球研磨抛光工艺外文

范文一：球研磨抛光工艺外文

Automated surface finishing of plastic injection mold steel with spherical grinding and ball burnishing processes

Fang-Jung Shiou ? Chao-Chang A. Chen ? Wen-Tu Li

Received: 30 March 2004 / Accepted: 5 July 2004 / Published online: 30 March 2005 ? Springer-Verlag London Limited 2005

Abstract:This study investigates the possibilities of automatedspherical grinding and ball burnishing surface finishing processesin a freeform surface plastic injection mold steel PDS5on a CNC machining center. The design and manufacture ofa grinding tool holder has been accomplished in this study.The optimal surface grinding parameters were determined using Taguchi’s orthogonal array metho d for plastic injection moldingsteel PDS5 on a machining center. The optimal surface grindingparameters for the plastic injection mold steel PDS5 werethe combination of an abrasive material of PA Al2O3, a grindingspeed of 18 000 rpm, a grinding depth of 20 μm, and a feedof 50 mm/min. The surface roughness Ra of the specimen can beimproved from about 1.60 μmto 0.35 μm by using the optimal parameters for surface grinding. Surface roughness Ra can befurther improved from about 0.343 μm to 0.06 μm by using theball burnishing process with the optimal burnishing parameters.Applying the optimal surface grinding and burnishing parameterssequentially to a fine-milled freeform surface mold insert,the surface roughness Ra of freeform surface region on the testedpart can be improved from about 2.15 μm to 0.07 μm.

Keywords :Automated surface finishing ·Ballburnishing process ·Grinding process · Surface roughness · Taguchi’s method

1 Introduction

Plastics are important engineering materials due to their specificcharacteristics, such as corrosion resistance, resistance to chemicals,low density, and ease of manufacture, and have increasinglyreplaced metallic components in industrial applications.

Injectionmolding is one of the important forming processes for plasticproducts. The surface finish quality of the plastic injectionmold is an essential requirement due to its direct effects on theappearance of the plastic product. Finishing processes such asgrinding, polishing and lapping are commonly used to improvethe surface finish. The mounted grinding tools (wheels) have been widely usedin conventional mold and die finishing industries. The geometricmodel of mounted grinding tools for automated surface finishingprocesses was introduced in [1]. A finishing process modelof spherical grinding tools for automated surface finishing systemswas developed in [2]. Grinding speed, depth of cut, feedrate, and wheel properties such as abrasive material and abrasivegrain size, are the dominant parameters for the spherical grindingprocess, as shown in Fig. 1. The optimal spherical grindingparameters for the injection mold steel have not yet been investigatedbased in the literature.

In recent years, some research has been carried out in determiningthe optimal parameters of the ball burnishing process(Fig. 2). For instance, it has been found that plastic deformationon the workpiece surface can be reduced by usinga tungsten carbide ball or a roller, thus improving the surfaceroughness, surface hardness, and fatigue resistance [3– 6]. Theburnishing process is accomplished by machining centers [3, 4]and lathes [5, 6]. The main burnishing parameters having significanteffects on the surface roughness are ball or roller material,burnishing force, feed rate, burnishing speed, lubrication, andnumber of burnishing passes, among others [3]. The optimal surfaceburnishing parameters for the plastic injection mold steelPDS5 were a combination of grease lubricant, the tungsten carbideball, a burnishing speed of 200 mm/min, a burnishing forceof 300 N, and a feed of 40 μm [7]. The depth of penetration of theburnished surface using the optimal ball burnishing parameterswas about 2.5 microns. The improvement of the surface roughnessthrough burnishing process generally ranged between 40%and 90% [3– 7].

The aim of this study was to develop spherical grinding andball burnishing surface finish processes of a freeform surfaceplastic injection mold on a machining center. The flowchart ofautomated surface finish using spherical grinding and ball burnishingprocesses is shown in Fig. 3. We began by designing andmanufacturing the

spherical grinding tool and its alignment devicefor use on a machining center. The optimal surface sphericalgrinding parameters were determined by utilizing a Taguchi’s orthogonal array method. Four factors and three correspondinglevels were then chosen for the Taguchi’s L18 matrix experiment.The optimal mounted spherical grinding parameters for surfacegrinding were then applied to the surface finish of a freeformsurface carrier. To improve the surface roughness, the groundsurface was further burnished, using the optimal ball burnishingparameters.

Fig. 1. Schematic diagram of the spherical grinding process

Fig. 2. Schematic diagram of the ball-burnishing process

Fig. 3.Flowchart of automated surface finish using spherical grinding andball burnishing processes

2 Design of the spherical grinding tool and itsalignment device

To carry out the possible spherical grinding process of a freeformsurface, the center of the ball grinder should coincide with thez-axis of the machining center. The mounted spherical grindingtool and its adjustment device was designed, as shown in Fig. 4.The electric grinder was mounted in a tool holder with two adjustablepivot screws. The center of the grinder ball was wellaligned with the help of the conic groove of the alignment components.Having aligned the grinder ball, two adjustable pivotscrews were tightened; after which, the alignment componentscould be removed. The deviation between the center coordinatesof the ball grinder and that of the shank was about 5 μm,which was measured by a CNC coordinate measuring machine.The force induced by the vibration of the machine bed is absorbedby a helical spring. The manufactured spherical grindingtool and ball-burnishing tool were mounted, as shown inFig. 5. The spindle was locked for both the spherical grindingprocess and the ball burnishing process by a spindle-lockingmechanism.

Fig. 4. Schematic illustration of the spherical grinding tool and its adjustmentdevice 3 Planning of the matrix experiment

3.1 Configuration of Taguchi’s orthogonal array

The effects of several parameters can be determined efficientlyby conducting matrix experim ents using Taguchi’s orthogonal array [8]. To match the aforementioned spherical grinding parameters,the abrasive material of the grinder ball (with the diameterof 10 mm), the feed rate, the depth of grinding, and therevolution of the electric grinder were selected as the four experimentalfactors (parameters) and

designated as factor A to D (seeTable 1) in this research. Three levels (settings) for

each factorwere configured to cover the range of interest, and were identi-fied by the digits 1, 2, and 3. Three types of abrasive materials, namely silicon carbide (SiC), white aluminum oxide (Al2O3,WA), and pink aluminum oxide (Al2O3, PA), were selected andstudied. Three numerical values of each factor were determinedbased on the pre-study results. The L18 orthogonal array was selectedto conduct the matrix experiment for four 3-level factorsof the spherical grinding process.

3.2 Definition of the data analysis

Engineering design problems can be divided into smaller-thebettertypes, nominal-the-best types, larger-the-better types,signed-target types, among others [8]. The signal-to-noise (S/N)ratio is used as the objective function for optimizing a product orprocess design. The surface roughness value of the ground surfacevia an adequate combination of grinding parameters shouldbe smaller than that of the original surface. Consequently, thespherical grinding process is an example of a smaller-the-bettertype problem. The S/N ratio, η, is defined by the followingequation

[8]:

where:

yi : observations of the quality characteristic under different noise

conditions

n: number of experimentAfter the S/N ratio from the experimental data of

each

L18orthogonal array is calculated, the main effect of each factorwas determined by using an analysis of variance (ANOVA) techniqueand an F-ratio test [8]. The optimization strategy of thesmaller-the better problem is to maximize η, as defined by Eq. 1. Levels that maximize η will be sel ected for the factors that havea significant effect on η. The optimal conditions for sphericalgrinding can then be determined.

Fig. 5.a Photo of the spherical grinding tool bPhoto of the ball burnishing tool 4 Experimental work and results

The material used in this study was PDS5 tool steel (equivalentto AISI P20) [9], which is commonly used for the molds oflarge plastic injection products in the field of automobile componentsand domestic appliances. The hardness of this materialis about HRC33 (HS46) [9]. One specific advantage of this materialis that after machining, the mold can be directly usedfor further finishing processes without heat treatment due to itsspecial pre-treatment. The specimens were designed and manufacturedso that they could be mounted on a dynamometer tomeasure the reaction force. The PDS5 specimen was roughly machinedand then mounted on the dynamometer to carry out thefine milling on a three-axis machining center made by Yang-Iron Company (type MV-3A), equipped with a FUNUC CompanyNC-controller (type 0M) [10]. The pre-machined surfaceroughness was measured, using Hommelwerke T4000 equipment, to be about 1.6 μm. Figure 6 shows the experimentalset-up of the spherical grinding process. A MP10 touch-triggerprobe made by the Renishaw Company was also integrated withthe machining center tool magazine to measure and determinethe coordinated origin of the specimen to be ground. The NCcodes needed for

the

ball-burnishing path were generated byPowerMILL CAM software. These codes can be transmitted tothe CNC controller of the machining center via RS232 serialinterface.

Fig. 6. Experimental set-up to determine the optimalspherical grinding parameters

Fig. 7. Plots of control factor effects

Table 3. Average S/N ratios by factor levels (dB)

The goal in the spherical grinding process is to minimize thesurface roughness value of the ground specimen by determiningthe optimal level of each factor. Since ? log is a monotonedecreasing function, we should maximize the S/N ratio. Consequently,we can determine the optimal level for each factor asbeing the level that has the highest value of η. Therefore, basedon the matrix experiment, the optimal abrasive material was pinkaluminum oxide; the optimal feed was 50 mm/min; the optimaldepth of grinding was 20 μm;

and the optimal revolution was18 000 rpm, as shown in Table 4.

The main effect of each factor was further determined byusing an analysis of variance (ANOVA) technique and an F ratiotest in order to determine their significance (see Table 5). TheF0.10,2,13 is 2.76 for a level of significance equal to 0.10 (or90% confidence level); the factor’s degree of freedom is 2 andthe degree of freedom for the pooled error is 13, according toF-distribution table [11]. An F ratio value greater than 2.76 canbe concluded as having a significant effect on surface roughnessand is identified by an asterisk. As a result, the feed and the depthof grinding have a significant effect on surface roughness.

Five verification experiments were carried out to observe therepeatability of using the optimal combination of grinding parameters,as shown in Table 6. The obtainable surface roughnessvalue Ra of such specimen was measured to be about 0.35 μm.Surface roughness was improved by about 78% in using the op-timal combination of spherical grinding parameters. The groundsurface was further burnished using the optimal ball burnishingparameters. A surface roughness value of Ra = 0.06 μm was obtainableafter ball burnishing. Improvement of the burnished surfaceroughness observed with a 30×optical microscope is shownin Fig. 8. The improvement of pre-machined surfaces roughnesswas about 95% after the burnishing process.

The optimal parameters for surface spherical grinding obtained from the Taguchi’s matrix experiments were applied tothe surface finish of the freeform surface mold insert to evaluatethe surface roughness improvement. A perfume bottle wasselected as the tested carrier. The CNCmachining of the mold insertfor the tested object was simulated with PowerMILL CAMsoftware. After fine milling, the mold insert was further groundwith the optimal spherical grinding parameters obtained fromthe Taguchi’s matrix experiment. Shortly afterwards, the groundsurface was burnished with the optimal ball burnishing parametersto further improve the surface roughness of the tested object(see Fig. 9). The surface roughness of the mold insert was measuredwith Hommelwerke T4000 equipment. The average surfaceroughness value Ra on a fine-milled surface of the mold insert was 2.15 μm on average; that on the ground surface was 0.45 μmon average; and that on burnished surface was 0.07 μm on average.The surface roughness improvement of the tested object onground surface was about (2.15?0.45)/2.15 = 79. 1%, and thaton the burnished surface was about (2.15?0.07)/2.15 = 96.7%.

