范文一:载流子的漂移运动
载流子的漂?移运动
2010-03-12 20:08:37| 分类: 微电子物理 | ?标签: |字号大中小? 订阅
(什么是漂移?速度,什么是迁移?率,)
作者:Xie M. X. (UESTC?,成都市)
(1)热运动和漂?移运动:
载流子在没?有受到任何?驱动(即无浓度梯?度,也无电场)时,它就进行着?无规的热运?动。热运动的特?点:?没有方向性?;?不断遭受散?射;?具有一定的?热运动能量?和热运动速?度(vth),在温度T时?即满足:(1/2)m*vth2=(3/2)kT,其中m*是载流子有?效质量。在室温下,vth?107cm?/s。
在有外电场?作用时即发?生漂移运动?。漂移运动的?特点:?沿 着电场的方?向运动——定向运动;?漂移运动是?叠加在热运?动基础之上?的一种定向?运动,因此漂移运?动的速度——漂移速度必?然小于热运?动速度;?在漂移过程?中将 不断遭受散?射(否则漂移速?度将变成?)。连续两次散?射之间的行?走距离称为?平均自由程?,相应的行走?时间称为平?均自由时间?(t)。
(2)漂移速度和?迁移率:
若电场强度?为E,则由动量平?衡关系可以?给出平均漂?移速度vd?为:vd = qtE/m*.
可见,漂移速度与?电场成正比?,其比例系数?就是载流子?的所谓迁移?率μ:μ=?vd/E= qt/m*.
这就是说,载流子迁移?率就是单位?电场作用下?、所产生的平?均漂移速度?,单位是[cm2/V-s]。迁移率即表?征着载流子?在电场作用?下加速运动?的快慢。
(3)迁移率与散?射的关系:
平均自由时?间t即为散?射几率的倒?数。载流子迁移?率的大小与?平均自由时?间t有关,即载流子在?运动过程中?遭受散射的?情况起着很?大的作用。引起散射载?流子的因素?称为散射中?心。散射中心浓?度越大,载流子的平?均自由时间?就越短,迁移率也就?越低。
半导体中对?载流子起散?射作用的散?射中心主要?是声子(晶格振动的?能量量子)和电离杂质?中心。温 度越高,声子数量就?越多。因此,在室温及其?以上的温度?下,声子散射起?主要作用,则迁移率将?随着温度的?升高而下降?(一般是T-3/2规律);而在较低温?度 下,因为声子数?量较少,则电离杂质?中心散射起?主要作用,于是随着温?度的升高,载流子速度?增大,将导致迁移?率随之而上?升(一般是T3?/2规律)。
为了提高迁?移率,就应该减少?散射中心浓?度和降低温?度。因此,在低温下,如果排除了?电离杂质中?心散射影响?的话,那么就可以?获得非常高?的迁移率;在调制掺杂?异质结势阱?中的电子就?是这样一种?情况,这些电子具?有高得多的?迁移率,被称为高迁?移率的二维?电子气。
注意,排列很规则?、静止不动的?晶格原子并?不散射载流?子,即晶格原子?本身并不是?散射中心~正因为如此?,所以载流子?的平均自由?程通常是晶?格常数的数?十乃至数百?倍。
迁移率除了?与散射几率?有关以外,还与载流子?有效质量有?关,即与能带结?构有关。
(4)漂移速度与?电场的关系?:
在低电场下?,迁移率m为?常数,则漂移速度?与电场成正?比(vd?E),即欧姆定律?成立;但是在强电?场下,由于载流子?获得很大的?动能(大于热能k?T),成为了热载?流子,就可能把能?量转移到晶?格上去,即可以产生?出光学波声?子,而载流子本?身的速度就?不再升高——达到饱和,即为饱和速?度vdsa?t,如图2所示?。注意,饱和速度v?dsat接?近(但小于)热运动速度?;在室温下,即约为10?7cm/s。
漂移速度-电场关系可?以采用许多?经验公式来?表示,例如:vd=μE/[1+(μE/vdsat?)].
