂质在硅中的扩散系数D 和表面浓度 ，利用（5-2）式可作出该杂质在硅中的分布曲线，如图5-5所示，称这种分布为余误差分布。
图5-5 余误差分布
根据（5-2）式，当距离 = 时，浓度为 。如果浓度 等于基体晶片的掺杂浓度N 0，此时的 即为PN 结的深度，简称为结深 。设表面浓度N s =1020个/cm3，基体浓度N 0=1016个/cm3代入（5-2）式得到 与D ，t 之间的关系为：
=5.4
（5-3）
（5-3）式中常数5.4随N 0/Ns 的比值而变化，近似计算时，N 0/Ns =10-3-10-5内皆可采用上式。
在扩散前，用预扩散或沉积法，使硅片表面具有一定量的杂质源Q ，整个扩散过程中不再加源，因而整个扩散过程中杂质源总量Q 保持不变，随着扩散深度增加，表面浓度不断下降，称这种情况为恒量源扩散。根据边界条件，（5-1）式的解为：
（5-4）
根据（5-4）式作出该杂质在硅中的分布曲线，如图5-6所示，称这种分布为高斯分布。 因为 处的掺杂浓度等于基体掺杂浓度，（5-4）式变为：
=
（5-5）
上式给出恒量源情况下 与D 、t 之间的关系。
图5-6高斯分布
实际扩散过程常介于上述两种分布之间，根据不同工艺或近似高斯分布或近似余误差分布。常规太阳电池工艺中，因为扩散较浅，常采用余误差分布近似计算。
6、方块电阻
在扩散工艺中，方块电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要标志之一。
对应于一对确定数值的结深和薄层电阻，扩散层的杂质分布就是确定的。也就是说，把薄层电阻的测量同结深的测量结合起来，我们就能够了解到扩散入硅片内部杂质的具体分布。深入了解薄层电阻的定义和测试方法，对我们控制扩散条件和提高产品质量具有十分现实的意义。
㈠ 薄层电阻的定义
扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常用Rs 或R □表示，所谓薄层电阻，就是表面为正方形的半导体薄层在电流方向（电流方向平等于正方形的边，见图6-1）所呈现的电阻。
我们知道金属导体的电阻公式R=ρl/s，R 是电阻，ρ电阻率，s 面积，l 长度。与之类似薄层电阻的大小应为：Rs=ρl/l =ρ/ ，可见，薄层电阻的大小与薄层的平均电阻率成正比，与薄层的厚度成反比（一般电阻的大小与边长成正比），而与正方形的边长无关，其单位为欧姆。为了表示薄层电阻不同于一般电阻，其单位常用[欧姆/方块]或[Ω/口]表示。
图（6-1）
㈡ 薄层电阻的物理定义
在半导体中，电阻率与杂质浓度之间关系为：
当我们对掺杂浓度取平均值时：
所以：
注意：
为单位表面积扩散薄层内的净杂质总量。Rs 的大小就直接反映了扩入硅片内部的净杂质总量的多少。
薄层电阻越小，表示扩入硅片的净杂质越多，反之，扩入的就越少。
还要注意的是：不同的杂质分布和结深可获得同样的Rs ，这是实际设计和工艺中常遇到的问题。例如下图中的两个分布曲线，可获得同样的Rs 。
㈢ 扩散层薄层电阻的测试
硅片表面扩散层的薄层电阻可用四探针法测量。测量装置如下图所示。测量头是由彼此相距为s 的钨丝探针组成，针尖要在同一平面同一直线上。测量时，将探针压在硅片的表面，外面两根探针通电流I ，测量中间两根探针间的电压V 。薄层电阻为：
C 称做修正因子，其数值的大小除与样品形状和大小有关，还与样品是单层扩散还是双层扩散等因素有关。
7、
扩散温度与时间
扩散时的温度和时间是控制电池结深的主要因素，在不影响PN 结特性的前提下，扩散温度选择高一些，可以缩短扩散时间，有利于生产。对于浅扩散的情况，温度选择要适当，既不能使温度过高，使扩散时间过短，以致难于控制工艺，又不宜温度过低，而使扩散时间延长
到不适当的地步，但是扩散的温度较高，这对结深和硅片的少子寿命影响比较大，导致转换效率大幅度降低，所以在制备晶体硅太阳电池还是要避免太高的扩散温度，我们现在的扩散温度一般控制在830-870度之间。。
在一定的温度下，扩散时间与结深的关系如图7-1所示。在恒定表面浓度扩散时，时间增加 ，扩散进入硅中的杂质总量Q 相应增加，结深增加了 。在恒量表面杂质源扩散时，扩散进入硅中的杂质总量Q 始终不变，扩散时间增加，表面浓度 下降，结深增加。
图7-1 扩散时间对于结深的影响
8、