Fig. 8. Comparison between the pre-machined surface, ground surface andthe burnished surface of the tested specimen observed with a toolmakermicroscope (30×)

Fig. 9. Fine-milled, ground and burnished mold insert of a perfume bottle 5 Conclusion

In this work, the optimal parameters of automated sphericalgrinding and ball-burnishing surface finishing processes ina freeform surface plastic injection mold were developed successfullyon a machining center. The mounted spherical grindingtool (and its alignment components) was designed and manufactured.The optimal spherical grinding parameters for surfacegrinding were determined by conducting a Taguchi L18 matrixexperiments. The optimal spherical grinding parameters for theplastic injection mold steel PDS5 were the combination of theabrasive material of pink aluminum oxide (Al2O3, PA), a feedof 50 mm/min, a depth of grinding 20 μm, and a revolution of18 000 rpm. The surface roughness Ra of the specimen can be improved from about 1.6 μmto 0.35 μm by using the optimalspherical grinding conditions for surface grinding. By applyingthe optimal surface grinding and burnishing parameters to thesurface finish of the freeform surface mold insert, the surfaceroughness improvements were measured to be ground surfacewas about 79.1% in terms of ground surfaces, and about 96.7%in terms of burnished surfaces.

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11. Montgomery DC (1991) Design and analysis of experiments. Wiley, New York

范文二：球研磨抛光工艺翻译

毕业论文(设计)

外文翻译

题目 :球形研磨和抛光注塑模具钢的自动化表面精加工工艺

系部名称:机械工程系专业班级:机自 071

学生姓名:韩天啸学号:200780724109

指导教师:崔江红教师职称:副教授

2011年 03月 22日

球形研磨和抛光注塑模具钢的自动化表面精加工工艺

Fang-Jung Shiou · Chao-Chang A. Chen · Wen-Tu Li

收件日期:2004年 3月 30日 /接受日期:2004年 7月 5日 /发表时间:05年 3月 30号 ?施普林格出版社伦敦有限公司 2005

摘要:本研究讨论在数控加工中心注塑模具钢 PDS5在自由曲面下进行自动化球形研磨和抛光球的表面处理工艺的可行性。研磨工具持有人的设计和制造已经完成了这项研究。在加工中心中, 表面的最佳磨削参数采用田口直交法来进行塑料注射成型钢 PDS5而确定。塑料注塑模具钢 PDS5表面最佳磨削参数是, 一种 pa 的氧化铝磨削材料组合, 以 18000rpm 的速度, 20μm 的磨削深度,以及 50毫米 /分钟的进给速度磨削。试样的表面粗糙度 Ra 可以通过使用最佳的表面磨削参数来从 1.60微米大约提高至 0.35微米。表面粗糙度 Ra 还可通过使用最佳抛光参数的球抛光这一过程进一步改善至约 0.343微米至 0.06微米。应用表面打磨和抛光最佳参数,依次细研磨自由曲面模仁,自由曲面上测试区的表面粗糙度 Ra 部分可提高到约 2.15微米至 0.07微米。

关键词:自动化表面精加工·球打磨过程··表面粗糙度磨削工艺·田口方法

1. 简介

塑料是重要的工程材料, 由于其特性, 如耐腐蚀, 耐化学品, 密度低, 易于制造, 并已在工业应用中越来越多地取代金属部件。注塑成型是一种重要的塑料产品成型工艺,塑料模具表面光洁度是一个直接影响塑料产品外观的必要条件。如磨削,抛光和研磨这样的整理程序常用来改善表面光洁度。研磨工具砂轮的装入已经广泛使用的传统模具,模具加工等行业。为了自动化表面精加工进程,安装了磨削工具的几何磨具在(1)中引入。在自动化表面精加工系统中,球形研磨的球形研磨工具的加工进程模型在(2)中阐述。磨削速度,切削深度,进给速度,研磨材料,磨料,料度等砂轮特性都为球面磨削过程的影响参数, 如图 1所示。注塑模具钢的最佳球面磨削参数尚未在文献中调查发现。

近年来,正在开展一些研究来确定球挤光过程的最佳参数(图 2)。据说使用碳化钨球或滚子可减小工件表面的塑性变形,因而改善表面粗糙度,表面硬度和抗疲劳性能 [3-6]。打磨过程是由加工中心 [3, 4]和车床 [5, 6]完成。对表面粗糙度有显著影响的主要抛光参数是滚珠或滚子的材料,打磨力,进给速度,抛光速度,润滑,打磨通过次数,等等 [3]。塑料模具钢 PDS5的最佳表面打磨参数是混合油脂润滑剂,碳化钨球, 200毫米 /分钟的磨削速度, 300N 的挤压力, 40μm 打磨速度。使用最佳挤光

参数的表面抛光穿透深度约为 2.5微米。通过挤光工艺改善表面粗糙度后, 介于 40%到 90%之间。

这项研究的目的是在加工中心中塑料注塑磨具自由曲面的球形研磨和表面抛光加工程序的开发。使用球形表面研磨和抛光程序的自动化表面加工流程图在图 3中展示。我们以设计和制造在机械加工中心中使用的球形研磨工具以及其定位装置为开始。

图 1. 球面磨削示意图

Grinder ball磨床球 scallop height 峰值 workpiece 工件 plunge grinding feed rate下挫磨削进给速度 feed (step-over distance)进给(步距)

球形表面的最佳磨削工艺参数通过利用田口直交方法来确定。在田口的 18课矩阵实验中, 4因素 3相应水平被选择。表面磨削的最佳安装球面磨削参数被应用到自由曲面载体的表面光洁度加工中。为了改善表面粗糙度,使用最佳挤光参数来对工件表面进行进一步打磨。

图 2. 球挤光过程示意图

Burnishing direction 磨削方向 original surface texture 原有的表面纹理 feed 进给 burnished surface texture 磨削后表面纹理 depth of penetration 穿透深度 original height 原有深度 burnishing ball 抛光球 Workpiece 工件 finished height 加工后深度

图 3. 使用球形表面打磨和抛光工艺的自动化表面加工流程图

Design and manufacture of the spherical grinding tool and the ball burnishing tool球形研磨工具的设计和制造,打磨工具球

Design and manufacture of PDS5 test specimen 设计与制造 PDS5试样

Selection of the factors and their chosen levels for a matrix experiment to determine the optimal 2D grinding parameters 矩阵实验中因素和他们所选水平的选择确定了 2D

的最佳

参数

Conduction of the matrix experiment 传导矩阵实验

Surface roughness measurement of the tested specimen被测样品的表面粗糙度测量 Performing the analysis of variance(A VOV A ) and determination of the optimum settings of factors 执行的方差分析(ANOV A )并确定因素最佳设置

Ball burnishing of the ground surface 切削表面的挤光

Application or determined optimal spherical grinding and ball burnishing parameters to freeform surface finishing 在自由面加工中确定并应用球研磨和挤光最佳参数

2.设计了球形研磨工具及其定位装置

为了使在自由曲面中进行球研磨加工工艺成为可能, 球磨床中心应该和 Z 轴的加工中心形成配合, 球面磨削工具的安装以及他的设备调整设计如 4图所示。电动砂轮机用两个两个可调整支点螺钉安装在刀架上。在圆锥槽对齐组件的帮助下,该磨具球中心配合一致。对齐磨床球,两个可调整支点螺钉拧紧;之后,校准组件可以被移除。球磨床中心坐标之前的偏差,连杆有约 5微米,这是由数控三坐标测量机测量。由机床振动引起的力被螺旋弹簧吸收。生产出来的球研磨工具和抛光球被安装如图 5所示。为了球研磨过程和球挤光过程,主轴被一个主轴锁定机制锁定。

图 4. 球形研磨工具及其调节装置的示意图

Shank 刀柄 spring 弹簧 tool holder components 刀架部件 Pivot screws枢轴螺丝 grinder ball alignment component磨床球对准组件 electrical grinder 电动砂轮机 grinder ball 磨削球

3. 矩阵实验的规划

3. 1.田口直交的配置

通过进行田口直交 [8]矩阵实验, 几个参数的影响可以达到有效的使用。为配合上述球面磨削参数,该磨床球研磨材料(10毫米直径) ,进料速度,磨削深度 , 并且电动砂轮机的换挡被 4个实验因素所选择,本实验中指定由因素 A 到因素 D (见表 1) 。每个因素的三个等级(设置)配置包括感兴趣的区域,并定义为数字 1, 2和 3。研磨材料的三种类型, 即碳化硅(SiC ) ,白铝氧化物(Al2O3,华盛顿州) ,粉红色氧化铝(Al2O3,宾夕法尼亚州)分别选用和研究。每个因素三个数值乃根据预先研究结果决定。 L18

的直交选择由矩

阵实验中球形研磨工艺的 4个 3级因素决定。

表一实验因素机器水平

Factor 因素 level 水平 Abrasive material 研磨材料 feed 进给速度

Depth of grinding 磨削深度 revolution 公转

3.2 数据分析的定义

工程设计问题可以划分为较小的较好类型,标准的最佳类型,较大的较好类型,签订目标类型,还有其他的(8) 。该信号与信噪比(S/ N)比作为目标函数用于优化产品或过程设计。工件表面的表面粗糙度值通过适当的磨削参数组合值应当比原表面的更小。因此,球形研磨过程是一个较小较好类型问题的例子。 S / N 比, η,是由以下方程定义

[8]:

其中:

yi :在不同条件下,观测噪声质量特性。

n :实验次数。 S / N比从 L18直交实验数据中获取计算,各因素的主要作用是通过使用方差(ANOVA )技术分析和 F-比测试决定(8) ,较小较好问题的优化策略是最大化 η, 由 1式定义。最大化 η的水平选择是由显著影响 η的因素负责选择得。球形研磨的最佳条件可以被确定。

图 5. a.球形磨削工具照片 b.挤光工具照片

Spindle locking mechanism 主轴锁定机制 electric grinder tool holder电动砂轮机刀架 workpiece 工件 burnishing tool 磨光工具 dynamometer 测力计

4. 实验工作和结果

在这项研究中所使用的材料是 PDS5工具钢(相当于采用 AISI P20的) [9],常用在在汽车零部件和家用电器领域中的大型注塑产品模型中。这种材料的硬度为 HRC33(HS46) [9]。这个材料的优势是加工后,由于其特殊的前处理,不需要热处理,可直接用于进一步加工过程。该工件被设计制造用来安装在测力计中测试反应力。 PDS5工件大多被加工而后安装在测功机上用于 Yang- Iron Company ( MV-3A类型 ) 的三轴加工中心上面的精铣, 以及配备在 FANUC Company的数控控制器 ( 0M10型 ) 上。预加工表面

图 6. 确定最佳球面磨削参数的实验装置

Machining center 加工中心 burnishing ball tool 球抛光工具 MP 10 probe MP10探头 NC table 数控台 electric grinder roll grinder 电动磨床轧辊磨床 PDS5 specimen PDS5样本 generation of NC codes for grinding and burnishing path 数控代码生成的研磨及抛光路径粗糙度的测量,使用 Hommelwerke T4000设备,约 1.6微米。图 6显示了球形研磨进程的实验装置。由雷尼绍公司生产的 MP10触摸触发式探头还集成了加工中心刀库来测量和确定切削工件同步。挤光加工路径的数控代码可用在 PowerMILL CAM软件上。这些代码可以通过 RS232串行接口控制器传输到数控加工中心。

图 7. 控制因素影响的绘图

S/N ration S/N比 control factor 控制因素

表 2 PDS5样本的切削表面粗糙度

Inner array (control factors) 内在阵列 (控制因素) measured surface roughness value (Ra )测试表面粗糙度 (Ra) response 响应

表 3. 平均的 S / N比值由因子水平(分贝)

Factor 因素 effect 影响 rank 序号 mean 平均值

在球面磨削过程的目标是通过确定各因素的最佳水平来尽量减小切削工件表面粗糙度的值。由于对数函数是一个单调递减函数,我们应该最大化 S / N比。因此,我们可以判断每个因素的最佳水平,因为该水平拥有 η的最大值。

因此,基于矩阵实验,最佳的研磨材料呈粉红色氧化铝 ; 最佳的进给速度为 50毫米 /分钟 ; 最佳的磨削深度为 20微米 ; 公转的最佳转速为 18000个,如表 4所示。

