King爱24936524
fabout 产出
半体英产产产产产产
5. Active device:有源器件,如MOS FET，非性,可以信号放大,产产产产产产产产产产产
6. Align mark(key):位产产产产
8. Aluminum:产
9. Ammonia:氨水
10. Ammonium fluoride:NH4F
11. Ammonium hydroxide:NH4OH
12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅，不是多晶硅,
13. Analog:模的产产
14. Angstrom:A，1E-10m,埃
15. Anisotropic:各
16. AQL(Acceptance Quality Level):接受量准,在一定采,可以产产产产产产产产产产产产95%置信通量准，不同于可靠性,可靠性要求一定后的失效率,产产产产产产产产
17. ARC(Antireflective coating):抗反射，用于产产产产METAL等的光刻,产产产产产
18. Antimony(Sb)产
19. Argon(Ar)产
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher:去胶机
24. Aspect ration:
25. Autodoping:自，外产产产产产产SUB的度高,有蒸到境产产产产产产产产产产产产产产产后,又
26. Back end:后段，CONTACT以后、PCM产产前,
27. Baseline:准流程产产产产
28. Benchmark:基准
32. Character window:特征窗口。用字或数
36. CIM:computer-integrated manufacturing的写。算机控制和产产产产产产产产产产产控制造工的一
37. Circuit design :路。一将各元器件接起来定功能的。产产产产产产产产产产产产产产产产
38. Cleanroom:一在温,湿度和度方面都需要足产产产产产产产产产产产产产产产产产产些
39. Compensation doping:。向产产产产产P型半入施主或向产产产产产产产产产产N型
40. CMOS:complementary metal oxide semiconductor的写。一产产产产产产PMOS和NMOS在同一个硅底上混合制
41. Computer-aided design，CAD,:算机助。产产产产产产产产
42. Conductivity type:型,多数流子决定。在产产产产产产产产产产产产产N材料中多数流子产产产是子,在产产产产P型材料中多
43. Contact:孔。在工中通常指孔产产
44. Control chart:制。一用数据描述的可以代工产产产产产产产产产产产产产产产产产某性的曲
45. Correlation:相性。产产产
46. Cp:工能力,产产产产产产process capability。
47. Cpk:工能力指数,产产产产产产产产process capability index。
48. Cycle time:片做完段工或定工段所需要的。产产产产产产产产产产产产产产产产产产通常用
49. Damage:。于晶体来,有晶格陷在表面产产产产产产产产产产产产产产产产产产产理后形成无法修的形也可以叫做。
50. Defect density:缺
51. Depletion implant:耗尽注入。一在沟道注入离子形成耗产产产产产产产产产产产尽晶的注入工。，耗晶体管指在零的情况下有流流的晶体管。,产产产产产产产产产产
52. Depletion layer:耗尽。可流子密度低于施主和产产产产产产产产产产产产产产产产的固定荷密度
53. Depletion width:耗尽度。
54. Deposition:淀。一在片上淀定厚度的且不和下产产产产产产产产产产产产产产产产产面次生化学反的薄膜的一方法。产产产产
55. Depth of focus，DOF,:焦深。
56. design of experiments (DOE):了达到用最小化、低、产产产产产产产产产产产产产产以及保据果的合理性等目的,所的初始工程批划。产产产产产产产产产产
57. develop:影，通化学理去曝光区域的光刻胶,形成所形的程,产产产产产产产产产产产产产产产产产产
58. developer:?,影,产产产 产产产?,影液
59. diborane (B2H6):乙,一无色、易、有毒的可燃气产产产产产产产产产产产产产产产体,常用来作半体生中的
60. dichloromethane (CH2CL2):二甲,一无色,可燃,不可爆的液体。产产产产产产产产
61. dichlorosilane (DSC):二硅,一可燃,有腐性,无产产产产产产产产产产产产产色,在潮湿境下易水解的物,常用外延或多晶硅产产产产产产产产产产产产产产产产产产产的成,以及用在沉二氧化硅、化硅的化学气氛中。产产
62. die:片中一个很小的位,包括了完整个芯片以产产产产产产产产产产产产产产及芯近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。产产产产产
63. dielectric:?,介,一材料,产产产产 ?,用于
64. diffused layer:产产产产产产产产产产产产产产产产产产产散,即离子通固入晶硅中,在硅表面的区域形成产产产产产产产产产产产产产产产产产产
65. disilane (Si2H6):乙硅,一无色、无腐性、产产产产产产产产产产产产产产极易燃的气体,燃能生高产产产产产产产产产产产产产产产产产产产火焰,暴露在空气中会自燃。在生光元,
66. drive-in:推阱,指运用高温产产产