扩散温度和扩散时间对方块电阻的影响
根据恒定源扩散理论，扩散入硅片单位表面的杂质总量为：
（8-1）
根据方块电阻的定义：
（8-2）
式中 为单位面积扩散薄层内的净掺杂杂质总量，即 =
将式（8-1）代入式（8-2）得：
(8-3)
由于表面杂质浓度 、扩散系数D 都是温度T 的函数，所以只要调整扩散温度和扩散时间两个参数，就可得到确定的方块电阻值。
9、
方块电阻大小对电性能的影响
方块电阻偏低，扩散浓度大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降； 方块电阻偏高，扩散浓度低，则横向电阻高，使Rs 上升；因此，实际电池制作中，考虑到各个因素，，方块电阻控制在35～65 /□
Emitter Wrap Through - EWT
Emitter wrap-through” (EWT) and “Metallisation wrap through” (MWT) are high-efficiency back-contact solar cell technologies. Vias allow the emitter on the front of the cell to be “wrapped-through” to the back surface. This takes the metallization for the bus bars (MWT) or the metallization for both bus bars and fingers (EWT) to the back of the cell, ?
?
?
?
? Metallisation is moved to the back of the cell reducing shadowing EWT also increases emitter area (n doped regions of the back side) A high power IR laser with low M2 is ideal for silicon drilling EWT: 300 wafer/module/hour, MWT: 1200 wafer/module/hour 15mm 3s via position available with the MSV-Wx system to enable
correct contacting to iterdigitated rear electrodes.
Laser micro machined emitter wrap through technology is the creation of vias to wrap the emitter on the front surface to contacts on the back of the cell. Before the n-dopant diffusion process lasers are used to drill via holes using pulsed laser ablation.
The process of laser via drilling creates minor surface damage (micro-defects) which may subsequently be removed by flash etching material away from the via hole. Sodium Hydroxide (NaOH) is one of several etchants that may be used in the process of clearing debris from exposed
surfaces.
The n-doped emitter is allowed to wrap through the vias during the implantation process, the area of p-type material on the back of the cell is minimised and therefore maximises the collector area after