表 4. 球研磨最佳组合参数

表 5. 表面粗糙比 S/N的方差分析表

Factor 因素 level 水平 Abrasive 研磨材料 feed 进给速度 Depth of grinding 磨削深度 revolution 公转 degrees of freedom 自由度 sum of squares 平方和 Mean squares 平均平方 F ratio F比率 error 误差 total 总计 pooled to error 误差合并

通过使用方差(ANOV A )技术分析和 F 比检验,各因素的主要作用的进一步确定是用来确定其意义(见表 5) 。根据 F-分布表(11) , F0.10,2,13是 2.76的显著性水平等于

0.10

(或 90%的置信水平) ,因素的自由度为 2,合并误差自由度为 13。大于 2.76 F比率值可归纳为对表面粗糙度的显著影响,并由星号标识。因此,进给速度和磨削深度对表面粗糙度有显着影响。

5个验证试验开展了,以观察磨削参数最佳组合的重复使用,如表 6。

表 6 试验核查后测试样本的表面粗糙度数值

EXP.NO. 实验数 measured value Ra Ra 测量值 mean 平均 S/N ratio S/N比

设定样品的表面粗糙度值 Ra 经测量大约为 0.35 μm, 在使用球面磨削参数的最佳组合后表面粗糙度提高约 78%。切削表面使用抛光球最佳参数进一步打磨。挤光之后,设表面粗糙度 Ra 的值为 0.6微米。图 8所示 30倍光学显微镜观察抛光表面粗糙度的改善。经过抛光之后,预加工表面粗糙度改善 95%左右。由田口式矩阵实验获得的表面磨削球最佳工艺参数应用于内膜自由曲面的表面加工以评估表面光洁度的改善。香水瓶被选定为测试载体。该测试对象的内膜数控加工用 PowerMILL CAM软件模拟。经过精细加工,内膜将用从田口矩阵实验中获得的最佳球研磨参数进行进一步磨削。此后不久,切削表面用最佳挤光参数进行抛光,以进一步提高被测物体的表面粗糙度(见图 .9) 。磨具内膜表面粗糙度用 Hommelwerke T4000设备测量,精细研磨后磨具内膜的表面平均粗糙度 Ra 平均为 2.15微米;切削表面的为 0.45微米;表面抛光的平均为 0.07微米。被测对象切削表面的表面粗糙度大约改善为 (2.15-0.45) /2.15=79.1%, 而抛光表面的为 (2.15-0.07) /2.15=96.7%。

图 8 30倍工具制造显微镜下观察被测工件的预加工表面, 切削表面, 抛光表面比较 burnished surface 研磨表面 pre-machine 预加工 ground 切削

图 9 精细研磨,切削和抛光的香水瓶内膜

Fine milled area 精细研磨面 ball burnished area球研磨面 groud area 切削面

5 结论

在这项工作中,注塑模具自由曲面的表面加工处理中自动化球研磨和挤光的最佳参数在加工中心成功的开发了。球面磨削工具的安装 (及其排列组成部分) 被设计和制造。最佳球面研磨磨削表面参数通过田口 L18的矩阵实验被测定。注塑模具钢 PDS5的最佳表面研磨参数分别是粉红色铝氧化合物(Al2O3, PA)的混合研磨材料, 50毫米 /分钟的进给速度, 20微米的磨削深度, 18 000转的公转。试样的表面粗糙度 Ra 通过使用最佳球研磨条件进行表面磨削可以大概从 1.6微米提高至 0.35微米。通过应用最佳表面打磨和抛光参数对磨具内膜自由曲面进行表面加工。改善表面粗糙度后,在切削表面中,切削表面大概是 79.1%,在抛光表面上大约是 96.7%。

本文摘译自

收件日期:2004年 3月 30日 /接受日期:2004年 7月 5日 /发表时间:05年 3月 30号 ?施普林格出版社伦敦有限公司 2005

分类号 10.1007/s00170-004-2328-8

0142-1123高级制造业│ Technol (2006) 28:61-66

范文三：研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响

研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响

毕业设计(论文)报告

题目研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响

7>2013年 4 月

研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响

摘要:半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的进步和物质文化生活水平的提高，由其兴起的半导体产业越来越受到各国的重视，自20世纪以来取得了长足的发展。本文主要采用了文献研究法和调查法，通过查找互联网和书籍文献，及在从事半导体产业的工厂中的实习，获得了大量的资料。本文主要研究半导体产业的相关知识，说明半导体产业在国内国外目前的发展历史并讨论半导体产业的发展应用。随着半导体技术愈加精细化，晶圆尺寸由6英寸(150mm)，8英寸(200mm)，12英寸(300mm)，甚至未来的18英寸(450mm)从而越来越大，在半导体领域中化学机械抛光CMP占有着越来越重要的作用，本文在分析CMP工艺

的基础上，及初步了解与分析了CMP半导体晶片过程中抛光液的重要作用，总结

了抛光液的组成及其化学性能氧化剂、磨料及pH值等和物理性能流速、粘性及

温度对抛光效果的影响规律。本文是在前人研究的基础上，进行深入了解，希望

从而对半导体产业向前发展起到一定的积极作用。

关键词:半导体，化学机械抛光，抛光液

Grinding and polishing liquid's influence on the CMP polishing process

Abstract:Semiconductor science occupies an extremely important position in modern science and technology. It is widely used in various fields of national economy, its development promotes the progress of human society and the improvement of material and cultural life, by the rise of the semiconductor industry is more and more brought to the attention of the countries, since the 20th century has been a rapid development. This paper mainly adopts literature research and survey method, literature through search the Internet and books, and practice in factory is engaged in the semiconductor industry, won a huge mass of data. In this paper, we study relevant knowledge of the semiconductor industry, the development history of semiconductor industry at home and abroad at present and discuss the development and application of semiconductor

industry. With increasingly sophisticated semiconductor technology, Wafer size from 6 inches 150 mm, 8 inches 200 mm, 12 inches 300 mm, and even the future of 18 inches 450 mm and so more and more big ，in the field

of the semiconductor chemical mechanical polishing CMP plays a more important role in the future, in this paper, based on the analysis of the CMP process, and preliminary understanding and analysis of the CMP polishing fluid is important role in the process of semiconductor chips, summarized the composition and chemical properties of the polishing fluid oxidant, abrasive and pH value, etc. and physical properties velocity, viscosity, and temperature on the polishing effect. This article is on the basis of predecessors' research, in-depth understanding, I hope it play a positive role to the semiconductor industry development.

Keywords: semiconductor, chemical mechanical polishing, polishing liquid

前言 1

第一章半导体技术的简介 3

1.1半导体的概述 3

1.1.1 半导体的概述 3

1.1.2 半导体的制作流程 4

1.2半导体产业的发展现状 7

第二章半导体化学机械抛光CMP 10

2.1半导体CMP的发展历史 10

2.2半导体CMP工艺技术 11

2.3半导体CMP 优点与缺点 13

2.3.1 半导体CMP 优点 13

2.3.2 半导体CMP的缺点 14

第三章研磨抛光液对抛光效果的影响 15

3.1半导体CMP抛光液的介绍 15

3.2研磨抛光液对抛光效果的影响 17

3.2.1抛光液的化学性能及对抛光效果的影响 17

3.3.2抛光液的物理性能及对抛光效果的影响 19

总结与体会 22

致谢 23

参考文献 24

前言

自从有人类以来，已经过了上百万年的岁月。社会的进步可以用当时人类使用的器物来代表，从远古的石器时代、到铜器，再进步到铁器时代。在20世纪初期，一种相对新的材料，称为硅的单晶体，曾被用于将无线电通信信号从交流转换为直流。包含这种材料的“半导体”一词最初在德国采用。然而，真正要发展成为半导体技术需要全世界物理学家和化学家的参与研究。在半导体特性能被完全解释之前，为了理解电子行为的量子理论，这些研究工作延续了几

十年直到第二次世界大战。

二战后，贝尔实验室的科学家们致力于研究固态硅和锗半导体晶体。领导这项研究的科学家感到需要替换真空管，且可以用固态半导体材料代替真空管。1947年12月16日诞生了固态晶体管，发明者是威廉?肖克利，约翰?巴丁和沃尔特?布拉顿。晶体管的名字取自“跨导”和“变阻器”两词，提供了与真空管同样的电功能，但具有固态的显著优点:尺寸小、无真空、可靠、重量轻、最小的发热以及低功耗。这一发现推动了以固体材料和技术为基础的现代半导体产业。现在，以硅为原料的电子组件产值，已经远远超过了以钢铁为原料的产值，这说明，人类的历史已经进入了一个新的时代，就是硅的时代。硅所代表的正是半导体组件，包括存储元件、微处理机、逻辑组件、光电组件与侦测器等等在内，电视、电话、计算机、电冰箱、汽车，这些半导体组件无时无刻不在为我们服务。硅是地壳中最常见的元素，许多石头的主要成分都是二氧化硅，然而，经过数百道制程做出的集成电路，其价值可达上万美金;把石头变芯片的过程可谓点石成金，也是近代科学的奇迹～在日本，有人把半导体比喻为工业社会的稻米，是近代社会一日不可或缺的。科学的说法是，半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。在国防上，惟有扎实的电子工业基础，才有强大的国防能力，1991年的波斯湾战争，美国把新一代电子武器发挥得淋漓尽致。从1970年以来，美国与日本间发生多次贸易摩擦，最后在许多项目上两国都选择了妥协，但在半导体方面，双方均不肯轻易让步，最后两国政府郑重签订了协议，足见对半导体产业的重视。当今，半导体产业已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。

中国半导体产业在取得长足进步的同时，产业发展环境也持续向好，中央政府和许多地区都积极鼓励支持其发展。2009年4月15日，国务院出台的《电子信息产业调整和振兴规划》，对我国半导体产业的发展具有积极作用。半导体产业是国家经济来源的支柱工业，重视半导体技术，大力发展半导体产业，是我们科技强国的必经之路。

第一章半导体技术的简介

1.1半导体的概述

1.1.1 半导体的概述

半导体技术就是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术。绝大多数的电子组件都是以硅为基材做成的，因此电子产业又称为半导体产业。半导体技术最大的应用是集成电路(IC)，手机、计算机等各种电器与信息产品中，一定有IC存在，它们被用来发挥各种控制功能，把计算机拆开会看到好几块线路板，板上都有一些大小与形状不同的黑色小方块，周围是金属引脚，这就是封装好的IC。如果把包覆的黑色封装除去，可以看到里面灰色的小薄片，这就是IC。放大来看，这些IC里面布满了小组件，彼此由金属导线连接。这些组件大都是晶体管，由硅或其氧化物、氮化物与其它相关材料组成。整颗IC的功能决定于这些晶体管的特性与彼此间的连结方式。

半导体技术的演进，除了改善性能与可靠性外，另一重点就是降低成本。降低成本的方式，除了改良制作方法，包括制作流程与采用的设备外，如果能在硅芯片的单位面积内产出更多的IC，成本也会下降。所以半导体技术的一个非常重要的发展趋势，就是把晶体管微小化。当然组件的微小化会带来性能的改变，

幸运的是，这种演进会使IC大部分的特性变好，只有少数变差，而这些就需要利用其它技术来弥补了。

半导体制程分成很多层，由下而上逐层依蓝图布局叠积而成，每一层各有不同的材料与功能。随着功能的复杂，结构变得更繁复，技术要求也越来越高。半导体技术是在同一片芯片或同一批生产过程中，同时制作数百万个到数亿个组件，而且要求一模一样。因此大量生产可说是半导体工业的最大特色。把组件做得越小，芯片上能制造出来的IC数也就越多。尽管每片芯片的制作成本会因技术复杂度增加而上升，但是每颗IC的成本却会下降。所以价格不但不会因性能变好或功能变强而上涨，反而是越来越便宜。半导体制程是一项复杂的制作流程，先进的IC所需要的制作程序达一千个以上的步骤。这些步骤先依不同的功能组合成小的单元，称为单元制程，如蚀刻、微影与薄膜制程;几个单元制程组成具有特定功能的模块制程，如隔绝制程模块、接触窗制程模块或平坦化制程模块等;最后再组合这些模块制程成为某种特定 IC 的整合制程。

