范文一:测定合金的电阻率
测定合金的电阻率
[器材,
滑动变阻器(标称值20Ω2A或50Ω1.5A)、电流表、电压表、刻度尺、卡尺(游标分度值0.1毫米)、学生电源、开关、导线。 [要求]
1(测定给出的变阻器上所绕电阻丝的合金材料的电阻率。不许将电阻丝拆下。
2(不引用变阻器上标称的电阻值,要重新测定。测量电流勿超过0.6安。
3(电阻丝的直径要测出三位有效数字。
[提示]
用伏安法测变阻器的全电阻R。电流表用0,0.6安量程,电压表用0,15伏量程,电源电压要小于15伏又能使电流表有较大示值。变阻器上的电阻丝绝大部分绕在圆瓷管上,只在两端有一小段引出线连到接线柱上。引出部分的长度l用尺粗测,误差约有几毫米。管上的电阻丝是密绕的,2
其剖面如图32所示,A为瓷管,B为电阻丝。匝数较少时可直接数出全部匝数N,匝数较多时,则用卡尺测出电阻丝绕成的螺线管总长度b,再数出n匝螺线管,测出其长度a,a宜有15,20毫米。
则绕成螺线管的电阻丝长度l=πDN。于是与测出的电阻值R相应的1
电
-7 这种合金一般为康铜,ρ值约为5.0×10欧?米。
范文二:合金的电阻率及电阻率温度系数
合金的电阻率及电阻率温度系数
物质 温度系数(1/度) 电阻率(欧
访?/FONT>)
镍铬合金(60%镍,15%铬,25%铁)? 110? 1.6×? 镍铜合金(54%铜,46%镍)? 50?
铁铬铝合金(60%4铁,30%铬,5%铝)? 140? 4×10? 锰铜合金(84%铜,12%锰,4%镍)? 48?
铍青铜? 3.52? 4×10? 磷青铜? 2.58?
黄铜? 7.1? 1×10? 钢? 9.87,14?
高电阻合金 100,130 1.7×10?
6.25×10
电解液的电导率(电阻率的倒数)
无水电解质的含量? 氯化钾 氯化钠 氯化铵 氢氧化钠 硫酸 盐酸
百分比
5? 6.9? 6.72? 9.18? 19.69? 20.85? 39.48?
10? 13.59? 12.11? 17.76? 31.24? 39.15? 63.02?
15? 20.20? 16.42? 25.86? —? 54.35? —?
20? 26.77? 19.57? 33.65? 32.70? 65.27? 76.15?
30? —? —? —? 20.22? 73.88? 66.20?
40? —? —? —? 11.64? 68.00? 51.52?
50? —? —? —? —? 54.05? —?
70? —? —? —? —? 21.57? —?
90 — — — — 10.75 —
单位:西门子访?IMG SRC="gif\image217.gif" HEIGHT=20 WIDTH=14>(欧姆
访?IMG SRC="gif\image218.gif" HEIGHT=20 WIDTH=14>)
半导体的电阻率
物质 温度电阻率(欧姆访?/FONT>) 导电类型 杂质及浓度
(K)
锗 300 本征 46×
550 本征 0.1×
300 n型 1.1× 砷,1.5×
78 n型 同上 0.17×
300 p型 3.3× 镓8×
78 p型 同上 0.33×
硅 300 本征 6.3×
300 n 型 0.07× 砷,5× 磷(黑色) 400 本征 0.33×
硒 300 p型 3.3× 空穴浓度: 砷化镓 300 n型 0.44× 碲,7.7×
77 n型 0.327× 碲,7.7×
300 p型 2.1× 锌,6.4×
77 p型 1.48× 锌,6.4× 锑化镓 300 1.0 本征
500 本征 0.5×
砷化铟 300 p型 0.14× 受主浓度:2×
1000 p型 5× 受主浓度:2×
300 n型 0.3× 施主浓度1.2×
1000 n型 5× 施主浓度1.2× 锑化铟 300 本征 5×
400 本征 1.4×
77 p型 2.8× 载流子浓度:2.9×
77 n型 0.25× 载流子浓度:7.7×
硫化辐 300 n型 0.013× 镓,5×
77 40 n型
载流子浓度:9.5×
77 1.0 n型
载流子浓度:1.7× 氧化锌 300 杂质原子比例在×以下 0.3×,1.0
碲化镉 300 锂,0.1% 3×
300 铅0.01% 1×
范文三:新型高电阻率镍基合金加工工艺研究
新型高电阻率镍基合金加工工艺研究 !