n-doping, The technique can be used with lower quality and thinner silicon without significant losses in efficiency. Having the provision of a large cost advantage over conventional cell configurations this system has the potential to be implemented in a cost effective process flow.
EWT 太阳电池技术进展
摘要：介绍了EWT 太阳电池发展历史、研究现状及国内外EWT 太阳电池的技术研究进展，指出了EWT 太阳电池研究中的难点，提出了EWT 太阳电池的发展方向，并对EWT 太阳电池的发展前景进行了展望。
关键词：EWT 太阳电池；技术进展；激光打孔；PN 区域的界定
目前大规模生产的常规硅太阳电池，为了提高载流子的收集效率，PN 结的发射区处于电池的正面，电池的受光面都有栅线电极。栅线电极的存在阻挡了部分阳光，降低了电池的效率。另一方面，由于电池的正负电极分别位于电池的两面，在电池进行串联封装时，要从一块电池的正面焊接到另一块电池的背面，这样就加大了自动化生产的难度。为此，1993年JamesM.Gee 研制出EWT
（Emitterwrap-through ）硅太阳电池。这种电池将金属电极栅线完全转移到了电池的背面，使正负电极的主栅分布在电池背面的两侧，成功的解决了上述难题。 1EWT 硅太阳电池的结构及特点
EWT 硅太阳电池是一种前结背接触电池。它的PN 结依然位于电池的正面，以有利于提高载流子的收集效率，通过重扩散或者镀有金属的孔（目前用的最多的是激光打孔）把电池正面发射区和背面局部发射区连接在一起，将前表面发射区引入背面，实现把前后表面收集的电子传导到背面电极上，正负电极细栅全部交叉排列在电池背面，主栅排列在电池背面的两侧。前表面依然采用优良的金字塔结构和减反射膜，以减少光的反射损失。EWT 硅太阳电池的结构如图1所示。
EWT 硅电池具有以下显著优点：
（1）由于正面完全没有电极栅线，增加了有效受光面积，故可以提高光生电流的密度，从而获得较高的效率。
（2）由于正负电极均位于电池背面，可简化光伏组件的封装，使自动化生产更容易实现。
（3）电池背面采用定域合金制背场的方法，既产生了内建电场，同时减少电极与基体的接触面积，使金属与半导体界面的高复合速率区大大减少，降低了背面的表面复合，因而可更好地提高电池性能；
（4）可实现从电池的前结和背结共同收集电荷，故有很高的电荷收集率。而且，薄的硅片因为减少了电荷的传输路径，降低了孔电阻，故也可以提高电池的填充因子。因此，低品质的薄基硅片更能体现EWT 太阳电池结构的优越性。 目前，硅基电池已经成为市场的主流，基于EWT 硅太阳电池的以上优点，并且随着人们对进一步提高电池效率和降低电池成本的要求，EWT 硅太阳电池正越来越受到人们的重视。
2EWT 太阳电池的国内外研究现状国外对于EWT 电池的研究较为深入，主要的代表机构有：德国Fraunhofer 实验室、美国Sandia 国家实验室、德国UniversityofKonstanz 、美国Advent 太阳能公司等。
德国FraunhoferISE 采用SiO 2钝化及光刻技术，在4cm 2的Fz-Si 衬底上制作出实验室效率为21.4%的EWT 电池，成为目前EWT 电池的最高效率保持者。但光刻技术复杂，成本高，不适宜规模化生产。
美国Sandia 国家实验室采用光刻发射极图案结合丝网印刷接触技术在41cm 2的Fz －Si 上获得了15,6%（AM1.5）的效率。
德国UniversityofKonstanz 研究了两种技术路线。A.Kress,R.Tolle 等人在10×10cm2的Cz －Si 上采用丝网印刷扩散阻挡层和二次扩散技术，得到了
216.1%的效率，开路电压600mV ，短路电流37.9mA/cm，填充因子大约为70%；
H.Knauss ，W.Jooss 等人采用金属化学镀层技术