纳米技术有很多种，基本上可以分成两类，一类是由下而上的方式或称为自组装的方式，另一类是由上而下所谓的微缩方式。前者以各种材料、化工等技术为主，后者则以半导体技术为主。

以前我们都称IC技术是微电子技术，那是因为晶体管的大小是在微米(10-6米)等级。但是半导体技术发展得非常快，每隔两年就会进步一个世代，尺寸会缩小成原来的一半，这就是有名的摩尔定律(Moore′s Law)。

大约在15年前，半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，而后是深次微米，比微米小很多的时代。到了2001年，晶体管尺寸甚至已经小于0.1微米，也就是小于100纳米。因此现在是纳米电子时代，未来的IC大部分会由

纳米技术做成。但是为了达到纳米的要求，半导体制程的改变须从基本步骤做起。每进步一个世代，制程步骤的要求都会变得更严格、更复杂。

1.1.2 半导体的制作流程

(1)清洗

集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水;且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。

在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1,1所示。

图1,1:硅片清洗工艺示意图

工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。

(2)热氧化

热氧化是在800~1250?高温的氧气氛围和惰性携带气体(N2)下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为:

Si + O2 ? SiO2

3扩散

扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷(B2H6)作为N,源和磷烷(PH3)作为P+源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为:

2PH3 ? 2P + 3H2

图1-2:扩散示意图

4离子注入

离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质(原子)离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的

作用。

5光刻

光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程;曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质;显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。

图1-3: 光刻示意图

6湿法腐蚀和等离子刻蚀

通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就是湿法腐蚀或干法刻蚀。湿法腐蚀或干法刻蚀后，要去除上面的光刻胶。

湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，去除不同的物质使用不同的材料。对不同的对象，典型使用的腐蚀材料为:

腐蚀硅Si ?? 使用氢氟酸加硝酸(HF + HNO3)

腐蚀二氧化硅SiO2 ?? 使用氢氟酸(HF)

腐蚀氮化硅Si3N4 ?? 使用热磷酸(热H3PO4)

干法刻蚀是在等离子气氛中选择性腐蚀基材的过程，刻蚀气氛通常含有F等离子体或碳等离子体，因此刻蚀气体通常使用CF4类的气体。

7化学气相沉积(CVD)

CVD被使用来在硅片上沉积氧化硅、氮化硅和多晶硅等半导体器件材料，是在300~900?的温度下通过化学反应产生以上物质的过程。典型的化学反应为:

SiH4 + O2 ? SiO2 + 2 H2O

生长过程中掺磷时加磷烷的反应为:

4 PH3 + 5 O2?2 P2O5 + 6 H2

SiH2Cl2 +2 N2O ? SiO2 + 2 N2 + 2 HCl

化学气相沉积根据CVD反应的气氛和气压可分为低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)和离子增强CVD(PECVD)等。

(8)金属沉积

在硅基片上沉积金属以作为电路的内引线的方法有蒸发、溅射、CVD等，亚微米集成电路生产通常采用溅射的方法。

铝是常用的金属沉积材料，其它的材料包括金、钛、钼、钨、钛钨合金、钯、铜也在一些器件上采用。

(9)化学机械抛光(CMP)

CMP是类似机械抛光的一种抛光方式，一般用于具有三层或更多层金属的集成电路芯片制造生产。在已形成图案的芯片上进行化学机械抛光，使之形成平整平面，以减轻多层结构造成的严重不平的表面形态，满足光刻时对焦深的要求。

(10)背面减薄(BG)

在芯片的生产过程中，芯片太薄不利于芯片生产。通常在芯片生产结

束后，用细砂轮将芯片的背面进行研削，使芯片减至一定的厚度。

1.2半导体产业的发展现状 (1)全球半导体产业简况

根据WSTS统计，2006年全球半导体市场销售额达2477亿美元，比2005年增长8.9%;产量为5192亿颗，比2005年增长14.0%;ASPAction serve

page为0.477美元，比2005年下降4.5%。从全球范围来看，包括计算机、通信、消费电子在内的3C产业是半导体产品的最大应用领域，其后是汽车电子和工业控制等领域。

美、日、欧、韩以及中国台湾是目前半导体产业领先的国家和地区。2006年世界前25位的半导体公司全部位于美国、日本、欧洲、韩国。2005年，美国和日本分别占有48%和23%的市场份额，合计达71%。韩国和台湾的半导体产业进步很快。韩国三星已经位列全球第二;台积电TSMC的收入在2007年上半年有了很大的提高，排名快速升至第6，成为2007年上半年进入前20名的唯一一家台湾公司，这从一个侧面反映了台湾代加工业非常发达。

(2)中国半导体产业简况

中国已经成为全球第一大半导体市场，并且保持较高的增长速度。2006年，中国半导体市场规模突破5800亿，其中集成电路市场达4863亿美元，比2005年增长27.8%，远高于全球市场8.9%的增速。我国市场已经达到全球市场份额的四分之一强。在市场增长的同时，我国半导体产业成长迅速。以集成电路产业为例，2006年国内生产集成电路355.6亿块，同比增长36.2%。实现收入1006.3亿元，同比增长43.3%。我国半导体产业规模占世界比重还比较低，但远高于全球总体水平的增长率让我们看到了希望。中国集成电路的应用领域与国际市场有类似之处。2006年，3C计算机、通信、消费电子占了全部应用市场的88.5%，

高于全球比例。而汽车电子1.3%的比例，比起2005年的1.1%有所提高，仍明显低于全球市场的8.0%。与此相对应的是，我国汽车市场销量呈增长态势，汽车电子国产化比例逐步提高。这说明，在汽车电子等领域，我国集成电路应用仍有较大成长空间

(3)我国在国际半导体产业中所处地位

我国半导体市场进口率高，超过80%的半导体器件是进口的。国内半导体产业收入远小于国内市场规模。2006年国内IC市场规模达5800亿，而同期国内IC产业收入是1006.3亿。我国有多个电子信息产品产量已经位居全球第一，包括台式机、笔记本电脑、手机、数码相机、电视机、DVD、MP3等。中国已超过美国成为世界上最大的集成电路产品应用国。但目前国内企业只能满足不到20%的集成电路产品需求，其他依赖进口。

中国大陆市场的半导体产品前十名的都是跨国公司。这十家公司平均21%的收入来自中国市场。这与中国市场占全球市场规模的比例基本吻合。2006年这十家公司在中国的收入总和占到中国大陆半导体市场规模的34.51%。上述两组数字从另一个侧面反映出跨国公司占有国内较高市场份额。国内半导体市场对进口产品依赖性高。

虽然我国半导体进口量非常大，但出口比例也非常高。2005年国内半导体产品有64%出口。这种现象被称为“大进大出”，主要是由我国半导体产业链的特点造成的。总的来看，我国IC进口远远超过出口。据海关统计，2006年我国集成电路和微电子组件进口额为1035亿美元，出口额为200亿美元，逆差巨大。

由于我国具有劳动力竞争优势，国际半导体企业把技术含量相对较

低、劳动密集型的产业链环节向我国转移。我国半导体产业逐渐成为国际产业链的一环。产业链调整和转移的结果是，我国半导体产业在低技术、劳动密集型和低附加值的环节得到了优先发展。2006年，我国IC设计、制造和封装测试业所占的比重分别是18.5%、30.7%和50.8%。一般认为比较合理的比例是3:4:3。封装测试在我国先行一步，发展最快，规模也最大，是全球半导体产业向中国转移比较充分的环节。而处于上游的IC设计成为最薄弱的环节。芯片制造业介于前两者之间，目前跨国公司已经开始把芯片制造逐步向我国转移，中芯国际等国内企业发展也比较快。

这样的产业结构特点说明，国内的半导体企业多数并未直接面对半导体产品的用户?电子设备制造商和工业、军事设备制造商，甚至多数也没有直接分享国内市场。更多的是充当国际半导体产业链的一个中间环节，间接服务于国际国内电子设备市场。这种结构，利润水平偏低，定价能力不强，客户结构对于企业业绩影响较大。究其原因，还是国内技术水平低，高端核心芯片、关键设备、材料、IP等基本依赖进口，相关标准和专利受制于人。国内企业发展也不够成熟，规模偏小，设计、制造、应用三个环节脱节。

第二章半导体化学机械抛光CMP

2.1半导体CMP的发展历史

化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层SOD等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。

CMPChemical Mechanical Polishing 技术的最早出现是在20世纪80年代中期，为满足光刻工艺的平坦化要求，由IBM公司利用Strasburgh公司生产的抛光机在East Fishkill工厂进行CMP工艺开发的。1988年IBM开始将CMP工艺用于4M DRAM器件的制造。1990年IBM公司便将其利用CMP技术的4M DRAM工艺转让给Micro Technology公司。不久之后，便与MotorolA公司联合行动，共同进入PC机生产领域。目前，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线检测、终点检测、清洗、甩干等技术于一体的化学机械平坦化技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物;是硅圆片由200 mm向300 mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。半导体工艺对于CMP技术的这种依赖主要来自于器件加工尺寸的不断微细化而出现的多层布线和一些新型介质材料的引入，特别是进入250 nm节点以后的Al布线和进入130 nm节点以后的Cu布线之后，CMP工艺的重要性便日显突出。130 nm节点的多层金属互连为7-8层，90 nm节点的多层金属互连为8,9层，金属互连的金属层间介质的增加，必然导致晶片表面严重的不平整，以致无法满足图形曝光的焦深要求，为解决这一矛盾和提高芯片的成品率，要求晶圆表面必须平整、光滑和洁净，CMP工艺便是目前最有效、最成熟的平坦化技术。 CMP技术发展历程可分为3个阶段:第一阶段在铜布线工艺之前，主要研磨对象为钨W和氧化物;第二阶段在1997年,2000年进入铜双

镶嵌工艺之后，研磨对象从二氧化硅拓展到氟硅酸盐玻璃FSG,这个阶段对应于从0(25μM进入0(13μM节点;第三阶段目前是采用铜互连和低k(介电常数)介质，研磨对象主要为铜互连层，层间绝缘膜和浅沟道隔离STI,这个阶段对应于从90,65 nm节点。?