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范文四:新型高电阻率镍基合金箔材研制
新型高电阻率镍基合金箔材研制
张军良,张小明,袁晓波,郑 欣,李中奎
西北有色金属研究院陕西 西安( , , 710016)
为满足电子器件制造的需要种电阻率的 研制了 厚 厚度公差摘 要:, 1 ?1.5 μΩ?m, 0.01 mm, ?0.001 mm NiMoCrAlSiTi 镍基高电阻箔材合金成分设计采用多元少量原则在提高电阻率的同时保持良好的加工塑性在中间热处理箔材 , ; 。、
对不同处理状态合金的显微组织拉 用扫描电镜和透射电镜; ( SEM) ( TEM) 、轧制等环节采取有效措施保证了尺寸公差
测试了不同状态合金的力学和电学性能根据其结果决定采用冷轧时效的最终热 , , +伸断口和析出相进行了观察分析
处理工艺此工艺条件下合金析出弥散分布的二相粒子对提高合金的电阻率有显著贡献同时合金亦具有良好的加, , , 工性能。
加工热处理关键词:镍基合金; 高电阻率; 合金元素; 显微组织;
+文章编号:1008- 5939( 2006) 04- 020- 05 中图法分类号:TG146.15 文献标识码:A
1前 言2实验方法
2.1 工艺简介种电阻率电子行业需要应用 厚1 ?1.5 μΩ?m,
实验工艺路线为: 合金成分设计真空感应熔 ? 但目前国内度 的高电阻率镍基合金箔材0.01 mm ,
炼热挤压热轧温轧中间热处理冷轧箔 ??????合 金 电 阻 率 只 有 可资应 用 的 6J20 1.1 μΩ?m, 6J23
材轧制成品热处理?。 都不能满足使用要求, 因 合金电阻率为 1.3 μΩ?m, 合金成分设计的主要目的是通过合金化提高材 此迫切需要研制 种新的高电阻率镍基合金, 1 。 料的电阻率同时考虑材料应具有良好的加工性能, , 国外研镍基电阻合金的研究已有多年的历史, 可满足热加工及冷加工大塑性变形的要求。 究较为广泛和深入美国的镍基电阻合金牌号有几 。采用真空感应熔炼可以获得杂质含量低气孔, 、
[1, 2] 十种但最大电阻率与我国的相近, 没有电阻 夹杂等缺陷少的优质铸锭,。
通过挤压热轧进行大变形量加工可改善材料 、, 率的合金俄罗斯同类产品牌号也很多?1.5 μΩ?m ; ,
组织状态提高材料塑性, 。 其中的 合金电阻率最大达到 NiMoAlVGe , 1.5 μΩ?m,
通过温轧冷轧中间热处理可获得所需尺寸 但这 种 合 金 只 适 宜 于 拉 制 丝 材 不 适 宜 于 轧 制 箔 、、, ,
[ 3 ~ 5 ] 材 种适合于轧制箔材的新 为此作者研制了 。 , 1 公差的箔材。
型 电 阻 合 金 该 合 金 箔 材 电 阻 率 达NiMoCrAlSiTi 。 成品热处理的目的在于提高材料的电阻率热稳
?, 超过制造某电子器件的要求。 1.72 μΩm
收稿日期:2006- 03- 05
作者简介:张军良男年生高级工程师西北有色金属研究院难熔金属研究所, , 1955 , , , 陕西 西安 710016, 电话: 029- 86231082
2006 年 25 卷第 4 期 稀有金属快报21
定性 能较差本研究综合了美俄两国电阻合金添加元素 。。、
的种类及效果使各元素加入量适当减少元数有所2.2 合金元素选择 , ,
要提高材料的电阻率, 力图使电阻率增加但保持总量不增加或略有增加, 亦即改变材料的物理性
提高的同时加工性能不下降。 质, 最有效的方法是改变合金元素的组成, 但同时要
满足对可焊性相容性和加工性的要求为此对合 、, ,
表 1 新型高电阻率 N i基合金的成分 金元素进行实验性优化选择能提高镍基合金电阻 。
Table 1 C om position ofnew -style N i-based alloy 率 的 添 加 元 素 有 Cr, Mo, W, Ti, Zr, Al, Si, Mn, Co, B w ith high resistivity [6]等给出了 种 二元合金的电阻率与添图 , 1 10 NiM