（electrolessplatingmetallizationtechnology ）在24cm2的Cz-Si 上获得了16.6%的效率，其开路电压是591mV ，短路电流密度是37.7mA/cm2，填充因子达到74.6%，并预计如果能优化打孔工艺进一步去除激光损伤的话，效率将能达到17.3%。但该技术大大的增多了工艺步骤，关键步骤P-Al 共同扩散又不易控制。
美国AdventSolarCorporation 采用多晶硅材料和比较成熟的丝网印刷技术，
2实现了15.2%的效率，其电池的开路电压是600mV ，短路电流密度是35.4mA/cm，
填充因子为71.3%。
在国内，北京科技大学材料学院的刘维和中科院电工研究所的周春兰曾对EWT 背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺进行过研究。云南师范大学太阳能研究所深入研究了激光打孔对单晶硅材料性能的影响，并对EWT 硅电池的结构进行了设计与性能模拟。
3EWT 太阳电池的关键技术进展
3．1激光打孔
EWT 太阳电池完全去除了正表面的栅线电极，依靠电池中的无数导电小孔来将收集到的载流子传递到背面的发射区电极上。导电孔的制作，早期主要采用光刻和湿法化学腐蚀法，目前最常用的方法是激光打孔。激光打孔方便易行，适合大规模化生产，但初期激光打孔精度不高，包括激光打出的孔是不是精确地排列在一条直线上、激光打孔的精确定位、激光打孔后的机械损伤等等问题，曾经是EWT 太阳电池无法用激光打孔技术大规模化生产的主要原因。故激光打孔是实现EWT 太阳电池的一个关键技术。随着近几年激光技术的飞速发展，现在这些问题已经得到了较好的解决。
云南师范大学太阳能研究所的研究还发现，打孔激光进行打孔作用后，使得硅材料本身的性质趋向于好的方向发展，对下一步太阳电池的制作提供了较好条件。这是因为，在制备硅太阳电池材料的过程中，机械加工往往使材料表层微结构产生缺陷；掺杂时杂质离子能量高，进入基片后会使基片形成错位、层错及各种类型的缺陷，注入层遭到了破坏，加之，注入的杂质未进入晶格位置，导电性能较差。在激光的作用下，破坏的表面层再结晶，部分消除了材料表面的缺陷，改善了晶格结构；恢复了注入杂质的电活性，增加了P 型杂质的固溶度，改善了晶格的质量，同时使杂质离子进入了晶格的位置，使得硅的电阻率下降，少子寿命提高。
3．2电池背面PN 区域的界定
与常规硅太阳电池不同，EWT 太阳电池的Ｐ型区域和Ｎ型区域间隔排列在电池的背面，导电孔和背面的Ｎ型区域相连，并且要求P 型区域和Ｎ型区域要靠的很近，而且还不能够短路，这就对电池背面PN 区域的界定提出了很高的要求，故电池背面PN 区域的界定是实现EWT 太阳电池的一个关键技术。目前，实现EWT 太阳电池背面PN 区域的界定的方法主要有下列几种：
3.2.1丝网印刷法
早期的EWT 太阳电池背面的制备多采用光刻的方法，其优点是设计精度高，缺点是成本高，制备工艺较复杂，容易引入对人体有毒的化学物质，不利于大规模工业化生产。从上世纪九十年代末开始，随着丝网印刷技术的成熟，丝网印刷法逐渐成了界定背面P 型区域和N 型区域常用的方法。丝网印刷法的主要原理是通过丝网印刷设备在硅片上间隔印刷扩散阻挡层或耐腐蚀浆料，已用来阻挡扩散或腐蚀液的腐蚀，使电池背面的P 型区域和N 型区域间隔分布。
3.2.1.1扩散前丝网印刷扩散阻挡层
在扩散之前，直接在电池的背面P 型区域丝网印刷上扩散阻挡层浆料，见图2所示。
硅片背面丝网印刷上浆料后，在红外炉里（250-300°Ｃ）快速热退火60秒，可以得到高质量的扩散阻挡层。该阻挡层能在磷扩散时完全可以阻挡磷的扩散而保持P 型，而没有印刷浆料的区域则被磷扩散为Ｎ型。扩散结束后，再将阻挡层去除，以便以后的工序中在原阻挡层的区域做Ｐ型电极。但阻挡层不太容易去除，AdventSolarCorporation 采用了在丝网印刷前开一个细槽的办法来去除阻挡层，在1mm 宽的阻挡区域开一个0.35mm 宽的细槽，开槽后虽然细槽在扩散时能形成Ｎ型层，但在制作电极工序中，通过印刷Al 去补偿，如图3所示。此法虽然大大简化了工序，可取得较好的效果，但整个电池工序就必须有三次丝网套印，这对丝网印刷工艺精确定位提出了更高的要求。
3.2.1.2扩散后丝网印刷耐腐蚀浆料