2.2半导体CMP工艺技术

化学机械平坦化?(英语:Chemical-Mechanical Planarization,

CMP)，又称化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing)，是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。

(1)工艺描述

化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动(是以相同的方向转)，但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干法刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。

(2)工作机理

化学机械平坦化是在机械抛光的基础上根据所要抛光的表面加入相应的化学添加剂从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。

(3)氧化硅抛光

氧化硅抛光主要被应用于平坦化金属层间淀积的层间介质(ILD)，其基本机理是Cook理论。磨料中的水和氧化硅发生表面水合作用，从而使氧化硅的硬度、机械强度等有效降低，在机械力的作用下将氧化硅去除。氧化硅的去除速率主要由Preston方程表达。

(4)金属抛光

金属抛光与氧化硅抛光机理有一定的区别，采用氧化的方法使金属氧化物在机械研磨中被去除。图2-1 CMP示意图

图2-1:CMP示意图

CMP技术所采用的设备及消耗品包括:抛光机、slurry(抛光液)、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。其中slurry和抛光垫为消耗品。Praxair的研发总监黄丕成博士介绍说，一个完整的CMP工艺主要由抛光、后清洗和计量测量等部分组成。抛光机、slurry和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素(图2-2)，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。

图2-2:CMP消耗品

图2-3:晶圆上的particles

半导体遵循“干入干出”(进出FOUP)的方式,CMP也不例外，并且CMP在磨结束后晶圆上会有很多的particles图2-3所示，所以要后续清洗干燥，后续清洗干燥可见本人的科技论文。

2.3半导体CMP 优点与缺点

2.3.1 半导体CMP 优点

图2-4:CMP的优点

台阶覆盖:指图形台阶的覆盖。高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯片并获得收益的关键所在。台阶覆盖的意义在于半导体集成电路器件的性能可靠性以及生产效率和工艺良品率的提高都有这种大的影响。

2.3.2 半导体CMP的缺点

图2-5:CMP缺点

第三章研磨抛光液对抛光效果的影响

3.1半导体CMP抛光液的介绍

Slurry研磨抛光液是CMP的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。研磨抛光液Slurry一般由超细固体粒子研磨剂如纳米级SiO2、Al2O3粒子等、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成。固体粒子提供研磨作用，化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。影响去除速度的因素有:研磨抛光液slurry的化学成分、浓度;磨粒的种类、大小、形状及浓度;研磨抛光液slurry的粘度、pH值、流速、流动途径等。研磨抛光液slurry的精确混合和批次之间的一致性对获得硅片与硅片、批与批的重复性是至关重要的，其质量是避免在抛光过程中产生表面划痕的一个重要因素。图3-1所示

图3-1:晶圆上的scratch

抛光不同的材料所需的slurry组成、pH值也不尽相同，最早也是最成熟的是氧化物研磨用slurry。用于氧化物介质的一种通用slurry是含超精细硅胶颗粒(均匀悬浮)的碱性氢氧化钾(KOH)溶液，或氢氧化胺(NH4OH)溶液。KOH类slurry由于其稳定的胶粒悬浮特性，是氧化物CMP中应用最广的一种slurry。K+离子是一种可移动的离子玷污，非常容易被互连氧化层，如硼磷硅玻璃(BPSG)俘获。NH4OH类的slurry没有可动离子玷污，但它的悬浮特性不稳定，并且成本较高。此类slurry的pH值通常为10-11，其中的水含量对表面的水合作用和后面的氧化物平坦化至关重要。

在金属钨(W)的CMP工艺中，使用的典型slurry是硅胶或悬浮Al2O3粒子的混合物，溶液的pH值在5.0,6.5之间。金属的CMP大多选用酸性条件，主要是为了保持较高的材料去除速率。一般来说，硅胶粉末比Al2O3要软，对硅片表面不太可能产生擦伤，因而使用更为普遍。W CMP使用的slurry的化学成分是过氧化氢(H2O2)和硅胶或Al2O3研磨颗粒的混合物。抛光过程中，H2O2分解为水和溶于水的O2，O2与W反应生成氧化钨(WO3)。WO3比W软，由此就可以将W去除了。

目前常用的是二氧化硅抛光液(图3-2所示)，它的外观呈乳白色或半透明液体，二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光

图3-2:slurry

它的特点具有:(1) 高抛光速率，利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的(可以生产150 nm)(2)粒度可控，根据不同需要，可生产不同粒度的产品(10-150 nm)(3)高纯度(Cu含量小于50 ppb)，有效减小对电子类产品的沾污(4)高平坦度加工，本品抛光利用SiO2的胶体粒子，不会对加工件造成物理损伤，达到高平坦化加工

3.2研磨抛光液对抛光效果的影响

3.2.1抛光液的化学性能及对抛光效果的影响

(1)pH值对抛光效果的影响

pH值决定了最基本的抛光加工环境，会对表面膜的形成、材料的去除分解及溶解度、抛光液的粘性等方面造成影响。常用的抛光液分为酸性和碱性两大类。

酸性抛光液具有可溶性好、酸性范围内氧化剂较多、抛光效率高等优点，常用于抛光金属材料，例如铜、钨、铝、钛等。当pH7时，随着pH值的增大，由于电化学反应、晶片表面氧化及蚀刻作用减弱，机械摩擦作用占据主导地位，导致抛光效率降低，表面刮痕尺寸增大，所以酸性抛光液的PH最优值为4，常通过加

入有机酸来控制。酸性抛光液的缺点是腐蚀性大，对抛光设备要求高，选择性不高，所以常向抛光液中添加抗蚀剂BTA提高选择性，但BTA的加入易降低抛光液的稳定性。碱性抛光液具有腐蚀性小、选择性高等优点，通常用于抛光非金属材料，例如硅、氧化物及光阻材料等。当pH7时，随着pH值的增大，表面原子、分子之间的结合力减弱，容易被机械去除，抛光效率提高，但表面刮痕尺寸增大;当PH12(5时，由于晶片表面亲水性增强，抛光效率开始降低，所以碱性

抛光液的pH最优值为10?11(5，常通过向水溶液中加入Na0H、KOH或NH40H来控制。碱性抛光液的致命缺点是不容易找到在弱碱性中氧化势高的氧化剂，导致抛光效率偏低。碱性抛光液的氧化剂主要有FeN033、K3FeCN6、 NH40H和一些有机碱。

(2)氧化剂对抛光效果的影响

金属材料的抛光过程中，为了能够快速地在加工表面形成一层软而脆的氧化膜，便于后续的机械去除，从而提高抛光效率和表面平整度，通常会在抛光液中加人一种或多种氧化剂。氧化剂种类会对抛光效果产生影响。抛光金属钨时常用的氧化剂有H202、FeNO33，及其混合物。H202:氧化性较弱，氧化反应仅仅发生在钨表面颗粒的边缘，只有当氧化产物W03溶解后，剩余的硬度较大部分才能暴露出来，参与下一次氧化反应;FeN033，中三价Fe离子氧化性较强，能在钨表面能够迅速形成硬度小、脆性大且容易去除的氧化层，从而提高了抛光效率和表面质量;当H202，FeN033混合剂时发生Fenton反应，生成氧化性更强的过氧氢氧自由基?OOH，氧化层的形成速度进一步加快，所以相对于FeNO33，抛光效率提高大约一倍。目前最常见的一种比较经济的氧化剂是H2O2。H2O2虽然能用于多种材料的化学机械抛光，但由于其化学性质不稳定，容易发生分解，从而影响抛光效果。为了增强H2O2的稳定性，通常会向抛光液中添加一些稳定剂，以防止其分解。例如在铜及氮化钛的抛光过程中，通常添加0(5,重量百分比的H3PO4。作为稳定剂，抛光效率显著提高。氧化剂的浓度会对抛光效果产生影响。在铝抛光过程中，随着氧化剂H2O2浓度的增加，氧化层形成速度加快且被及时去除，抛光效率提高，表面刮痕尺寸减小;但当氧化剂浓度增加到一定值时候，抛光效率反而降低，表面刮痕尺寸增大，其原因是化学反应速度大于机

械去除速度，氧化层不能及时被去除，阻碍了氧化反应的进行，机械去除也使得表面容易产生较大尺寸的刮痕，所以氧化剂H2O2浓度应控制在1,3,体积百分比。而在铜抛光过程中，抛光液中氧化剂H2O2的浓度最好控制在7,以下。此外，氧化剂的浓度也会影响抛光液中磨粒特别是金属磨粒的平均尺寸。随着氧化剂浓度的增加，磨粒的平均尺寸会减小，其原因是磨粒表面经氧化反应形成的氧化层，一部分溶解，另外一部分则被抛光垫去除。

(3)磨料对抛光效果的影响

化学机械抛光过程中磨料的作用是借助于机械力，将晶片表面经化学反应后形成的钝化膜去除，从而达到表面平整化的目的。目前常用的磨料有胶体硅、SiO2、Al2O3，及CeO2等。磨料的种类决定了磨粒的硬度、尺寸，从而影响抛光效果。抛光铝实验中，相对于Al2O3，磨料，胶体SiO2磨料能获得较好的表面平整度，表面刮痕数量少、尺寸小，其原因是胶体SiO2磨粒尺寸小，抛光时磨料嵌入晶片表面的深度较小，并且在优选其它参数的情况下，也能获得很高的抛光效率。磨料的浓度会影响抛光效果。抛光铝实验中，随着磨料胶体SiO2浓度的提高，单位面积参与磨削的磨粒数目增加，所以抛光效率提高，表面刮痕尺寸缓慢增大或基本保持不变;但磨料浓度过大时，抛光液的粘性增大，流动性降低，影响加工表面氧化层的有效形成，导致抛光效率降低。磨粒的尺寸也会对抛光效果产生影响，磨粒尺寸越小，表面损伤层厚度小。据统计，在硅片的精抛过程中，每次磨削层的厚度仅为磨粒尺寸的四分之一。为了有效地减小表面粗糙度和损伤层厚度，通常采用小尺寸的胶体硅15?20nm来代替粗抛时的胶体50?70nm;同时通过加强化学反应及提高产物的排除速度来提高抛光效率。

(4)分散剂对抛光效果的影响

理想的抛光液在复杂的化学环境及动态的加工条件下。都应具有足够的稳定性。但实际应用中，抛光液的磨料容易发生聚集硬聚集，产生了微量的大尺寸磨料颗粒，导致加工表面受力分布不均匀，粗糙度增大，表面缺陷增多，抛光过程难以控制，同时也影响了后续的表面清洗工作。为了消除硬聚集现象，通常在抛光之前对抛光液进行必要的过滤。但过滤并不能完全消除聚集现象，其原因是在实际抛光过程中，加工参数的波动会导致磨料的瞬时聚集软聚集，从而影响加工表面质量。因此，为了消除聚集现象，使磨料悬浮均匀，通常在抛光液特别是离子浓度大且酸碱度很高的抛光液中加入适量的分散剂。分散剂可以使磨料颗粒之间产生排斥力，防止磨料聚集。从而保证抛光液的稳定性，减少加工表面缺陷。但随着分散剂的加入，磨料颗粒与加工表面之间会发生交互作用，形成表面活性分子，导致摩擦力减小，抛光效率降低。

3.3.2抛光液的物理性能及对抛光效果的影响

(1)流速对抛光效果的影响

研究表明，当抛光液的流速较小时，晶片、磨料及抛光垫三者之间的摩擦力增大，温度升高，导致加工表面粗糙度增大，表面平整度降低;当流速较大时，能够使反应产物及时脱离加工表面(还可以降低加工区域的温度，使得加工表面温度相对一致，从而获得较好的表面质量。但抛光液流速过大时，又会破坏加工表面平整度，降低抛光效率。目前很多公司广泛应用的一种方法是抛光开始阶段采用较小的流速，随着加工区域温度的升高，流速逐渐提高至平均值，最后阶段采用较大的流速。

(2)粘性对抛光效果的影响

抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式。接触模式可借助

Hersey number来描述。

Hersey numberviscosity×velocity,pressure

从上式可知，Hersey number与抛光液的粘性、相对速度及抛光压力有关。在其它参数不变的情况下，当抛光液粘性较小时，Hersey number 较小，接触模式属于边界模型，晶片、抛光垫之间形成的流体层薄膜厚度较小，近似与一种完全的固体-固体接触，摩擦系数较大，抛光效率较高;当抛光液粘性较大时Hersey number达到一定值以后，接触模式属于弹性流体力学模型固体-液体接触或流体力学模型液体-液体接触，薄膜厚度较大，摩擦系数较小，抛光效率较低。抛光液的粘性还会影响抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应。在氧化物的抛光过程中，随着添加剂的加入，抛光液的粘性增大，抛光效率线性降低，其原因是添加剂阻碍了抛光液的均匀分布和有效流动。在钨的抛光过程中，仅加入少量的添加剂，抛光效率显著降低，继续加入添加剂时，抛光效率基本不变，仍维持在一个很小值，其原因是添加剂阻碍了加工表面氧化层的进一步形成，材料去除主要依靠机械摩擦作用来完成

(3)温度对抛光效果的影响

随着抛光液温度的升高，化学反应速度加快，抛光效率提高。但温度过高时，化学反应过于剧烈，易造成表面疲劳破损层的厚度增大，从而影响加工表面质量。此外，抛光液的粘性也容易受到温度的影响，随着抛光液温度的升高，抛光液的粘性降低。所以评价抛光液的性能时，应充分考虑温度的影响。