元素 Ni Mo Cr Al Si Ti 加元素含量的关系曲线代表添加元素 , M 。
余 含量, w% 15~20 10~12 3~4 0.5~1 0.5~1.5
2.3 箔材厚度公差控制
由于使用场合的特殊性及电阻一致性的要求对 ,
材料的厚度公差要求十分严格即 , 0.01?0.001 mm。
为了达到这一指标必须弄清影响尺寸公差的主要 ,
因素采取相应措施, 。
2.3.1 成分分布不均匀性对公差的影响
导致各部分硬当铸锭的局部成分偏差较大时,
度相差较大, 轧制成箔材时, 则三维的局部区域变成 图 1 NiM 二元合金电阻率与元素含量的关系 近似于二维平面扩展到很大面积硬度不同变形 , , , Fig.1 Effect of elemental content on resistivityf or NiM binary alloy 能力不同就会造成箔材各部分尺寸偏差较大本实 , 。
验在合金熔炼时延长精炼时间使高熔点金属充分 , , 对提高合金的电阻率贡献越曲线的斜率越大, 熔化且通过电磁搅拌使熔体中的合金元素均匀分 ,
大, 设计合金时优先选择对电阻率贡献大的元素, 同 布消除了成分不均匀对箔材厚度尺寸的影响, 。 时考虑其对可焊性加工性相容性与环境介质的 、、( ) 2.3.2 加工过程对公差的影响影响坚持多元少量的原则设计了 六 , , NiMoCrAlSiTi 材料加工过程中需经热挤压和多次温轧及中间 元合金其中 是国内外 基电阻合金中的基本 。Cr Ni 热处理材料表面会产生较厚的氧化皮一般经酸洗 , , [6,7]添加元素且有资料表明有提高电阻率的作用 , , Cr 可去除但酸洗时易造成金属腐蚀不均使厚度偏差 , , 图 中缺少关于 的曲线从图 看出对提 ( 1 Cr ) 。1 , W 增大若在冷轧之后热处理酸洗因腐蚀不均匀亦 , 、, 高合金的电阻率有较大贡献但考虑到 与 性 , Mo W 会增加厚度公差对此采取如下的措施当板材较 。, : 质相近对电阻率贡献也较大同时与 相比, , W , Mo 厚时采取电阻炉加热水淬表面酸洗当板材厚度, , 、, 作为合金元 素 对 材 料 的 可 焊 性 和 可 加 工 性 影 响 较 较薄时采取真空退火不做酸洗对 左右的, , ; 0.1 mm 小故选 而不选 可与 形成金属间化 , Mo W。Al Ni, Cr
合物与基体中的氧碳作用生成细小的化合 , Si, Ti 、
物能净化合金提高塑性提高电阻率各元素的加 , , , 。
入量如表 所示1 。 先用直径较大的轧辊进行带材转入三十辊冷轧时,
美国中国等国家的电阻合金 常 用 系 、NiCrAl 小压下量多道次轧制, 使厚度尺寸逐渐趋于一致, 然 列含量一般控制在 以上电阻率偏低俄罗, Cr 20%, 。 当轧制到接近成后再换小直径轧辊进行轧制减薄, 斯常用 系含量一般在 以上加工性NiMoAl , Mo 23%, 从而保证了品尺寸时再换大直径轧辊多道次轧制,
尺寸公差。试验结果表明, 采取这些措施之后, 尺寸
公差达到了规定的指标。
Vol. 25, No. 4, 2006 研发与应用22
冷却过程中析出的, 颗粒尺寸较大。水淬态为等轴晶 3显微组织
组织图 其中分布有大量的孪晶片第二相颗粒 ( 2c) , ,
较少且尺寸较小孪晶组织是快速冷却时产生的, 。, 实验材料轧制到厚度 时取样进行显微0.2 mm 因冷速快第二相来不及析出形成过饱和固溶体, , , 组织的观察和分析图 是不同处理状态显微组织 。2 故第二相颗粒较少较细小冷轧时效态图 与冷 , 。( 2d) 的 照片冷轧态组织图 为平行于轧向的形 SEM 。( 2a) 轧态图 相比组织形貌变化不大这是因为时效( 2a) , , 变流线及断续的第二相颗粒属铸锭中大颗粒第二, 温度低析出相尺寸小照片分辨不出组织结构, , SEM 相破碎后形成的一串小颗粒退火态组织图 为。( 2b)