67. dry etch:干刻,指采用反气体或离气除去硅片某一产产产产产产产产产产产产产次中未保区域的混合了物理腐及化学腐的工程。产产产产产产产
68. effective layer thickness:有效厚,指在外延片制造中,流产产产产产产产产产产产产产子密度在定产产产产产产产产产产
69. EM:electromigration,子产产产产产产产产产产产产产产产产迁移,指由通条的流致子沿条行产产产产产产
70. epitaxial layer:外延。半体技,在决定晶向的产产产产产产产产产产产产产产产产产上生一晶半体材料,一晶半体即外延。产产产产产产产产产产
71. equipment downtime:产产产产产产产
72. etch:腐,产产产产产产产产产产产产产产产产
73. exposure:曝光,使感光材料光或受
74. fab:常指半体生的
75. feature size:特征尺寸,指个形
76. field-effect transistor，FET,:效管。包含源、产产产产产产产产产产产产产漏、、四端,由到产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产漏的
77. film:薄膜,片上的一或多产产
78. flat:平产
79. flatband capacitanse:平产产产容
80. flatband voltage:平产产产
81. flow coefficicent:流产产产系数
82. flow velocity:流速产
83. flow volume:流量产
84. flux:位内流定面的产
85. forbidden energy gap:禁产
86. four-point probe:四点探台产产
87. functional area:功能区
88. gate oxide:氧产产
89. glass transition temperature:玻璃产产产产产温度
90. gowning:化产产产服
91. gray area:灰区
92. grazing incidence interferometer:切产产产产产产涉入射干
93. hard bake:后烘
94. heteroepitaxy:晶在不同材的底上
95. high-current implanter:束产产产产流大3ma的注入方式,于批量生产96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter:高效率空气产
大于0.3um的产产粒
97. host:主机
98. hot carriers:流子产产产产
99. hydrophilic:水性产产产
100. hydrophobic:疏水性
101. impurity:产产
102. inductive coupled plasma(ICP):
104. initial oxide:一氧
105. insulator:产产
106. isolated line:隔离产
107. implant : 注入
108. impurity n : 产产
109. junction : 产
110. junction spiking n :产穿刺
111. kerf :划片槽
112. landing pad n AD
113. lithography n 制版
114. maintainability, equipment : 产产产能
115. maintenance n :保产
116. majority carrier n :多数流子产产产
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩产
120. mean n : 平均产
121. measured leak rate n :产得漏率
122. median n :中产产
123. memory n : 产产体
124. metal n :金属
125. nanometer (nm) n :产产米
126. nanosecond (ns) n :产产秒
127. nitride etch n :氮化物刻产
128. nitrogen (N2 ) n:氮气,一 产产产产产产双原子气体
129. n-type adj :n型
130. ohms per square n:欧姆每平方: 方产产产阻
131. orientation n:晶向,一晶 产产产产产产产产列所指的方向
132. overlap n : 交迭区
133. oxidation n :氧化,温下氧气或水蒸气与硅产产产产产产行的化
136. photomask, negative n:反刻
137. images:
138. photomask, positive n:正刻
139. pilot n :先批,用以工是产产产产产产产产产产产产产否符合格的片140. plasma n :等离子体,用于去胶、或淀的离气
低温条件下的
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n:TEOS淀,淀产产产
143. pn junction n:pn产
144. pocked bead n:点,在20X下产产产产产产产产产产产察到的吸附在低表面的水珠145. polarization n:振,描述产产产产产产产产产产产产产波下矢量方向146. polycide n:多晶硅 /金属硅化物,决高 产产产产阻的合构147. polycrystalline silicon (poly) n:多晶硅,高度，产产产产产>5E19,的硅,
148. polymorphism n:多产产产产产
两产产产产产产产产
149. prober n :探产产产产产产产产产产产产产产产产产产