可见,在低电场下?,漂移速度与?电场成正比?(vd=μE);而在强电场?时,因为漂移速?度不再与电?场成正比,所以载流子?的迁移率概?念即失去了?意义,这时应该采?用恒定的漂?移速度
(vd=μE)来表征漂移?运动。
对于Si、Ge等单能?谷半导体,其中的电子?和空穴的迁?移率确实有?图2的关系?。但是对于 GaAs等?双能谷半导?体,虽然其中空?穴迁移率的?情况与图2?的相似,然而其中电?子迁移率的?关系却有所?不同。因为当电场?较强、使得电子获?得较高能量?时,即可以 从有效质量?小的低能谷?跃迁到有效?质量大的高?能谷上面去?,并导致漂移?速度下降,即产生负电?阻,如图3所示?。这种转移电?子效应所产?生的负电阻?是Gunn?二极管工作?的物理基础?。
(5)漂移与扩散?的联系:
漂移和扩散?是载流子的?两种重要的?定向运动,并且都是叠?加在热运动?基础之上的?定向运动,在运动 过程中都要?遭受散射,定向的速度?也都小于热?运动速度;其不同点仅?在于驱动机?理不同(漂移是电场?牵引的作用?,扩散是浓度?梯度驱使的?作用),则表征的参?量不同 (漂移用迁移?率m,扩散用扩散?系数D)。
对于同一种?载流子而言?,这两种定向运动之间必??然有着内在?的联系,漂移快者,扩散也必然?快,反之亦然。这种联系也?就是Ein?stein?关系:D?=?(kT/q)μ. 在室温下,扩散系数(cm2/s)约为迁移率?的0.026倍。扩散系数与?温度的关系?也同迁移率?的温度关系?一致。
范文二:载流子的漂移运动
载流子的漂移运动
(什么是漂移速度,什么是迁移率,)
作者:Xie M. X. (UESTC,成都市)
(1)热运动和漂移运动:
载流子在没有受到任何驱动(即无浓度梯度,也无电场)时,它就进行着无规的热运动。热运动的特点:?没有方向性;?不断遭受散射;?具有一定的热运动能量和热运动速度(vth),在温度T时即满足:
(1/2)m*vth2=(3/2)kT,其中m*是载流子有效质量。在室温下,vth?107cm/s。
在有外电场作用时即发生漂移运动。漂移运动的特点:?沿着电场的方向运动——定向运动;?漂移运动是叠加在热运动基础之上的一种定向运动,因此漂移运动的速度——漂移速度必然小于热运动速度;?在漂移过程中将不断遭受散射(否则漂移速度将变成?)。连续两次散射之间的行走距离称为平均自由程,相应的行走时间称为平均自由时间(t)。
(2)漂移速度和迁移率:
若电场强度为E,则由动量平衡关系可以给出平均漂移速度vd为:vd = qtE/m*.
可见,漂移速度与电场成正比,其比例系数就是载流子的所谓迁移率μ:μ = vd/E= qt/m*.
这就是说,载流子迁移率就是单位电场作用下、所产生的平均漂移速度,单位是[cm2/V-s]。迁移率即表征着载流子在电场作用下加速运动的快慢。
(3)迁移率与散射的关系:
平均自由时间t即为散射几率的倒数。载流子迁移率的大小与平均自由时间t有关,即载流子在运动过程中遭受散射的情况起着很大的作用。引起散射载流子的因素称为散射中心。散射中心浓度越大,载流子的平均自由时间就越短,迁移率也就越低。
半导体中对载流子起散射作用的散射中心主要是声子(晶格振动的能量量子)和电离杂质中心。温度越高,声子数量就越多。因此,在室温及其以上的温度下,声子散射起主要作用,则迁移率将随着温度的升高而下降(一般是T-3/2规律);而在较低温度下,因为声子数量较少,则电离杂质中心散射起主要作用,于是随着温度的升高,载流子速度增大,将导致迁移率随之而上升(一般是T3/2规律)。
为了提高迁移率,就应该减少散射中心浓度和降低温度。因此,在低温下,如果排除了电离杂质中心散射影响的话,那么就可以获得非常高的迁移率;在调制掺杂异质结势阱中的电子就是这样一种情况,这些电子具有高得多的迁移率,被称为高迁移率的二维电子气。
注意,排列很规则、静止不动的晶格原子并不散射载流子,即晶格原子本身并不是散射中心~正因为如此,所以载流子的平均自由程通常是晶格常数的数十乃至数百倍。
迁移率除了与散射几率有关以外,还与载流子有效质量有关,即与能带结构有关。
(4)漂移速度与电场的关系:
在低电场下,迁移率m为常数,则漂移速度与电场成正比(vd?E),即欧姆定律成立;但是在强电场下,由于载流子获得很大的动能(大于热能kT),成为了热载流子,就可能把能量转移到晶格上去,即可以产生出光学波声子,而载流子本身的速度就不再升高——达到饱和,即为饱和速度vdsat,如图2所示。注意,饱和速度vdsat接近(但小于)热运动速度;在室温下,即约为107cm/s。
漂移速度-电场关系可以采用许多经验公式来表示,例如:vd=μE/[1+(μE/vdsat)].