它是轧制组织等轴晶上分布着无序的第二相质点, 的细微差别, 但通过 可以观察到它们的差异TEM ,
其中的第二相颗粒是在缓慢这种显微组织的差异对性能的影响是非常明显的 回复再结晶后的形貌, 。
图 2 不同处理状态合金显微组织的 SEM 照片
Fig.2 SEM micrographs of new- style Ni- based alloy under different treated condition:( a) as cold- rolled
condition,( b) as annealed condition , ( c) as water quenched, and( d) as cold- rolled+aged
中心未腐蚀完的第二相 图 是不同处理状态拉伸断口的 照片从。3 SEM 。
图 中可以看出不同状态的断口形态略有区别退 3 , , 和图 可知比较图 4b 4c , 原始加工破碎的第二火态图 及淬火态图 韧窝较深冷轧态图( 3b) ( 3c) , ( 相与时效析出的第二相在尺寸上有很大差异 。种处理状态 及冷轧时效态图 韧窝较浅从 3a) ( 3d) 。4
的 照片中都能看到大颗粒的第二相SEM 。
4力学性能图 是冷轧态冷轧时效态及冷轧态中大颗粒 4 、+
第二相破碎后的 照片从图 中可以看到冷轧 TEM 。4
形成的剪切滑移线及孪晶片图 时效状态可看 ( 4a) , 考虑到轧制成品厚度太薄难以制样进行力学, , 到弥散分布的第二相颗粒图 分析第二相 ( 4b) , XRD 性能测试, 故在轧到 厚时取样进行拉伸检0.2 mm 组成为 等 谱图未给出NiAl, CrAl, TiAl, TiC ( XRD ) 。 验不同处理状态的拉伸性能结果列于表 , 2。 图 为冷轧态大颗粒第二相腐蚀后形成的孔洞及4c
从拉伸试验结果可以看出该材料冷加工态强 ,
度较高塑性较差时效处理对强度影响不大退火, , ,
2006 年 25 卷第 4 期 稀有金属快报23
图 3 不同处理状态拉伸断口的 SEM 照片
a) as cold- rolled, Fig.3 SEM micrographs of tensile fracture surface of new- style Ni- based alloy:(
( b) as annealed condition,( c) as water quenched, and( d) as cold- rolled+aged
图 冷轧态时效态照片冷轧 及破碎的第二相颗粒的 ( ( 4 a, ×50 k) 、+ b, ×50 k) ( c, ×20 k) TEM
Fig.4 TEM micrographs of new- style Ni- based alloy:( a) as cold- rolled condition,
( b) as cold- rolled+aged condition, and( c) breaked second phase particle 表 2 不同状态 N iM oC rA lS iTi合金箔材的力学性能 5电学性能Table 2 M echanicalproperties of NiM oC rA lS iTifoil
underdifferentcondition 不同状态下的 箔格的电阻率测试NiMoCrAlSiTi 状态 冷轧 退火 水淬 冷轧时效退火时效+ + 结果如表 所示3 。 σ/MPa 1 440 1 150 1 005 1 500 1 195 b
1 285 680 772 σ/MPa647 - 0.2表 3 不同状态 N iM oC rA lS iTi箔材的电阻率 δ/%2.85 13 21.5 0.4 18 Table 3 R esistivity ofN iM oC rA lS iTifoilunder