150. process control n :产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产程控制。半体制造程
151. proximity X-ray n :X射:一光刻技,用产产产产产产产产X射产产产产产产照射置于光刻胶上方的掩膜版,从而使产产
152. pure water n : 产产
153. quantum device n :量子。一子产产产产产产
154. quartz carrier n :石英舟。
155. random access memory (RAM) n :随机存产产产器。
156. random logic device n :随机器件。产产产产产
157. rapid thermal processing (RTP) n :快速理产产产(RTP)。
158. reactive ion etch (RIE) n : 反离子刻产产产产产(RIE)。
159. reactor n :反产产产产产
160. recipe n :菜产产产产产产产产产产
161. resist n :光刻胶。
162. scanning electron microscope (SEM) n :产产产产子微(SEM)。
163. scheduled downtime n : (产产)产产产产定停工。
164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。
165. scribe line n :划片槽。
166. sacrificial etchback n :产产产牲腐。
167. semiconductor n :半体。性介体和体
168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄产产产产产产产产产产产产阻。一般用以衡量半
169. side load: 产产
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是产产产产产
171. small scale integration(SSI):模合,在模上由产产产产产产产产产产产产2到10
172. source code:原,机器代产产产产产产产产产产产产产产产产产产者使用的,入到程序产产产产
173. spectral line: 光,光制机或分光在焦平面上产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产
174. spin webbing: 旋产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产产,在旋程中在下表
175. sputter etch: 产产产产产产产产产
176. stacking fault:堆产产产产产产产产产产
177. steam bath:汽浴,一个大气下,流产产产
178. step response time:瞬产产产产产
普化段气流到达特定产产产产产产产产产产产产
179. stepper: 产
180. stress test: 产产产产产产产产产产产
181. surface profile:表面产产产产产产产产产产产产
182. symptom:征兆,人感产产产产产产产产产产产产
183. tack weld:产产产产产产产产产产产产产产产产产断,通常角落上找先有的地点行的点产产产产产产
184. Taylor tray:泰勒产产产
185. temperature cycling:温度周期产产产产产产产产产产产产产产产产产产产化,量出
186. testability:易性,于一个产产产产产产产产
187. thermal deposition:产产产产产沉,在950度的高温下,硅片引入化学物
188. thin film:超薄膜,堆产产产产产产产产产产
189. titanium(Ti): 产。
190. toluene(C6H5CH3): 甲
191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液产产产溶。产产混合物
192. tungsten(W): 产。
193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化。无色无产产产产产产产产产产产产产产产产产味的气或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀硅化
194. tinning: 金性
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可荷密度的和:产产产产产产产产产
氧固定荷密产产产产产产产(Nf)、氧化产产产产产产产产俘的荷的度(Not)、界面产产产产产产产
196. watt(W): 瓦。能量位。产产产
197. wafer flat: 从晶片的一面接切下
晶体表面的
ACA Anisotropic Conductive Adhesive 各向异性产产产ACAF Anisotropic Conductive Adhesive Film异性胶膜产产产
ALIVH All Inner Via Hole 完全内部通孔
AOI Automatic Optial Inspection 自光学产产产
BCB Benzocyclohutene,Benzo Cyclo Butene 苯丙丁产产产BEO Beryllium Oxide 氧化产
BIST Built-In Self-Test(Function)
BTAB Bumped Tape Automated Bonding 凸点
BQFP Quad Flat Package With Bumper 产产产产产产产产产产产冲的四