可见,在低电场下,漂移速度与电场成正比(vd=μE);而在强电场时,因为漂移速度不再与电场成正比,所以载流子的迁移率概念即失去了意义,这时应该采用恒定的漂移速度(vd=μE)来表征漂移运动。
对于Si、Ge等单能谷半导体,其中的电子和空穴的迁移率确实有图2的关系。但是对于GaAs等双能谷半导体,虽然其中空穴迁移率的情况与图2的相似,然而其中电子迁移率的关系却有所不同。因为当电场较强、使得电子获得较高能量时,即可以从有效质量小的低能谷跃迁到有效质量大的高能谷上面去,并导致漂移速度下降,即产生负电阻,如图3所示。这种转移电子效应所产生的负电阻是Gunn二极管工作的物理基础。
(5)漂移与扩散的联系:
漂移和扩散是载流子的两种重要的定向运动,并且都是叠加在热运动基础之上的定向运动,在运动过程中都要遭受散射,定向的速度也都小于热运动速度;其不同点仅在于驱动机理不同(漂移是电场牵引的作用,扩散是浓度梯度驱使的作用),则表征的参量不同(漂移用迁移率m,扩散用扩散系数D)。
对于同一种载流子而言,这两种定向运动之间必然有着内在的联系,漂移快者,扩散也必然快,反之亦然。这种联系也就是Einstein关系:D = (kT/q)μ. 在室温下,扩散系数(cm2/s)约为迁移率的0.026倍。扩散系数与温度的关系也同迁移率的温度关系一致。
范文三:[宝典]载流子的漂移运动
载流子的漂移运动
2010-03-12 20:08:37| 分类: 微电子物理 | 标签: |字号大中小 订阅
(什么是漂移速度,什么是迁移率,)
作者:Xie M. X. (UESTC,成都市)
(1)热运动和漂移运动:
载流子在没有受到任何驱动(即无浓度梯度,也无电场)时,它就进行着无规的热运动。热运动的特点:?没有方向性;?不断遭受散射;?具有一定的热运动能量和热运动速度(vth),在温度T时即满足:(1/2)m*vth2=(3/2)kT,其中m*是载流子有效质量。在室温下,vth?107cm/s。
在有外电场作用时即发生漂移运动。漂移运动的特点:?沿 着电场的方向运动——定向运动;?漂移运动是叠加在热运动基础之上的一种定向运动,因此漂移运动的速度——漂移速度必然小于热运动速度;?在漂移过程中将 不断遭受散射(否则漂移速度将变成?)。连续两次散射之间的行走距离称为平均自由程,相应的行走时间称为平均自由时间(t)。
(2)漂移速度和迁移率:
若电场强度为E,则由动量平衡关系可以给出平均漂移速度vd为:vd = qtE/m*.
可见,漂移速度与电场成正比,其比例系数就是载流子的所谓迁移率μ:μ= vd/E= qt/m*.
这就是说,载流子迁移率就是单位电场作用下、所产生的平均漂移速度,单位是[cm2/V-s]。迁移率即表征着载流子在电场作用下加速运动的快慢。
(3)迁移率与散射的关系:
平均自由时间t即为散射几率的倒数。载流子迁移率的大小与平均自由时间t有关,即载流子在运动过程中遭受散射的情况起着很大的作用。引起散射载流子的因素称为散射中心。散射中心浓度越大,载流子的平均自由时间就越短,迁移率也就越低。
半导体中对载流子起散射作用的散射中心主要是声子(晶格振动的能量量子)和电离杂质中心。温 度越高,声子数量就越多。因此,在室温及其以上的温度下,声子散射起主要作用,则迁移率将随着温度的升高而下降(一般是T-3/2规律);而在较低温度 下,因为声子数量较少,则电离杂质中心散射起主要作用,于是随着温度的升高,载流子速度增大,将导致迁移率随之而上升(一般是T3/2规律)。
为了提高迁移率,就应该减少散射中心浓度和降低温度。因此,在低温下,如果排除了电离杂质中心散射影响的话,那么就可以获得非常高的迁移率;在调制掺杂异质结势阱中的电子就是这样一种情况,这些电子具有高得多的迁移率,被称为高迁移率的二维电子气。
注意,排列很规则、静止不动的晶格原子并不散射载流子,即晶格原子本身并不是散射中心~正因为如此,所以载流子的平均自由程通常是晶格常数的数十乃至数百倍。
迁移率除了与散射几率有关以外,还与载流子有效质量有关,即与能带结构有关。
(4)漂移速度与电场的关系:
在低电场下,迁移率m为常数,则漂移速度与电场成正比(vd?E),即欧姆定律成立;但是在强电场下,由于载流子获得很大的动能(大于热能kT),成为了热载流子,就可能把能量转移到晶格上去,即可以产生出光学波声子,而载流子本身的速度就不再升高——达到饱和,即为饱和速度vdsat,如图2所示。注意,饱和速度vdsat接近(但小于)热运动速度;在室温下,即约为107cm/s。
漂移速度-电场关系可以采用许多经验公式来表示,例如:vd=μE/[1+(μE/vdsat)].