differentcondition 之后强度降低, 塑性大幅度提高, 由此可知该材料退 状态 冷轧 退火 冷轧时效退火时效 水淬 水淬时效+ ++ 火后具备良好的加工性能水淬状态强度更低塑性 , , 电阻率 1.42 1.72 1.48 1.49 1.53 1.52 更好更有利于压力加工, 。 /μΩ?m
Vol. 25, No. 4, 2006 研发与应用24
Materials, 2004, 13( 4) : 1 149~1 153 从表 中看出冷轧时效态电阻率最高且工3 , +,
宋 广 平 Song Guanping( ) .Research of EB- PVD Preparing 艺简单易行水淬态及水淬时效态电阻率也达到指 , +[2]
Method and Heat Treatment Process of Ni- Based Superalloy 标要求但水淬态表面氧化对箔材而言不宜采用, , 。
基 高 温 合 金 薄 板 的 制 备 方 法 及 热 处Sheet ( Ni EB- PVD 分析组织结构对电阻率的影响可以得出时效,
理工艺研究) [D].Haerbin: Haerbin Universityo f Technology, 处理导致析出弥散分布的第二相属于电的不良导, 体或绝缘体对提高合金的电阻率贡献较大, 。 2004
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Zhang Junliang, Zhang Xiaoming, Yuan Xiaobo, Zheng Xin, Li Zhongkui
( Northwest Institute for Nonferrous Metal Research, Xi’an 710016, China)
Abstr act : In order to meet the demands of engineering project, the nickel base high resistance foil material with resistivity not less than 1.5 μΩ?m, thickness size of 0.01 mm has produced.The alloying component design is on the principle of low alloying with multiple el- ements, which can enhance both resistivity and plasticity.During the intermediate annealing, foil material rolling, the effective action has been taken to guarantee the size tolerance; Combining cold rolling with aging treatment as the final heat treatment, one greatly increase the resistivity of materials.Using optical microcopy, SEM, TEM, and mechanical test, the relationship between the processing, the mi- crostructure and the performance of materials has been analyzed. Keywor ds: Ni- based alloy; high resistivity; alloying element; microstructure; processing and heat treatment
Biography: Zhang Junliang, Senior Engineer, Refractory Metals Research Centre, Northwest Institute for Nonferrous Metal Research.