CBGA Ceramic Ball Grid Array 陶瓷产产产产球列
CCGA Ceramic Column Grid Array
CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互金属产产产产
COB Chip on Board 板上芯片
COC Chip on Chip 叠产产产芯片
COG Chip on Glass 玻璃板上芯片
CSP Chip Size Package 芯片尺寸封装
CTE Coefficient of Thermal Expansion 产产
DFP Dual Flat Package 双引脚扁产产产产产产产平封装
DIP Double In-Line Package 双列直插式封装
DMS Direct Metallization System 直接金属化系产DRAM Dynamic Random Access Memory 产产产产
3D Three-Dimensional 三产
2D Two-Dimensional 二产
EB Electron Beam 产子束
ECL Emitter-Coupled Logic 射极耦合产产
FC Flip Chip 倒装片法
FCB Flip Chip Bonding 倒装产
FCOB Flip Chip on Board 板上倒装片
FEM Finite Element Method 有限元法
FP Flat Package 扁平封装
FPBGA Fine Pitch Ball Grid Array
FPPQFP Fine Pitch Plastic QFP 窄距产
HDMI High Density Multilayer Interconnect 密度多产产
HTCC High Temperature Co-Fired Ceramic 高温共产产产陶瓷
HTS High Temperature Storage 高温产产存
IC Integrated Circuit 集成路产产
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 产
I/O Input/Output 产入/产出
IVH Inner Via Hole 内部通孔
JLCC J-Leaded Chip Carrier J引脚片
LCC Leadless Chip Carrier 无引脚片式体产产
LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier 无引脚陶瓷片式体产
LCVD Laser Chemical Vapor Deposition 光化学汽
LGA Land Grid Array 产产产区列
LSI Large Scale Integrated Circuit 产产产产
LQFP Low Profile QFP 薄形QFP
LTCC Low Temperature Co-Fired Ceramic 低温共产产产陶瓷MBGA Metal BGA 金属基板BGA
MCA Multiple Channel Access 多通道存取
MCM Multichip Module 多芯片件产产
MCM-C MCM with Ceramic Substrate 陶瓷基板多芯片
多芯片件产产
MCM-L MCM with Laminated Substrate 叠产产产产产产
MELF Metal Electrode Face Bonding 属极产产产产产产表健合MEMS Microelectro Mechanical System 微产产产产产产子机械
MLC Multi-Layer Ceramic Package 多陶瓷产产产产产封装MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit 微波产产产产产
MPU Microprocessor Unit 微产产产理器
MQUAD Metal Quad 金属四列引脚
MSI Medium Scale Integration 中模产产产产产产集成路
OLB Outer Lead Bonding 外引脚产产接
PBGA Plastic BGA 塑封BGA
PC Personal Computer 个人产产产算机
PFP Plastic Flat Package 塑料扁平封装
PGA Pin Grid Array 产产产列
PI Polymide 聚胺产产产
PIH Plug-In Hole 通孔插装
PTF Plastic Leaded Chip Carrier 塑引脚片式
PWB Printed Wiring Board 印刷产产产路板
PQFP Plastic QFP 塑料QFP
QFJ Quad Flat J-leaded Package 四产J形引脚平封装QFP Quad Flat Package 四
QIP Quad In-Line Package 四列直插式封装
RAM Random Access Memory 随机存取存
SBC Solder-Ball Connection 产产产球接
SCIM Single Chip Integrated Module 产产芯片
SLIM Single Level Integrated Module 产产产集成模SDIP Shrinkage Dual Inline Package 窄距双
SEM Sweep Electron Microscope 产产产产产产子
SMC Surface Mount Component
SOIC Small Outline Integrated Circuit 小外形封装集成路产产
SOJ Small Outline J-Lead Package 小外形J形