可见,在低电场下,漂移速度与电场成正比(vd=μE);而在强电场时,因为漂移速度不再与电场成正比,所以载流子的迁移率概念即失去了意义,这时应该采用恒定的漂移速度(vd=μE)来表征漂移运动。
对于Si、Ge等单能谷半导体,其中的电子和空穴的迁移率确实有图2的关系。但是对于 GaAs等双能谷半导体,虽然其中空穴迁移率的情况与图2的相似,然而其中电子迁移率的关系却有所不同。因为当电场较强、使得电子获得较高能量时,即可以 从有效质量小的低能谷跃迁到有效质量大的高能谷上面去,并导致漂移速度下降,即产生负电阻,如图3所示。这种转移电子效应所产生的负电阻是Gunn二极管工作的物理基础。
(5)漂移与扩散的联系:
漂移和扩散是载流子的两种重要的定向运动,并且都是叠加在热运动基础之上的定向运动,在运动 过程中都要遭受散射,定向的速度也都小于热运动速度;其不同点仅在于驱动机理不同(漂移是电场牵引的作用,扩散是浓度梯度驱使的作用),则表征的参量不同 (漂移用迁移率m,扩散用扩散系数D)。
对于同一种载流子而言,这两种定向运动之间必然有着内在的联系,漂移快者,扩散也必然快,反之亦然。这种联系也就是Einstein关系:D = (kT/q)μ. 在室温下,扩散系数(cm2/s)约为迁移率的0.026倍。扩散系数与温度的关系也同迁移率的温度关系一致。
范文四:载流子的扩散运动
载流子的扩散运动
(什么是扩散系数,什么是扩散长度,)
作者:Xie M. X. (UESTC,成都市)
扩散是粒子在混乱热运动(布朗运动)基础之上的、在浓度梯度驱动之下的一种定向运动。半导体中载流子的扩散与原子的扩散不同;少数载流子与多数载流子的扩散也不相同。
(1)载流子扩散与原子扩散的区别:
半导体中载流子的扩散与原子的扩散,都是依靠浓度梯度所产生的一种定向运动;扩散流密度与浓度梯度成正比,其比例系数就是扩散系数(表征着扩散的快慢,单位是cm2/s)。但是载流子扩散与原子扩散的机理不同。
载流子扩散是在不断遭受散射的情况下所产生的定向运动;而原子扩散是在晶体热缺陷的帮助下所产生的定向运动。一般来说,温度越高,载流子遭受晶格振动的散射就越厉害,则扩散越慢;只有在低温下,晶格振动散射不大时,扩散才是随着温度的升高而加快(因为载流子的动能增加所致)。
而对于原子的扩散,温度越高,晶体热缺陷就越多(有指数关系),则扩散就越快;在低温下,几乎不产生热缺陷,则扩散也就慢得几乎无法进行。在热扩散技术中,就是通过高温来进行掺杂的(掺入施主或者受主杂质原子)。
(2)少数载流子扩散:
半导体载流子的扩散,主要是发生在少数载流子一方,而多数载流子的扩散往往可以忽略。
因为半导体电中性的要求,只有少数载流子才能形成一定的浓度梯度,并且尽管少数载流子浓度很小,但是却可以产生很大的浓度梯度。并因此少数载
流子的扩散运动可以导致出现很大的电流、热流等。BJT就是依靠少数载流子工作的器件,其工作电流可以达到数百安培;而依靠多数载流子工作的场效应晶体管(FET),其工作电流却不一定很大。
也是由于半导体电中性的要求,多数载流子一般难以形成浓度梯度。所以可以忽略多数载流子的扩散;但是多数载流子的漂移运动却很重要,因为在电场作用下所产生的漂移电流是与载流子浓度本身成正比的。
(3)非平衡少数载流子的扩散:
存在浓度梯度的少数载流子主要是非平衡少数载流子。虽然半导体由于电中性的要求,其中两种非平衡载流子的浓度及其梯度总是相等的(即Dn=Dp,d(Δn)/d(Δp)),但是可以从以下两个方面来说明,为什么非平衡少数载流子很重要,而非平衡多数载流子往往可以忽略。
?浓度大小:非平衡少数载流子的浓度要远大于平衡少数载流子的浓度;而非平衡多数载流子浓度要远小于平衡多数载流子的浓度。
?生存时间:非平衡载流子是不稳定的,将会复合消失,该消失过程的时间即为非平衡载流子的平均生存时间。少数载流子的生存时间也就是其寿命,可以比较长(决定于能带结构和复合机理);而非平衡多数载流子的生存时间也就是其介电弛豫时间,一般都很短(约为10-14s,多数载流子浓度越大,该时间就越短)。