(4)抛光液的循环使用

虽然化学机械抛光技术在半导体材料精加工方面得到广泛应用，并取得显著成果，但由于某些问题的存在如成本高等，限制了该技术的进一步发展。

据统计，仅用于购买商业化抛光液的费用就占整个抛光过程成本的50,。而在

实际加工过程中，仅很小一部分抛光液的化学及物理性能发生改变，其

范文四：研磨抛光

工具研磨抛光

开口梅花棘轮扳手抛光

1热处理 2:放入振动研磨机研磨抛光:机型选用振动研磨机,放入高铝瓷磨料,最好是放入高频瓷磨料,磨料放至机台的 60-70%,放水清洗机台磨料三致五分钟,打开排水阀门待水漏干 90%,关闭阀门 ,待水注满阀门管内空间后加入产品,产品的投放量与机台的大小决定,放入产品的时候尽量轻拿轻放减少碰撞,然后加研磨切削液, 首次投放量为产品比药水比为:100KG :3KG ,倒入研磨液时注意尽量沿四周倒入,使其研磨液在机台内均匀,研磨时间为 120分钟至 150分钟,产品在机台内研磨至 20分钟左右产品会变为黑色,这时候您不必惊讶,这是药效在正常发挥,待产品慢慢从黑色变为产品本身材料颜色的时候,就是药水失去功能的时候,一般药水的药效为 120分钟左右,待药水失去药效的时候,请打开阀门,加入清水清洗机台 ,清洗机台 3-4分钟,清洗 50%干净时停止加水,待水漏干 90%后关闭阀门,待水注满阀门管内空间的时候加入研磨切削液,投放量与首次一样,研磨产品从黑色变为白色的时候, 请检查产品表面的钢材纹路和粗糙氧化层有没有,表面是不是光滑,假如还不够光滑,一般产品打砂 240#.280#.320#经过两次研磨基本就可以了, 请像第二次一样重复一下同样的操作,此时打开阀门,加水清洗,清洗时间不要太长,大概 3-4分钟 , 防止产品在机台内生锈,此时可以把产品捡出,放在防锈液内浸泡 5-10秒

后取出,可以发电镀,研磨抛光的工艺完成 3:防锈处理 4:电镀

套筒扳手研磨抛光

套筒扳手及十字扳手, L 型扳手研磨抛光流程如下: 1:表面拉纹太深的,要用车床车平或打砂 1:热处理 2:放入振动研磨机研磨抛光:机型选用振动研磨机,放入高铝瓷磨料,最好是放入高频瓷磨料,磨料放至机台的 60-70%,放水清洗机台磨料三致五分钟,打开排水阀门待水漏干 90%, 关闭阀门,待水注满阀门管内空间后加入产品 ,产品的投放量与机台的大小决定,放入产品的时候尽量轻拿轻放减少碰撞,然后加研磨切削液,首次投放量为产品比药水比为:100KG :3KG ,倒入研磨液时注意尽量沿四周倒入,使其研磨液在机台内均匀,研磨时间为 120分钟至 150分钟,产品在机台内研磨至 20分钟左右产品会变为黑色,这时候您不必惊讶,这是药效在正常发挥 ,待产品慢慢从黑色变为产品本身材料颜色的时候,就是药水失去功能的时候,一般药水的药效为 120分钟左右,待药水失去药效的时候,请打开阀门,加入清水清洗机台,清洗机台 3-4分钟,清洗 50%干净时停止加水 , 待水漏干 90%后关闭阀门 , 待水注满阀门管内空间的时候加入研磨切削液, 投放量与首次一样,研磨产品从黑色变为白色的时候,请检查产品表面的钢材纹路和粗糙氧化层有没有, 表面是不是光滑,假如还不够光滑,请像第二次一样重复一下同样的操作 ,一般产品这样磨两次均可以去除丝纹了 ,此时打开阀门,加水清洗,清洗时间不要太长,大概 3-4

分钟,防止产品在机台内生锈,此时可以把产品捡出,放在防锈液内浸泡 5-10秒后取出,可以发电镀,研磨抛光的工艺完成 3:防锈处理 4:电镀

六角扳手镙丝刀抛光

内六角,批咀 ,镙丝刀研磨抛光流程如下: 1:热处理 2:放入振动研磨机研磨抛光:机型选用振动研磨机,放入高铝瓷磨料,最好是放入高频瓷磨料,磨料放至机台的 60-70%, 放水清洗机台磨料三致五分钟 ,打开排水阀门待水漏干 90%,关闭阀门,待水注满阀门管内空间后加入产品,产品的投放量与机台的大小决定,放入产品的时候尽量轻拿轻放减少碰撞, 然后加研磨切削液,首次投放量为产品比药水比为:100KG :3KG ,倒入研磨液时注意尽量沿四周倒入,使其研磨液在机台内均匀,研磨时间为 120分钟至 150分钟,产品在机台内研磨至 20分钟左右产品会变为黑色,这时候您不必惊讶 ,这是药效在正常发挥,待产品慢慢从黑色变为产品本身材料颜色的时候 ,就是药水失去功能的时候,一般药水的药效为 120分钟左右,待药水失去药效的时候,请打开阀门,加入清水清洗机台,清洗机台 3-4分钟,清洗 50%干净时停止加水,待水漏干 90%后关闭阀门,待水注满阀门管内空间的时候加入研磨切削液,投放量与首次一样,研磨产品从黑色变为白色的时候,请检查产品表面的钢材纹路和粗糙氧化层有没有,表面是不是光滑 ,假如还不够光滑,请像第二次一样重复一下同样的操作, 此时打开阀门 ,加水清洗,清洗时间不要太长 ,大概 3-4分钟,防止产品在机台内生锈 ,此时可以把产品捡出,放在防锈液内浸泡 5-10秒后取出, 可以发电镀 , 研磨抛光的工艺完成 3:防锈处理 4:电镀研磨药剂的使用及特性

切削剂

切削剂 , 研磨剂 , 手工具切削剂 , 五金工具切削剂 , 手工具抛光剂传统的手工具(包括各种扳手、批咀、套筒等)加工方法,不但费时费力,生产成本高;而且表面光洁度不稳定,远远不能满足各行各业用户的需要, 目前我公司从台湾引进振动研磨抛光工艺,大大地提高了生产效率,降低了生产成本,减轻了工人的劳动强度,产品的质量也得到保证。目前我公司供应手工具研磨抛光机械、研磨抛光辅助化学药剂、研磨抛光人造磨料、研磨抛光工艺并代客加工,如有需要请与我司联系。名称编号形状规格用途切削剂 CH-309液状 50KG/桶适合手工具研磨切削光泽剂 CH-310液状 50KG/桶适合手工具抛光

抛光剂

抛光液特性抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂 , 具有良好的去油污,防锈,清洗和增光性能, 并能使金属制品超过原有的光泽。本产品性能稳定、无毒,对环境无污染等作用,光液使用方法:包括棘轮扳手、开口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺丝刀等,铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后,再使用抛光剂配合振动研磨光饰机 , 滚桶式研磨光式机进行抛光; 1抛光剂投放量为(根据不同产品的大小,光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置), 2:抛光时间:根据产品的状态来定。 3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

防锈剂

用水性防锈剂是一种水基防锈溶液 , 可有效的保护钢、铁等材料 , 防止生锈。根据防锈期要求的不同 , 和水按一定比混合使用 , 防锈期限可达到几天至几月。性能特点 : 1:具有优秀的防锈性。 2:使用方便 , 可浸泡操作。 3:对黑色金属或有色金属都是优良选择 , 尤其是铸铁工件 , 不会玷污零件表面。 4:完全水溶性 , 无毒无味 , 不燃烧 , 安全可靠。 5:成本低廉 , 可代替防锈油。 6:工件美观 , 不留痕迹 , 不影响精度。

范文五：研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响毕业设计(论文)

题目研磨抛光液对CMP研磨抛光工

艺的影响

2013年 4 月

研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要:半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的进步和物质文化生活水平的提高，由其兴起的半导体产业越来越受到各国的重视，自20世纪以来取得了长足的发展。本文主要采用了文献研究法和调查法，通过查找互联网和书籍文献，及在从事半导体产业的工厂中的实习，获得了大量的资料。本文主要研究半导体产业的相关知识，说明半导体产业在国内国外目前的发展历史并讨论半导体产业的发展应用。随着半导体技术愈加精细化，晶圆尺寸由6英寸(150mm)，8英寸(200mm)，12英寸(300mm)，甚至未来的18英寸(450mm)从而越来越大，在半导体领域中化学机械抛光(CMP)占有着越来越重要的作用，本文在分析CMP工艺的基础上，及初步了解与分析了CMP半导体晶片过程中抛光液的重要作用，总结了抛光液的组成及其化学性能(氧化剂、磨料及pH值等)和物理性能(流速、粘性及温度)对抛光效果的影响规律。本文是在前人研究的基础上，进行深入了解，希望从而对半导体产业向前发展起到一定的积极作用。

关键词:半导体，化学机械抛光，抛光液

Grinding and polishing liquid's influence on the

CMP polishing process

12 inches (300 mm), and even the future of 18 inches (450 mm) and so more and more big ，in the field of the semiconductor chemical mechanical polishing (CMP) plays a more important role in the future, in this paper, based on the analysis of the CMP process, and preliminary understanding and analysis of the CMP polishing fluid is important role in the process of semiconductor chips, summarized the composition and chemical properties of the polishing fluid (oxidant, abrasive and pH value, etc.) and physical properties (velocity, viscosity, and temperature) on the polishing effect. This article is on the basis of predecessors' research, in-depth understanding, I hope it play a positive role to the semiconductor industry development.

Keywords: semiconductor, chemical mechanical polishing, polishing liquid

前言 .......................................................................................................................... 1 第一章半导体技术的简介...................................................................................... 3 1.1半导体的概述 ................................................................................................. 3

1.1.1 半导体的概述 ........................................................................................ 3

1.1.2 半导体的制作流程 ................................................................................. 4 1.2半导体产业的发展现状 ................................................................................. 7 第二章半导体化学机械抛光(CMP) .......................................................................10

2.1半导体CMP的发展历史 ................................................................................10 2.2半导体CMP工艺技术 .................................................................................... 11 2.3半导体CMP 优点与缺点 ................................................................................13

2.3.1 半导体CMP 优点 ...................................................................................13

2.3.2 半导体CMP的缺点 ................................................................................14 第三章研磨抛光液对抛光效果的影响 .................................................................16

3.1半导体CMP抛光液的介绍 ................................................... 16

3.2研磨抛光液对抛光效果的影响 ............................................ 17

3.2.1抛光液的化学性能及对抛光效果的影响 ......................... 17

3.3.2抛光液的物理性能及对抛光效果的影响 ......................... 20

总结与体会..............................................................................................................22 致谢 .........................................................................................................................23 参考文献 .................................................................................................................24

iii

前言

几十年直到第二次世界大战。

对半导体产业的重视。当今，半导体产业已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。

第一章半导体技术的简介

1.1半导体的概述

1.1.1 半导体的概述

半导体技术的演进，除了改善性能与可靠性外，另一重点就是降低成本。降低成本的方式，除了改良制作方法，包括制作流程与采用的设备外，如果能在硅芯片的单位面积内产出更多的IC，成本也会下降。所以半导体技术的一个非常重要的发展趋势，就是把晶体管微小化。当然组件的微小化会带来性能的改变，幸运的是，这种演进会使IC大部分的特性变好，只有少数变差，而这些就需要利用其它技术来弥补了。

半导体制程是一项复杂的制作流程，先进的IC所需要的制作程序达一千个以上的步骤。这些步骤先依不同的功能组合成小的单元，称为单元制程，如蚀刻、微影与薄膜制程;几个单元制程组成具有特定功能的模块制程，如隔绝制