按常规硅太阳电池的制作工艺扩散以后，在硅片的前面和背面的间隔的N 型区域丝网印刷上耐腐蚀浆料或者是油墨，然后用HF 等腐蚀液腐蚀硅片，去除没有印刷上耐腐蚀浆料或者是油墨区域的n 型层，这样就形成了背面P 型区域和N 型区域的交叉间隔分布，最后用溶剂将耐腐蚀浆料或者是油墨去除，见图4所示。这种方法界定背面P 型区域和N 型区域简单易行，但由于P 型区域和N 型区域是在交叉和间隔中直接相邻，容易造成短路而导致电池制作失败。
3.2.2激光刻槽法
用激光刻槽法实现EWT 太阳电池背面PN 区域的界定相对比较简单、效率较高，可降低电池的成本，适合于EWT 太阳电池的大规模生产。激光刻槽的精度虽然比光刻技术低的多，但由于太阳电池对精度的要求不是很高，并且随着激光技术近些年的不断发展，现在已经可以较好解决这个问题。激光刻槽容易给硅片带来新的辐射损伤，特别是在ｐ型电极周边形成高复合区，增加了少数载流子的复合中心，降低了载流子的收集，但通过优化刻槽和化学腐蚀工艺参数可减少其对太阳电池性能的影响。由于激光刻槽的槽中的部分区域将用来制做EWT 太阳电池的电极，由于要形成良好的欧姆接触，这就要求硅片表面平整光滑而侧壁垂直陡峭。中科院电工所的研究发现，当NaOH 刻蚀溶液浓度为12%，温度为80℃，时间为20-35min 时，可以得到较好的槽面结构，能较好的满足欧姆接触电极的制备以及背面结构的设计要求。根据激光刻槽和扩散的先后顺序，此法又分为两类。
3.2.2.1扩散前进行激光刻槽
先对硅片进行干氧氧化，形成双面的SiO 2层，再进行前面的去除氧化层和制绒，接着进行激光打孔和激光刻槽，用碱溶液刻蚀损伤层，然后进行P 扩散，再在前面镀上减反射膜，背面用Al 蒸镀电极，最后进行PN 相邻区域Al 的去除，这样就实现了EWT 电池背面PN 区域的界定。此法的优点是用SiO 2做了背面PN 区域的相互绝缘，不容易短路，成功率很高，适合大规模化生产，缺点是由于背面SiO 2层的存在，P 型电极和Ｐ型栅线之间必须用激光烧烛接触技术（LFC ）来形成良好的欧姆接触。
3.2.2.2扩散后进行激光刻槽
先将硅片的两面都扩散成Ｎ型，然后通过在背面丝网印刷Ag/Al浆料共烧的办法补偿电池的n 型层，烧结后，直接用激光开槽实现电池背面PN 区域的界定，见图5所示。用此种方法，还有个优点，可以选择把电池的周边结一起去除。但这种方法，又会给硅片带来新的辐射损伤，降低了载流子的收集。所以，刻槽后如何较好的除去槽区辐射损伤部分和堆积物，一直是人们研究的一个重点。
4EWT 硅太阳电池面临的问题和发展方向
随着人们对电池成本降低的要求，硅片的厚度正变得越来越薄，虽然低寿命的薄基硅片更能体现EWT 太阳电池的优越性，但硅片厚度过薄，本身的机械强度就不高，激光打孔特别是激光刻槽更加降低了硅片的机械强度，使硅片变的很容易破碎。这就对生产工艺和封装技术提出了更高的要求。由于EWT 硅太阳电池本身的特殊结构，决定了电池的开路电压和填充因子不高，故提高电池的开路电压和填充因子是下一步EWT 太阳电池研究的重点。另外，EWT 硅太阳电池的制造工艺与常规硅太阳电池相比，技术还是比较复杂，特别是背面PN 区域和正负栅线都比较容易短路，这就需要继续改良生产工艺和栅线设计，使EWT 硅太阳电池向简单化、工业化方向发展。
5结论
本文通过对EWT 太阳电池技术进展的研究，得到了以下结论：（1）低品质的硅材料更能体现EWT 电池结构的优越性。（2）激光打孔作用后，使得硅材料本身的性质趋向于好的方向发展，对下一步太阳电池的制作提供了较好条件。（3）激光打孔和电池背面PN 区域的界定是实现EWT 硅太阳电池的关键技术，但还有一些问题需要人们继续研究。
范文三：发电效率PR计算公式
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发电效率PR计算公式
光伏电站发电效率的计算与监测
1、影响光伏电站发电量的主要因素
光伏发电系统的总效率主要由光伏阵列的效率、逆变器的效率、交流并网效率三部分组成。
1.1光伏阵列效率:
光伏阵列的直流输出功率与标称功率之比。光伏阵列在能量转换与传输过程中影响光伏阵列效率的损失主要包括:组件匹配损失、表面尘埃遮挡损失、不可利用的太阳辐射损失、温度的影响以及直流线路损失等。
1.2逆变器的转换效率:
逆变器输出的交流电功率与直流输入功率之比。影响逆变器转换效率的损失主要包括:逆变器交直流转换造成的能量损失、最大功率点跟踪(MPPT)精度损失等。