所以,非平衡载流子通常也就是指的少数载流子。并且载流子的扩散和寿命,也都是指的少数载流子的扩散和寿命。
(4)少数载流子扩散长度:
由于少数载流子存在一定的寿命,因此,少数载流子在扩散的过程中,必将一边扩散、一边复合,待走过一段距离后少数载流子也就完全消失了,这一段扩散运动的时间也就是其寿命,走过的这一段距离也就是所谓扩散长度。
显然,扩散越快、寿命越长,则扩散长度就越大。若扩散系数为D、寿命为t,则扩散长度L为:L=(Dt)1/2。
扩散长度是少数载流子的一个重要特征参量。p-n结两边的扩散区厚度也就是扩散长度的大小;BJT的基区宽度应该小于扩散长度,才能有较好的放大性能。
(5)Einsten关系:
载流子的扩散与漂移,都是一边遭受散射、一边前进的一种定向运动;这两种定向运动之间必然存在着关联。表征扩散快慢的参量是扩散系数D,表征漂移快慢的参量是迁移率μ,扩散与漂移之间的关系就由Einsten关系来表示:D=(kT/q)μ。
迁移率与温度等的关系,可通过对散射过程的分析而得到,从而扩散系数与温度等的关系,即可由Einsten关系而得知。
范文五:载流子 答过的问题
知乎
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粉丝多了,方意识到应警言慎行,原先脾气略暴,在此向大家道歉。
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作为长得帅气的女生是一种怎样的体验?
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作为一位后宫佳丽三千的妹子,这个问题必须不要脸的强答(*/ω\*) 小时候特别痴迷武侠和《太极宗师》于是特别中二的去学武了。 于是作为全校唯一一个有8块腹肌'汉子'和同桌那个花美男作为XX中双美。 给你形容下同桌: 当时全民流行《浪漫满屋》,有一天答主…显示全部
编辑于 2016-03-25
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祝由术有科学依据吗?
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@他化自在凌公子这位公子说对了一半,祝由术就是说病,剩下的我原理部分来补充。 答主一般不会回答这么容易招黑的问题,但是实在是憋不住了,黑子们请绕道。 公子前面说了祝由就是说病,如果还有亲不理解,更深刻、具体的论点在这里,下面是传送门:“祝由…显示全部
编辑于 2016-01-04
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为什么知乎上养身,中医这类问题和答案这么少?
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题主不要抱怨,真正的好中医没时间在这里跟你们唠嗑。我师公80高龄的老人家硬是被患者活生生累死的,我师父推了大半患者每天还饿的药房的亲们天天抗议(中午饭硬是被拖到下午四点吃你试试),古代被患者拖死的名医不计其数,好好活下来的要不有权----张仲景…显示全部
发布于 2015-12-16
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讲下你为什么黑【白云】?
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最近神烦他啊 个人信仰是自由俺不评论 但他好多“医理”俺们许多中医人都看不下去啊 你给他讲机理他给你扯玄学;你给他论道他给你说科学; 你给你他谈科学他拐着弯否定你人品; 辩不过你就被什么东西摄了,思想妖孽……一个停留在理论阶段没有实践经验的“…显示全部
编辑于 2015-12-16
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为什么叫医“生”、护“士”?“生”似乎比“士”要低一些,这里面有什么来历吗?