Xi’an 710016, P.R. China. Tel: 0086- 29- 86231082
范文五:AgCuCe合金的电阻率研究
2014年11月 NoV 2014 贵金属 Prccious 、,01(35(No (S1第35卷第s1期 Metals
Ag—Cu-Ce合金的电阻率研究
柳青,王健,武海军,李强,贺晓燕,卢绍平4
(贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室,昆明650106l 摘要:利用扫描电镜、双臂电桥法分析了加工变形量和退火温度对Ag-Cu-Ce合金电阻率的影响。 结
果表明:Ag(c小ce合金的电阻率随着加工变形量的增加而增大,cu的加入使Ag《e合金电阻率稍有升高;当退火温度大于600?时,Ag(cu(ce合金的电阻率急剧升高,电性能变差。 关键词:金属材料;银铜铈合金;银铈合金;电阻率
中图分类号:TGl46(3+2 文献标识码:A 文章编号:l?4?676(2014)sl-0080—蚪 the The on Stlldy ResistiV埘ofAg《u。Ce Alloys
LIU Qillg,?厂ANG Jiall,、 H)l面,llIlU, Qianu蜀HE Xiaoy细,LU SIIa叩iIlg‘
for (s协te Key L舢ratory ofAdV如ccd砥bn0109ics Co血衅hcnsive删 ofPlalizabon血咖Metals ,
Sino-P1a:【inurn Me诅lg Co(Ltd(,砭1瑚曲 650106g,ChiI】 a) e丘bct on tbe Abstract:The resisti“ty ofAg—ofm8chiniDg defo瑚adon锄d柚nealing ternperatllre was mstLldied dec廿( on by sca曲五g II】icmscopjc(sEM)and double嘶dgc Cu_Ce anoys劬}od(The results indicated that me of incre船ed wim of resistivity aIIoys illcreasiIlg A哥Cu(Ce
def0咖adon,也e machiniIlg cu iIl of add砸叩of a110ysAg—Ce alloys硫reased i诒resis 州slity曲ny’aIld也 rcsisdVe矗y Ag?ClI?ce
wben the is the clec(嘶cal th锄600?,11】en propenies ilT】proved sha叩ly annealing teInperature lligher becarrle worse(
words:metal 1(ey matcrials;silve卜coppe?甜砌alloys;siIver-ceri 啪alloys:resisti、rity
48,抗拉强度提高了178 MPa,再结晶温度提高150 选择Ag—RE合金中最具有代表性的Ag,e合金
【1。2j作为研究对象,通过添加适量的cu元素,增加其 ?左右,同时A哥Ce触头的抗裂纹扩展能力、抗
移能力和耐磨性能得郅改善,减少了溅射损耗,增 转 强度、耐磨性、耐热性和耐电蚀能力,使之兼有较 加使用寿命。本文将重点考察加工变形量和退火温 好的机械性能与电接触性能。新开发的Ag—cu-Ce电
接触材料结合了Ag—ce合金与Ag_Cu合金的优点,不 度对Ag-Cu_Ce合金的电阻率影响。 仅可代替
Ag(ce合金和部分含镉材料使用,还可制l 成层状复合材料作为滑动触头使用。 实验部分
文献"1研究报道了cu对Ag—ce合金的机械性
能、再结晶温度、触头电弧侵蚀形貌特征、组织与 1(1样品制各 结构等影响。研究表明:Ag(Ce合金
以纯度(质量分数)为99(99,的Ag和99,95,中添加CIl后, cu、Ce作原料(合金的理论成分设计如表l所的 基体为Ag(cu)固溶体,晶粒较小,基体上弥散分布
着许多共晶析出的伊Cu和A94Ce颗粒,Cu的加入改 配料,放入40kw真空中频炉内,抽真空充示)