1.3交流配电设备效率:
即从逆变器输出至高压电网的传输效率，其中影响交流配电设备效率的损失最主要是:升压变压器的损耗和交流电气连接的线路损耗。
1.4系统发电量的衰减:
晶硅光伏组件在光照及常规大气环境中使用造成的输出功率衰减。
在光伏电站各系统设备正常运行的情况下，影响光伏电站发电量——————————————————————————————————————
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的主要因素为光伏组件表面尘埃遮挡所造成太阳辐射损失。
2、光伏电站发电效率测试原理
2.1光伏电站整体发电效率测试原理
整体发电效率PRE公式为:
PRE?PDR
PT
—PDR为测试时间间隔 (?t)内的实际发电量;
—PT为测试时间间隔 (?t)内的理论发电量;
理论发电量PT公式中:
T?Ii
Io，为光伏电站测试时间间隔(?t)内对应STC条件下的实际有效发电时间;
,P为光伏电站STC条件下组件容量标称值;
,I0为STC条件下太阳辐射总量值，Io =1000 w/m2;
,Ii为测试时间内的总太阳辐射值。
2.2光伏电站整体效率测试(小时、日、月、年)
气象仪能够记录每小时的辐射总量，将数据传至监控中心。
2.2.1光伏电站小时效率测试
根据2.1公式，光伏电站1小时的发电效率PRH
PDRiPRH?PTi
ITi?i
I0
——————————————————————————————————————
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—PDRi，光伏电站1小时实际发电量，关口计量表通讯至监控系统获得; —P，光伏电站STC条件下光伏电站总容量标称值;
—Ti，光伏电站1小时内发电有效时间;
—Ii，1小时内最佳角度总辐射总量，气象设备采集通讯至监控系统获得; —I0=1000w/m2 。
2.2.2光伏电站日效率测试
根据气象设备计算的每日的辐射总量，计算每日的电站整体发电效率PRD PRD?PDR PT
IT?I0
—PDR，每日N小时的实际发电量，关口计量表通讯至监控系统获得; —P，光伏电站STC条件下光伏电站总容量标称值;
—T，光伏电站每日发电有效小时数
—I，最佳角度总辐射总量，气象设备采集通讯至监控系统获得;
—I0 =1000w/m2 。
2.2.3光伏电站月效率测试
根据记录的每天的整体发电效率PRE，计算每月的平均整体发电效率PRM
1N
PRM??PRD， Ni?1
—N为每月的天数。
2.2.4每年整体效率测试
根据记录—每月的平均整体电效率PRM，计算每年的平均整体——————————————————————————————————————
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发电效率PRY
112
PRY??PRM。 12i?1
2.3分系统效率测试
2.3.1光伏直流系统设备效率测试
2.3.1.1各光伏阵列系统效率测试
通过气象仪采集当日最佳角度辐射总量，可以计算出当日每个光伏阵列的理论发电量Pi T;通过各区逆变器的直流配电柜内配置的直流测量仪表与监控系统的通讯可以获得每个光伏阵列的实际发电量WDC1 ;根据公式
出各光伏阵列系统效率?DC1 PRE?PDRPT可以计算
?DC1WDC1? 。 PTi
2.3.1.2全站光伏阵列整体效率测试
通过气象仪采集当日最佳角度辐射总量，可以计算出当日光伏阵列的总理论发电量P T;通过各区逆变器的直流配电柜内配置的直流测量仪表与监控系统的通讯可以获得总的光伏阵列的实际发电量WDC2 ，根据公式
全站光伏阵列整体效率
PRE?PDRPT可以计算出?DC2
?DC2WDC2?PT
2.3.2各逆变器效率测试
通过各区逆变器的直流配电柜内配置的直流测量仪表与监控系——————————————————————————————————————
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统的通讯可以获得每个逆变器的每日直流输入电能总量WDC;通过各区逆变器的交流输出柜内配置的交流测量仪表与监控系统的通讯可以获得每个逆变器每日交流输出电能总量WAC;根据公式PRE?PDR