TBGA Tape BGA 产产BGA
TCM Thermal Conduction Module 产产
THT Through-Hole Technology 通
TPQFP Thin Plastic QFP
TSOP Thin SOP 薄形SOP
TTL Transistor-Transistor Logic 晶体管-晶管产产UBM Metalization Under Bump 凸点下金属UFPD Ultra Small Pitch Device 超窄距产产产产器
USONF Ultra Small Outline Package Non Fin 无散产产产产产产产
UV Ultraviolet 紫外光
VHSIC Very High Speed Integrated Circuit 超高速集成路产产
VLSI Very Large Scale Integrated Circuit
WLP Wafer Level Package 产产产产片封装
WSI Wafer Scale Integration 产产产产产片模集
PO. 下产
quotation 产价
WIP report 产产产度跟踪表
本征半导体中掺入少量
本征半体中掺入少量五价元素(
(2)晶体二极管(8441.1)(见附图):
> 结
> 符号:
P N
> 性能:
? 加正向电压:有
? 加反电压:只有微弱电流。反向电压到一
一定值。
>
(3)晶体三极管(8441.2)
由半导体料制成的有源三端电子器，它
> 性能:电
> 分类 双极型
单极型
? 双极型晶体
由电子空穴两种载流子共同参与导的
两种
发射极E
C
符号:
B B
E C E
C
? 单极
只一种流子(电子或空穴)参与导电的导体
管"(FET)
符号:
漏极D
栅极G
源极S
> 属-氧化物-半导
中考中的半导体
224112江苏省大丰市刘庄第二初
半导的导电性介于导体与绝缘体之间，用种材料做成的光敏电阻、热敏电、压敏电在自动控制方面的广泛应用，与之有关的试题
一、光敏电阻
例1?有一种半导体料电阻值随着光照射强的变化而明显改变，用这材料制作的电阻称光敏电阻．物理学上用“光强”个物理量来表示光弱的程度，符号为E，国际单位为坎德拉(cd)，光敏电阻的阻值R
实验次数
1
2
3
4
5
6
光强E/cd
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
光敏电阻R/Ω
36.0
18.0
12.0
7.2
6.0
（1）分析上数据，并归纳出光敏电阻的阻
（2）明将光敏电阻R、流表(量程为0～0.6A)、电压表(量程为0~3V)、开关、滑动变阻器R。(最大阻值为50Ω)和电压恒为6V的电源组成如图3
（3）在上述电路中，随电阻的变化，电流能会超过电流表的量，滑动变阻器两端电压可能会超过电压表的量程．若光敏电阻处的强在2.0cd至4.5cd范围内，为保证不超电表量程，求出滑
解??（1）由表中数据分析知，光强与光敏电阻值乘
。当E=4.0(cd)时，R=9.0(Ω)
（2）光敏
光敏电阻的阻值
查表知，光强为E=6.0cd。
（3）当E=2.0cd时，查表得R=18Ω，移动滑动变阻器，电路中最大电流为
≤0.6A，电流表不会超
≤3V?，则
≤18Ω。
当E=4.5cd时，由R=36/E??得R=8Ω
为确保电流
≤0.6A?则R0≥2Ω
所以动变阻器的阻值
二、热敏电阻
例2?究表明，些金属电的阻会随温度的变化而变化，物理中利用这类金属的特性可以制成金属阻温度计，可以用来测量很的温度，其原理如图所示。图中流表量程0～15mA（不计其电阻），电源的电压恒为3V，R′为滑动变阻器，金属电阻作为温度计的测温探头，在t≥0℃时其阻值Rt随温
（1）若要把Rt放入温度为0℃处进测量，使电流表恰好达到量程电15mA，则这时滑动变阻器R′接
（2）保持（1）滑动变阻器R′接入电路的值不变，当把测温探头Rt放到某测温度处，流表的示数恰为10mA，则此时Rt的阻值
（3）滑动变器R′接入电路的阻值变，若把电流表的电流刻度换为对的温度刻度盘，则温度刻度的特点是什
解
得R′=100Ω
（2）
得?Rt＝200Ω
由Rt=100+0.5t???代入数据得：t＝200℃
（3）①由Rt=100+0.5t知，测温探头Rt的阻值随温度的升高而增大，电流表数随之而减，所以电流刻度值越小对应的温度刻度值越大。②电
，由式可知，I?与t?之间没正比
三、压敏电阻
例3一种测人体重的子，其原理图如图3中虚线所示，它主要由三部分成：踏板和压力杠杆ABO、压力传感器R（是一个阻值可力大小而变化的电）、显示体重的仪表G（其实质是电流表）。其中AO∶BO=5∶1。已知压力
压力F/N
0
50
100
150
200
250
300
…
电阻R/
300
270
240
210
180
150
120
…
设踏板杠杆组件的质量可忽
器两端的电压
（1）该零刻度线（即踏板空载时的
（2）用表中的数据归纳出
（3）如某人站在踏板上，电流表刻盘示
解（1）依意可知，电子秤空载时力传感器受到的压力为0，由表可
。以该秤零刻度线应标在
（2）由表中
（3）
，由
，算得
，
再由
算得
半导体中的微波应用
2.45G 微
2.45 GHz Microwave
At 2.45 GHz, the RF follows the skin of the chamber, which results in complexity for coupling. Consequently, the plasma must be generated in a separate region where impedance is maintained at constant factor and parts are processed downstream.