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题主这个思维方式很有意思~中国自古的命名学有靠山水鸟兽、出生地、官职等等命名的,还没几个靠阶级命名的,呵呵哒~ 如果你是上九流的人,用阶级命名会被人鄙视:俗不俗,名没文艺就算了,生怕别人不知道你似得,就这阶层还出了显摆…… 如果你是下九流,天…显示全部
发布于 2015-12-15
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怎么改掉夜食的毛病?如果控制自己?
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题主我理解你的痛,作为一个自控力奇差的妹子,每次有人给我提自控力答主就想把他霍霍了,跟你痛经的时候在你旁边幸灾乐祸说:“看吧,我说过不要吃凉的~”一样可恶! 下面,答主告诉你如果科学的提高“自控力”(注意,此处有引号)。 自控力差是种病,真…显示全部
编辑于 2015-12-20
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女生学心理学怎么样?
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作为个学医的妹子,因为兴趣和诊断需要学了心理学,但一入侯门深似海,题主遇到的问题答主不仅遇到过,而且只多不少,T-T,给你点栗子体验下~ 答主不仅学了心理学,相关专业也有涉猎,梅花易数、麻衣相法、还拿了国家二级经络催眠师证书(考一级心理咨询师…显示全部
编辑于 2015-12-16
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道教如何看待自己在家看书摸索修炼的行为?
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实在看不下去了,几位答主没有给出实质性的论据,这种似是而非的结论最容易让人攻击…… 作为一个有师承的妹子,十分严肃的告诉大家,师承真的很重要!!!!! 答主有三位师父,分别是中医、太极和道家师父,三位师父和平相处,不仅没有掐起来,反而是非常…显示全部
编辑于 2015-12-14
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牛羊肉,海鲜类食品是不是'发'物?如果是,为什么是?
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因为羊毛太厚,把自己捂得太严实,变成肉要爆发一下~ 和麻黄一样,麻黄内有红心外有绿衣,平时外皮把内心的“火热”束缚的太紧了,所以煮成药要爆发,就发汗了~ (找不到麻黄的切面图,来个全身照~图中红色部分不是麻黄的果实,是内心的一把火太憋屈而蓬发的…显示全部
编辑于 2016-03-31
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现代医学如何解释中医的“上火”现象?
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西医还发炎呢 有两个火…显示全部
发布于 2015-12-11
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中医是反牛奶的吗?为什么?
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认真看了各位的回答,成见很深啊,然而却没有几个正儿八经临床中医说的,我努力从原理上给大家解释清楚中医对牛奶的看法。 我觉得你那个小朋友的说法不止是来源于自己从书上得到的似是而非的见解,还有前两年有过反牛奶的大论辩,更可能是来自于我们这些古…显示全部
编辑于 2016-05-12
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知乎上有些答案太过于详细了能否言简意赅些?
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十分赞同前两位答主,但是他们的回答对您真的有用吗?我这里就不举什么对话心理学、行为逻辑学的例子了,就切切实实的说,作为一个踏踏实实想让大家摘掉对中医“玄乎”“不科学”的墨镜的孩纸,如果我满口天地玄黄、阴阳五行、五运六气,您听得懂么?诚然,…显示全部
发布于 2015-12-11
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电视剧《伪装者》中明台为什么喜欢程锦云而不是于曼丽?
载流子扫了15个友善福的小中医~( ̄▽ ̄~)~
因为剧中反复强调 明台是有严重洁癖的 从来不会用别人用过的东西_(:з」∠)_ 宗主也不喜欢别人动他的东西,天啊噜,这倔强的DNA经过千年依然顽强的存在着~ 其实主要是演员的问题,要是女主换成刘涛大家就没有违和感了。 霓凰和锦云都是女中豪杰、英姿飒爽,…显示全部
编辑于 2015-12-13
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既支持转基因又支持中医的人算什么立场?
载流子扫了15个友善福的小中医~( ̄▽ ̄~)~
因为师承比较高端(不要砸我,不要说我臭不要脸的)圈子里的都是中医界的大拿,包括和一些中医界的前辈和宗师也讨论过转基因的问题。在此我需要强调的一点是,中医从没有反对过转基因,相反很佩服那些在如此大的舆论压力下,踏踏实实做研究的科学家们,正儿八…显示全部
编辑于 2016-08-10
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