程模块、接触窗制程模块或平坦化制程模块等;最后再组合这些模块制程成为某种特定 IC 的整合制程。

以前我们都称IC技术是微电子技术，那是因为晶体管的大小是在微米(10-6米)等级。但是半导体技术发展得非常快，每隔两年就会进步一个世代，尺寸会缩小成原来的一半，这就是有名的摩尔定律(Moore?s Law)。

大约在15年前，半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，而后是深次微米，比微米小很多的时代。到了2001年，晶体管尺寸甚至已经小于0.1微米，也就是小于100纳米。因此现在是纳米电子时代，未来的IC大部分会由纳米技术做成。但是为了达到纳米的要求，半导体制程的改变须从基本步骤做起。每进步一个世代，制程步骤的要求都会变得更严格、更复杂。

1.1.2 半导体的制作流程

(1)清洗

药液槽清洗槽超纯水超纯水超纯水药液

清洗排水3 清洗排水2 废药液清洗排水1 清洗水回收系统

废液收集系统废水处理系

统

图1,1:硅片清洗工艺示意图

工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。

(2)热氧化

Si + O2 ? SiO2

(3)扩散

2PH3 ? 2P + 3H2

阻挡层 P/N-Si片掺杂区

P/N-Si片

图1-2:扩散示意图

(4)离子注入

离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质(原子)离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。

(5)光刻

光刻胶

基片涂胶后基片

曝光后基片显影后基片

图1-3: 光刻示意图

(6)湿法腐蚀和等离子刻蚀

通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就是湿法腐蚀或干法刻蚀。湿法腐蚀或干法刻蚀后，要去除上面的光刻胶。

湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，去除不同的物质使用不同的材料。对不同的对象，典型使用的腐蚀材料为:

腐蚀硅(Si) —— 使用氢氟酸加硝酸(HF + HNO3)

腐蚀二氧化硅(SiO2) —— 使用氢氟酸(HF)

腐蚀氮化硅(Si3N4) —— 使用热磷酸(热H3PO4)

干法刻蚀是在等离子气氛中选择性腐蚀基材的过程，刻蚀气氛通常含有F等离子体或碳等离子体，因此刻蚀气体通常使用CF4类的气体。

(7)化学气相沉积(CVD)

CVD被使用来在硅片上沉积氧化硅、氮化硅和多晶硅等半导体器件材料，是在300~900?的温度下通过化学反应产生以上物质的过程。典型的化学反应为:

SiH4 + O2 ? SiO2 + 2 H2O

生长过程中掺磷时加磷烷的反应为:

4 PH3 + 5 O2 ? 2 P2O5 + 6 H2

SiH2Cl2 +2 N2O ? SiO2 + 2 N2 + 2 HCl

化学气相沉积根据CVD反应的气氛和气压可分为低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)和离子增强CVD(PECVD)等。

(8)金属沉积

在硅基片上沉积金属以作为电路的内引线的方法有蒸发、溅射、CVD等，亚微米集成电路生产通常采用溅射的方法。

铝是常用的金属沉积材料，其它的材料包括金、钛、钼、钨、钛钨合金、钯、铜也在一些器件上采用。

(9)化学机械抛光(CMP)

(10)背面减薄(BG)

在芯片的生产过程中，芯片太薄不利于芯片生产。通常在芯片生产结束后，用细砂轮将芯片的背面进行研削，使芯片减至一定的厚度。

1.2半导体产业的发展现状

(1)全球半导体产业简况

根据WSTS统计，2006年全球半导体市场销售额达2477亿美元，比2005年增长8.9%;产量为5192亿颗，比2005年增长14.0%;ASP(Action serve page)

为0.477美元，比2005年下降4.5%。从全球范围来看，包括计算机、通信、消费电子在内的3C产业是半导体产品的最大应用领域，其后是汽车电子和工业控制等领域。

美、日、欧、韩以及中国台湾是目前半导体产业领先的国家和地区。2006年世界前25位的半导体公司全部位于美国、日本、欧洲、韩国。2005年，美国和日本分别占有48%和23%的市场份额，合计达71%。韩国和台湾的半导体产业进步很快。韩国三星已经位列全球第二;台积电(TSMC)的收入在2007年上半年有了很大的提高，排名快速升至第6，成为2007年上半年进入前20名的唯一一家台湾公司，这从一个侧面反映了台湾代加工业非常发达。

(2)中国半导体产业简况

中国已经成为全球第一大半导体市场，并且保持较高的增长速度。2006年，中国半导体市场规模突破5800亿，其中集成电路市场达4863亿美元，比2005年增长27.8%，远高于全球市场8.9%的增速。我国市场已经达到全球市场份额的四分之一强。在市场增长的同时，我国半导体产业成长迅速。以集成电路产业为例，2006年国内生产集成电路355.6亿块，同比增长36.2%。实现收入1006.3亿元，同比增长43.3%。我国半导体产业规模占世界比重还比较低，但远高于全球总体水平的增长率让我们看到了希望。中国集成电路的应用领域与国际市场有类似之处。2006年，3C(计算机、通信、消费电子)占了全部应用市场的88.5%，高于全球比例。而汽车电子1.3%的比例，比起2005年的1.1%有所提高，仍明显低于全球市场的8.0%。与此相对应的是，我国汽车市场销量呈增长态势，汽车电子国产化比例逐步提高。这说明，在汽车电子等领域，我国集成电路应用仍有较大成长空间

(3)我国在国际半导体产业中所处地位

由于我国具有劳动力竞争优势，国际半导体企业把技术含量相对较低、劳动密集型的产业链环节向我国转移。我国半导体产业逐渐成为国际产业链的一环。产业链调整和转移的结果是，我国半导体产业在低技术、劳动密集型和低附加值的环节得到了优先发展。2006年，我国IC设计、制造和封装测试业所占的比重分别是18.5%、30.7%和50.8%。一般认为比较合理的比例是3:4:3。封装测试在我国先行一步，发展最快，规模也最大，是全球半导体产业向中国转移比较充分的环节。而处于上游的IC设计成为最薄弱的环节。芯片制造业介于前两者之间，目前跨国公司已经开始把芯片制造逐步向我国转移，中芯国际等国内企业发展也比较快。

这样的产业结构特点说明，国内的半导体企业多数并未直接面对半导体产品的用户—电子设备制造商和工业、军事设备制造商，甚至多数也没有直接分享国内市场。更多的是充当国际半导体产业链的一个中间环节，间接服务于国际国内电子设备市场。这种结构，利润水平偏低，定价能力不强，客户结构对于企业业绩影响较大。究其原因，还是国内技术水平低，高端核心芯片、关键设备、材料、IP等基本依赖进口，相关标准和专利受制于人。国内企业发展也不够成熟，规模偏小，设计、制造、应用三个环节脱节。

第二章半导体化学机械抛光(CMP) 2.1半导体CMP的发展历史

CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题(如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限)严重影响了大规模集成电路(LSI)的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层(SOD)等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。

CMP(Chemical Mechanical Polishing )技术的最早出现是在20世纪80年代中期，为满足光刻工艺的平坦化要求，由IBM公司利用Strasburgh公司生产的抛光机在East Fishkill工厂进行CMP工艺开发的。1988年IBM开始将CMP工艺用于4M DRAM器件的制造。1990年IBM公司便将其利用CMP技术的4M DRAM工艺转让给Micro Technology公司。不久之后，便与MotorolA公司联合行动，共同进入PC机生产领域。

目前，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线检测、终点检测、清洗、甩干等技术于一体的化学机械平坦化技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物;是硅圆片由200 mm向300 mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。

半导体工艺对于CMP技术的这种依赖主要来自于器件加工尺寸的不断微细化而出现的多层布线和一些新型介质材料的引入，特别是进入250 nm节点以后的Al布线和进入130 nm节点以后的Cu布线之后，CMP工艺的重要性便日显突出。130 nm节点的多层金属互连为7-8层，90 nm节点的多层金属互连为8,9层，金属互连的金属层间介质的增加，必然导致晶片表面严重的不平整，以致无法满足图形曝光的焦深要求，为解决这一矛盾和提高芯片的成品率，要求晶

圆表面必须平整、光滑和洁净，CMP工艺便是目前最有效、最成熟的平坦化技术。

CMP技术发展历程可分为3个阶段:第一阶段在铜布线工艺之前，主要研磨对象为钨(W)和氧化物;第二阶段在1997年,2000年进入铜双镶嵌工艺之后，研磨对象从二氧化硅拓展到氟硅酸盐玻璃(FSG),这个阶段对应于从0(25μM进入0(13μM节点;第三阶段目前是采用铜互连和低k(介电常数)介质，研磨对象主要为铜互连层，层间绝缘膜和浅沟道隔离(STI),这个阶段对应于从90,65 nm节点。

2.2半导体CMP工艺技术

化学机械平坦化 (英语:Chemical-Mechanical Planarization, CMP)，又称化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing)，是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。

(1)工艺描述

(2)工作机理

化学机械平坦化是在机械抛光的基础上根据所要抛光的表面加入相应的化学添加剂从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。

(3)氧化硅抛光

氧化硅抛光主要被应用于平坦化金属层间淀积的层间介质(ILD)，其基本机理是Cook理论。磨料中的水和氧化硅发生表面水合作用，从而使氧化硅的硬

度、机械强度等有效降低，在机械力的作用下将氧化硅去除。氧化硅的去除速率主要由Preston方程表达。

(4)金属抛光

金属抛光与氧化硅抛光机理有一定的区别，采用氧化的方法使金属氧化物在机械研磨中被去除。图2-1 CMP示意图

图2-1:CMP示意图

和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素(图2-2)，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。

图2-2:CMP消耗品

图2-3:晶圆上的particles

半导体遵循“干入干出”(进出FOUP)的方式,CMP也不例外，并且CMP在磨结束后晶圆上会有很多的particles(图2-3所示)，所以要后续清洗干燥，后续清洗干燥可见本人的科技论文。

2.3半导体CMP 优点与缺点

2.3.1 半导体CMP 优点

图2-4:CMP的优点

2.3.2 半导体CMP的缺点

图2-5:CMP缺点

第三章研磨抛光液对抛光效果的影响 3.1半导体CMP抛光液的介绍

Slurry(研磨抛光液)是CMP的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。研磨抛光液Slurry一般由超细固体粒子研磨剂(如纳米级SiO2、Al2O3粒子等)、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成。固体粒子提供研磨作用，化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。影响去除速度的因素有:研磨抛光液slurry的化学成分、浓度;磨粒的种类、大小、形状及浓度;研磨抛光液slurry的粘度、pH值、流速、流动途径等。研磨抛光液slurry的精确混合和批次之间的一致性对获得硅片与硅片、批与批的重复性是至关重要的，其质量是避免在抛光过程中产生表面划痕的一个重要因素。图3-1所示

图3-1:晶圆上的scratch

在金属钨(W)的CMP工艺中，使用的典型slurry是硅胶或悬浮Al2O3粒子的混合物，溶液的pH值在5.0,6.5之间。金属的CMP大多选用酸性条件，

主要是为了保持较高的材料去除速率。一般来说，硅胶粉末比Al2O3要软，对硅片表面不太可能产生擦伤，因而使用更为普遍。W CMP使用的slurry的化学成分是过氧化氢(H2O2)和硅胶或Al2O3研磨颗粒的混合物。抛光过程中，H2O2分解为水和溶于水的O2，O2与W反应生成氧化钨(WO3)。WO3比W软，由此就可以将W去除了。