PT可以计算出各逆变器效率?AC/DC
?AC/DC
WAC?WDC
2.3.3交流配电设备效率测试
2.3.3.1 10KV各支路交流配电设备效率测试
由10KV各支路馈线柜内电度表与监控系统的通讯可以获得各支路每日发电总量WAC1，通过各支路对应逆变器的交流输出柜内配置的交流测量仪表与监控系统的通讯可以获得对应逆变器每日交流输出电能总量WAC2，通过公式PRE?PDR
PT可以计算出支路效率?支路
?支路WAC1?WAC2
2.3.3.2 主变效率测试
通过10KV主变低压侧进线柜测量仪表可以得到当日主变低压侧进线电能量WD。由主变高压侧计量电度表处可以得到光伏电站每日实际发电量PDR。根据公式可以计算出主变效率ηB
?B?PDR
WD
4、总结
通过监控系统的发电效率计算来判断各个系统设备的损耗，光伏——————————————————————————————————————
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组件是否需要清洁，通过优化设备选购及时清洁光伏组件保证光伏组
件的转换效率，以保证光伏电站的整体发电效率，最终保证光伏电站
电量损失达到最低。
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范文四：服务效率计算公式
服务效率计算公式
1．实际开放总床日数：指年内医院各科每日夜晚12点开放病床数总和, 不论该床是否被病人占用, 都应计算在内。包括消毒和小修理等暂停使用的病床, 超过半年的加床。不包括因病房扩建或大修而停用的病床及临时增设病床。
2．实际占用总床日数：指医院各科每日夜晚12点实际占用病床数(即每日夜晚12点住院人数) 总和。包括实际占用的临时加床在内。病人入院后于当晚12点前死亡或因故出院的病人, 作为实际占用床位1天进行统计, 同时亦应统计“出院者占用总床日数”1天, 入院及出院人数各1人。
3．出院者占用总床日数：指所有出院人数的住院床日之总和。包括正常分娩、未产出院、住院经检查无病出院、未治出院及健康人进行人工流产或绝育手术后正常出院者的住院床日数。
4．平均开放病床数＝实际开放总床日数／本年日历日数(365)。
5．病床使用率＝实际占用总床日数／实际开放总床日数X100％。
6．病床周转次数＝出院人数／平均开放床位数。
7．病床工作日＝实际占用总床日数／平均开放病床数。
8．出院者平均住院日＝出院者占用总床日数／出院人数。
范文五：发电效率PR计算公式
光伏电站发电效率的计算与监测
2、光伏电站发电效率测试原理
2.1光伏电站整体发电效率测试原理
整体发电效率PR E 公式为：
PDR PR E =PT
—PDR 为测试时间间隔 (?t ) 内的实际发电量；
—PT 为测试时间间隔 (?t ) 内的理论发电量；
理论发电量PT 公式中：
T =I i
I o ，为光伏电站测试时间间隔(?t ) 内对应STC 条件下的实际有效发电时间；
－P 为光伏电站STC 条件下组件容量标称值；
－I 0为STC 条件下太阳辐射总量值，Io =1000 w/m2；
－Ii 为测试时间内的总太阳辐射值。
2.2光伏电站整体效率测试（小时、日、月、年）
气象仪能够记录每小时的辐射总量，将数据传至监控中心。
2.2.1光伏电站小时效率测试
根据2.1公式，光伏电站1小时的发电效率PR H
PR H =PDR i
PT i
I i T i =I 0
—PDRi ，光伏电站1小时实际发电量，关口计量表通讯至监控系统获得； —P ，光伏电站STC 条件下光伏电站总容量标称值；
—Ti ，光伏电站1小时内发电有效时间；
—Ii ，1小时内最佳角度总辐射总量，气象设备采集通讯至监控系统获得； —I 0=1000w/m2 。
2.2.2光伏电站日效率测试
根据气象设备计算的每日的辐射总量，计算每日的电站整体发电效率PR D
PDR PR D = PT
I T =I 0
—PDR ，每日N 小时的实际发电量，关口计量表通讯至监控系统获得； —P ，光伏电站STC 条件下光伏电站总容量标称值；
—T ，光伏电站每日发电有效小时数
—I ，最佳角度总辐射总量，气象设备采集通讯至监控系统获得； —I0 =1000w/m2 。