炼并浇铸圆锭,经过冷轧和冷拉,最 氩,熔 善了A94Ce的偏析现象,AgCe合金硬度Hv提高了 终得到丝材样 收稿日期:2014-07(31 基金项目:云南省科研院所技术开发专项(2006KFzX_13)、2009年国家科技部科研院所技术开发专项。 第一作者:柳青,男,工程师。研究方向:贵金属台金材料。E 恤il:蛀哪m96l@ipm,c。m?+通讯作者:卢绍平,男,高级工程师,研究方向:贵金属合金及其复合材料。E-man: l唧@扣唧(c锄(cn
8l第s1期 柳青等:Ag(cun合金的电阻率研究 品。为保证Ce有效添加,熔炼时Ce的加入量略大 为试样横截面面积,叫n2;L为试样长度:
cm。 于名义含量,并用银箔包好加入经多次抽真空除气
的熔液内。 2结果与讨论 表1 Ag,e和Ag《u-ce试样理论成分含量 2(1变形量对Ag-Cu(Ce合金的电阻率影响 hb(1 冷加工变形会使金属材料的晶格产生畸变,晶s蚰IpIes Composm蚰s ofAg《e a耐Ag,l卜Ce
粒破碎,位错密度增加,最终导致电子散射机率增
大,故而合金电阻率随加工变形量增大而增加【61。
图2为加工变形量对Ag—Cu-ce合金的电阻率影
响。 1(2实验方法及仪器
xL30 EsEM(TMP型扫描电镜观采用Philips
察 金相样品。用双臂电桥法(如图l所示)在
QJ36型 单双臂两用电桥上测定样品的电阻率。测
量时的温 度为17,19?,测量精度为O,02,。测
试样品为经过帖80,变形量拉拔和30?700?,o(5 h退火后的 丝
材。 B
图2变形量对船cu《e合金的电阻率影
响
rate on E仃佻t of deforming r髂is6ViFig(2 时
ofAg,u-ce蚰oy 从图2可以看出,在相同变形量下,Agcu-
合金的电阻率大于A暑(ce合金。Ag(cu(cece 电阻率在软态时为1(88 uQ?cm,变形量为合金的
80,时达到最大值2(I uQ?cm,总增加率为11(7,,冷加工变 图l双电桥电路图
d他un 形使Ag(Cu(Ce合金电阻率大幅度增加。而Ag—ce F遮(|Double bridge m量gram
合金的电阻率在变形量为10,时达到最小值1(65
uQ?cm,变形量为80,时达到最大值1(8肛Q?cm, 双电桥法要求样品平直、光滑、尺寸均匀。图
总增加率为9,,冷加工变形使Ag(Ce合金电阻1中Rl、置2、R3、皿为可调电阻,只x为待测电阻,
稍有增加。 RN为标准电阻,,l、r2、r3、,4及r为引线电阻,在 电桥设计中取月i堰2咄3填4,并率
Ag(cu(Ce合金的电阻率增加幅度较Ag,e将这些电阻值设计得
金大。为考察电阻率与合金物相结构的关系,对 较大,由于引线电阻很小,一般忽略不计,因此 合 Ag—Ce、Ag(cu-Ce合金进行了金相观察,如图3、月X:R嘏1偎2。然后根据公式(1)计算电阻率:
4所示。p=RxS儿 (1)
式中,p为电阻率,心!?cm:败为试样电阻, n:S
贵金属 第35卷 图3 Ag—ce合金不同处理态金相
structun under dim他nt Fig( 3Metau 嶂mtm矗tment conmtions ofAg-Ce枷oy
图4 Ag-cu—ce合金不同处理态金相
str(1ct( 1nunder mm咖t treat眦 ntconm廿仰s Fig( 4Met枷u嚼cal ofAg-Cu正e枷oy 从图3(a)和图4(a)可知,Ag,u(ce合金中有大 由图5可知,随着退火温度的升高,Ag(ce量弥散分布的第二相粒子及固溶的cu原子,它们 金和Ag—Cu(ce合金的电阻率开始降低,当退火合 度高于再结晶温度时Ag(ce合金和Ag(cu(Ce合温 使合金加工变形后产生的空位、位错和层错等晶体 的再结晶温度分别为450?和600?【3】电阻率升高, 金 缺陷大大增加,电子定向流动时被这些缺陷散射而
使电阻的增加率较大。 即Ag(Ce合金在退火温度大于600?时,材料的2(2退火温度对Ag-cu,e合金的电阻率影响 阻率随着温度的增加变化较小,而Ag(Cu(Ce合电 金
图5显示了退火温度对Ag(cu(Ce合金的电阻 却大幅增加。在相同热处理条件下,Ag(Cu(Ce合金 率影响。 的电阻率明显大于Ag(Ce合金。这主要因为材料