图3-2:slurry

3.2研磨抛光液对抛光效果的影响

3.2.1抛光液的化学性能及对抛光效果的影响

(1)pH值对抛光效果的影响

酸性抛光液具有可溶性好、酸性范围内氧化剂较多、抛光效率高等优点，常用于抛光金属材料，例如铜、钨、铝、钛等。当pH<>

电化学反应、晶片表面氧化及蚀刻作用减弱，机械摩擦作用占据主导地位，导致抛光效率降低，表面刮痕尺寸增大，所以酸性抛光液的PH最优值为4，常通过加入有机酸来控制。酸性抛光液的缺点是腐蚀性大，对抛光设备要求高，选择性不高，所以常向抛光液中添加抗蚀剂BTA提高选择性，但BTA的加入易降低抛光液的稳定性。碱性抛光液具有腐蚀性小、选择性高等优点，通常用于抛光非金属材料，例如硅、氧化物及光阻材料等。当pH>7时，随着pH值的增大，表面原子、分子之间的结合力减弱，容易被机械去除，抛光效率提高，但表面刮痕尺寸增大;当PH>12(5时，由于晶片表面亲水性增强，抛光效率开始降低，所以碱性抛光液的pH最优值为10—11(5，常通过向水溶液中加入Na0H、KOH或NH40H来控制。碱性抛光液的致命缺点是不容易找到在弱碱性中氧化势高的氧化剂，导致抛光效率偏低。碱性抛光液的氧化剂主要有Fe(N03)3、K3Fe(CN)6、 NH40H和一些有机碱。

(2)氧化剂对抛光效果的影响

金属材料的抛光过程中，为了能够快速地在加工表面形成一层软而脆的氧化膜，便于后续的机械去除，从而提高抛光效率和表面平整度，通常会在抛光液中加人一种或多种氧化剂。氧化剂种类会对抛光效果产生影响。抛光金属钨时常用的氧化剂有H202、Fe(NO3)3，及其混合物。H202:氧化性较弱，氧化反应仅仅发生在钨表面颗粒的边缘，只有当氧化产物(W03)溶解后，剩余的硬度较大部分才能暴露出来，参与下一次氧化反应;Fe(N03)3，中三价Fe离子氧化性较强，能在钨表面能够迅速形成硬度小、脆性大且容易去除的氧化层，从而提高了抛光效率和表面质量;当H202，Fe(N03)3混合剂时发生Fenton反应，生成氧化性更强的过氧氢氧自由基(?OOH)，氧化层的形成速度进一步加快，所以相对于Fe(NO3)3，抛光效率提高大约一倍。目前最常见的一种比较经济的氧化剂是H2O2。H2O2虽然能用于多种材料的化学机械抛光，但由于其化学性质不稳定，容易发生分解，从而影响抛光效果。为了增强H2O2的稳定性，通常会向抛光液中添加一些稳定剂，以防止其分解。例如在铜及氮化钛的抛光过程中，通常添加0(5,(重量百分比)的H3PO4。作为稳定剂，抛光效率显著提高。氧化剂的浓度会对抛光效果产生影响。在铝抛光过程中，随着氧化剂(H2O2)浓度的增加，氧化层形成速度加快且被及时去除，抛光效率提高，表面刮痕尺寸减小;但当氧化剂浓度增加到一定值时

候，抛光效率反而降低，表面刮痕尺寸增大，其原因是化学反应速度大于机械去除速度，氧化层不能及时被去除，阻碍了氧化反应的进行，机械去除也使得表面容易产生较大尺寸的刮痕，所以氧化剂(H2O2)浓度应控制在1,3,(体积百分比)。而在铜抛光过程中，抛光液中氧化剂(H2O2)的浓度最好控制在7,以下。此外，氧化剂的浓度也会影响抛光液中磨粒(特别是金属磨粒)的平均尺寸。随着氧化剂浓度的增加，磨粒的平均尺寸会减小，其原因是磨粒表面经氧化反应形成的氧化层，一部分溶解，另外一部分则被抛光垫去除。

(3)磨料对抛光效果的影响

化学机械抛光过程中磨料的作用是借助于机械力，将晶片表面经化学反应后形成的钝化膜去除，从而达到表面平整化的目的。目前常用的磨料有胶体硅、SiO2、Al2O3，及CeO2等。磨料的种类决定了磨粒的硬度、尺寸，从而影响抛光效果。抛光铝实验中，相对于Al2O3，磨料，胶体SiO2磨料能获得较好的表面平整度，表面刮痕数量少、尺寸小，其原因是胶体SiO2磨粒尺寸小，抛光时磨料嵌入晶片表面的深度较小，并且在优选其它参数的情况下，也能获得很高的抛光效率。磨料的浓度会影响抛光效果。抛光铝实验中，随着磨料(胶体SiO2)浓度的提高，单位面积参与磨削的磨粒数目增加，所以抛光效率提高，表面刮痕尺寸缓慢增大或基本保持不变;但磨料浓度过大时，抛光液的粘性增大，流动性降低，影响加工表面氧化层的有效形成，导致抛光效率降低。磨粒的尺寸也会对抛光效果产生影响，磨粒尺寸越小，表面损伤层厚度小。据统计，在硅片的精抛过程中，每次磨削层的厚度仅为磨粒尺寸的四分之一。为了有效地减小表面粗糙度和损伤层厚度，通常采用小尺寸的胶体硅(15—20nm)来代替粗抛时的胶体(50—70nm);同时通过加强化学反应及提高产物的排除速度来提高抛光效率。

(4)分散剂对抛光效果的影响

理想的抛光液在复杂的化学环境及动态的加工条件下。都应具有足够的稳定性。但实际应用中，抛光液的磨料容易发生聚集(硬聚集)，产生了微量的大尺寸磨料颗粒，导致加工表面受力分布不均匀，粗糙度增大，表面缺陷增多，抛光过程难以控制，同时也影响了后续的表面清洗工作。为了消除硬聚集现象，通常在抛光之前对抛光液进行必要的过滤。但过滤并不能完全消除聚集现象，其原因是在实际抛光过程中，加工参数的波动会导致磨料的瞬时聚集(软聚集)，从而影响

加工表面质量。因此，为了消除聚集现象，使磨料悬浮均匀，通常在抛光液(特别是离子浓度大且酸碱度很高的抛光液)中加入适量的分散剂。分散剂可以使磨料颗粒之间产生排斥力，防止磨料聚集。从而保证抛光液的稳定性，减少加工表面缺陷。但随着分散剂的加入，磨料颗粒与加工表面之间会发生交互作用，形成表面活性分子，导致摩擦力减小，抛光效率降低。

3.3.2抛光液的物理性能及对抛光效果的影响

(1)流速对抛光效果的影响

(2)粘性对抛光效果的影响

抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式。接触模式可借助Hersey number来描述。

Hersey number=viscosity×velocity,pressure

从上式可知，Hersey number与抛光液的粘性、相对速度及抛光压力有关。在其它参数不变的情况下，当抛光液粘性较小时，Hersey number 较小，接触模式属于边界模型，晶片、抛光垫之间形成的流体层薄膜厚度较小，近似与一种完全的固体-固体接触，摩擦系数较大，抛光效率较高;当抛光液粘性较大时Hersey number达到一定值以后，接触模式属于弹性流体力学模型(固体-液体接触)或流体力学模型(液体-液体接触)，薄膜厚度较大，摩擦系数较小，抛光效率较低。抛光液的粘性还会影响抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应。在氧化物的抛光过程中，随着添加剂的加入，抛光液的粘性增大，抛光效率线性降低，其原因是添加剂阻碍了抛光液的均匀分布和有效流动。在钨的抛光过程中，仅加入少量的添加剂，抛光效率显著降低，继续加入添加剂时，抛光效率基本不变，仍维

持在一个很小值，其原因是添加剂阻碍了加工表面氧化层的进一步形成，材料去除主要依靠机械摩擦作用来完成

(3)温度对抛光效果的影响

(4)抛光液的循环使用

虽然化学机械抛光技术在半导体材料精加工方面得到广泛应用，并取得显著成果，但由于某些问题的存在(如成本高等)，限制了该技术的进一步发展。据统计，仅用于购买商业化抛光液的费用就占整个抛光过程成本的50,。而在实际加工过程中，仅很小一部分抛光液的化学及物理性能发生改变，其余部分未能被有效利用。因此，抛光液的合理利用对于降低抛光加工的成本具有重要意义。目前常用的方法有稀释抛光液法、混合使用新旧抛光液法及循环使用法等。前两种方法虽然在一定程度上降低了成本，但抛光效果不理想;循环使用法是目前最先进、效果最好的一种方法。Yong—Jin Seo等将使用过的商业化抛光液经过滤后提取的磨料颗粒(硅石)，在600?的电炉中退火一小时后发现，小尺寸的磨粒增多，且机械性能得到提高;制成抛光液进行氧化物抛光。实验发现，抛光效果与商业化抛光液的效果基本一致。

Thom F(A(Bibby等开发了一个抛光液回收系统该系统可以修复使用过的商业化抛光液(特别是其化学性能)，经过滤后可重复使用。在输送至抛光盘之前，抛光液的性质(包括pH值、导电性及温度)都通过传感器进行监控，从而有效降低了抛光液的污染。经抛光实验发现，抛光效果与商业化抛光液的效果基本一致，表面平整度甚至略微提高，而抛光液的消耗量仅为原来的20,，很大程度上降低了加工成本。

总结与体会

从CMP技术的大量研究可以发现，尽管CMP技术在微电子和光学玻璃以及计算机磁盘等方面得到了广泛应用，可是CMP技术的研究仍然处于半经验阶段。如何探知CMP材料去除的微观机理，以及应用数学模型定性、定量计算材料去除率，是摆在科研工作者面前重要的任务。数学模型的建立，有利于CMP技术从半经验走向精确控制的发展。

综上所述，目前对CMP材料去除机理的研究已经进入到原子/分子层次，随纳米技术的进一步发展和CMP磨粒尺寸的减小，CMP材料原子/分子去除机理将成为CMP研究的一个富有活力的新分支。希望本论文有助于CMP研磨与抛光，将为CMP工艺节约大量的研磨与抛光时间;作为重中之重的研磨抛光液slurry研究的最终目的是找到化学作用和机械作用的最佳结合，以致能获得去除速率高、平面度好、膜厚均匀性好及选择性高的研磨抛光液slurry。此外还要考虑易清洗性、对设备的腐蚀性、废料的处理费用及安全性等问题。与二十多年前相比，研磨抛光液slurry的研究已经从基于经验转变为成熟的基于理论和实践的结合。因此，最终用户可以更好地控制并提高系统和工艺的稳定性、可靠性及可重复性。

致谢

几个多月的时间终于将这篇论文写完，在论文的写作过程中遇到了很多困难，为此，我向热心帮助过我的所有老师和同学表示由衷的感谢!在论文工作中，遇到了许许多多这样那样的问题，有的是专业上的问题，有的是论文格式上的问题，论文指导***老师对我进行了悉心的指导和帮助，不厌其烦的帮助我进行论文的修改和改进，***老师以其渊博的学识、严谨的治学态度、求实的工作作风和她敏捷的思维给我留下了深刻的印象，我将终生难忘我的***老师对我的亲切关怀和悉心指导，再一次向她表示衷心的感谢，感谢她为学生营造的浓郁学术氛围，以及学习上的无私帮助! 值此论文完成之际，谨向***老师致以最崇高的谢意!

与此同时更要感谢半导体行业的先驱者，感谢你们为人类更好的生活所做的思考和实践，没有你们的辛勤研究，就没有人类社会的和谐与繁荣。

由于我的学术水平有限，本文难免有很多不足，恳请各位老师批评和指正～

参考文献

[1] 翁寿松.世界半导体产业的十大发展趋势(半导体行业，2004

[2] 杨德仁等.半导体科学与技术丛书，北京:科学出版社，2010

[3] 孟庆巨，孟庆辉，刘海波.半导体器件物理，北京:科学出版社，2005

[4] http://wenku.baidu.com/view/ee93cffdc8d376eeaeaa31a3.html 2013.

[5] http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical mechanical planarization 2013.

[6] http://wenku.baidu.com/view/c9d624ffaef8941ea76e05d3.html 2013

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