This design results in a non-uniform plasma field across the process chamber, so several approaches are sometimes utilized to address the problem.
In the case of the microwave system, three approaches are often used. The first is to effectively turn the parts around in the plasma region (turntable design), in an
attempt to uniformly move the parts around in a non-uniform environment. Although this approach can be effective, it reduces the capacity of the process chamber.
Another approach is to speed up the movement of the active species. This is done through the implementation of larger pumps. However, this is an expensive
solution and can result in reduced dwell time of active species which, affects the results of processes requiring more aggressive
cleaning such as wire bond improvement, oxidation reduction and flip chip
applications.
A third approach to increase the
effectiveness of downstream microwave processing with the use of oxygen because of its longer life. This can be effective. However, many epoxies and metal lead frames are prone to oxidation, which eliminates the viability of this option. 13.56Mhz射频电源
The 13.56 MHz System
With an understanding of the other RF ranges, one can then evaluate the benefits of the design for the 13.56 MHz system. This frequency offers the advantage of the
increased ion energies realized at 2.45 GHz without the complications of impedance matching.
Unlike 40 KHz, a well-designed 13.56 MHz system utilizes a variable capacitancematching network. This network matches
the impedance of the chamber and plasma to the power supply at 50Ω through a system of simple, variable capacitors. This permits greater power efficiency than that found in 40 KHz systems.
With the optimization of ion density, the system provides increased control over ion energies. With the optimized ion densities and ion energies, a larger range of chamber designs can be developed, including both primary and secondary plasma systems.
The opportunity to select between ionenhanced or ion-free plasma allows for
flexibility in process development that
provides superior results in all applications.
半导体物理学——半导体中载流子的统计分布
半导体物理学
黄 整
第三章
半导体中载
热平衡状态
在定温度下, 载流子的产生 和 载流的复 建立起动态平衡 这的载流子为 合 建立起动态平衡,这时的载流子称
影 特温度 半导体的热平衡状态受 度
半导的 导电性
2
第三章
半导体中载
log 1010.00log 1020.30060log 1040.60log 60.78g 10log 1080.90log 1010
1.00
ln n i ~1/T 关系
25
第三章
半导体中载
硅的费米能级 与温
N D ↑ , E F → E C T ↑ , E F → E i
34
半 本
过渡区
半导体处
已全部电离 的杂质浓度
价带空 穴浓度
==考虑本征激发时
i n n p
0()/i C E E k T ?0()/C i E E k T
?i C n N e
=C i N n e
=0()/V i E E k T
i V n N e
?=0()/i V E E k T
V i N n e
?=有效状态密度
37
第三章
半导体中载
高温本征激发区 电
续升高,费米 能
激发区
续 降
强电离区 中间电离区
低温弱 n 型硅
电离区
41
般情 下的
一情况下载流子统计分布 含有施主和受主杂质电中
?电荷密度
(D
A
q p n p
ρ=+??电离施 电离受 空穴浓度
主浓度
电子浓度
主浓度
+?=??
()
000D
A
q p n n p
ρ+0
=00D
A
p n n p
+?+=+
00Dj Ai
j
i
p n n p
+?+=+∑∑46