的 组织结构不同引起的,Ag(Cu(ce合金基体由Ag(cu)固溶体组成,固溶在合金中的cu原子增加了对电
子的散射作用,使电阻率增大。
Ag(Ce合金通过退火可以减少或消除因冷加
工 变形产生的缺陷(如图3(b)所示),电阻率相应降 低。而Ag—CuCe合金在?600?的范围内退火,随着温
度升高电阻率下降。一方面Ag(cu(ce合金中位
的消失或重排,显微结构内部缺陷减少(如图错
所示),小的无畸变晶粒逐渐取代了位错密度4(b) 很高的 冷变形晶粒,电阻率下降:另一方面,
伊cu和Ce化合物从Ag基体中析出,减小了由于Cu、Ce固
图5退火温度对Ag-cu-ce合金的电阻宰影响 引起的晶格散射。在o~600?范围内随着温度的升 溶 0f E幅比t of on Fig(5 an?eaUng temperatIIn msis6vity 高,合金元素cu从固溶体中的析出更加充分,
Ag-Cu-Ce 出相也更易聚集长大,使得导电性能变好,电阻率 aU0y 析
第sl期 柳青等:Agcu-ce合金的电阻率研究 下降。当退火温度大于600?时,
土,1981(1):28— 32(析出相聚集,并0n zhao X(Rearch elec嘶cal H,Lu B,Liu Ag?Ce 伴随有析出相在晶界处富集,cu固溶到基体中,由 RAre Earchs contact 杂质等引起的散射电阻增加,导致电阻率急剧升高, m砷啦al【J】(chinese 1981(1):28-
贺晓燕,周世平,王健,等(Cu对Agce合金机32( 电性能变差。所以为了使Agcu(ce合金获得较佳 [3 】械性能
的强度和电性能搭配,合金的退火温度不应高于 及再结晶温度的影响田(贵金属,2008,29(2):ll—
ofcu 0n毋14( 600?。 HcX,Zhou S,、)l虹 J,getal,E彘ct
ecbanical
recry:姐lliza te曲珥n)emt毗e ofAgCe alloy pr叩e币es锄d
3 结论 明(Precjous Metals,2008,29(2):11-14 (
贺晓燕,周世平,王健,等(Cu对Ag-0(5,触头电弧t41
侵 蚀形貌特征的影响【J】(贵金属,2009,30(L) :17-21((1)Ag—cu—ce合金的电阻率随着变形量的增 a1(En奄ct of Cu on鲫rf如eHe X,Z110u J,et 加而增大,Cu的加入使Ag—ce合金电阻率稍有升高。 S,W锄g
arc erosion of 唧h0109y心 erAg—O(5Ce Contact阴( (2)当退火温度大于600?时,Ag?cu—ce合金 Precious Metals,2009,30(I): 17-2l的电阻率急剧升高,电性能变差。为了使Ag(cu(Ce
俞建树,贺晓燕,周世平,等(Cu对Ag?Ce合金组织与合金获得较佳的强度和电性能搭配,Ag(Cu-Ce合金 【 5】 的退火温度不应高于600?。 结构之影响叨(贵金属,2013, 34(3):37舶
Yu a1(E位ct ofCu addition on血e J,HeX,zIIou S,et
?Iicros臼u 咖r;e参考文献: ofA哥Ce a2loys田(P 吲Me掘ous2s,2013, [1] 杨应魁,费家祥,王永根(Agce电触头线材的制备【J]( 34(3): 37舶(
电工材料,2005(3):15 —17(【 6】】(电工合金, 黄锡文(电触头材料的导电性探讨IJFei wi托for ‰gY J,w抽g Y(Pr印anmonofAgce aIloy 1998(3):26— 32(
elenrical contact ElectTical x Re缸ch on elec硒cal ele嘶 calEngiIl?ring matedals[J] (Hu柚g con“ctiv毋of Materials,2005(3):15-17( contact Elec?ical n硷oerials 【J](A1loy,Engineering [2] 1998f3):26—32(赵怀志,卢邦洪,刘雄(银铈电接点材料的研究[J】(稀