木林森厸
范文一：断场效应管
断场效应管.txt今天心情不好。我只有四句话想说。包括这句和前面的两句。我的话说完了对付凶恶的人，就要比他更凶恶；对付卑鄙的人，就要比他更卑鄙没有情人味，哪来人情味 拿什么整死你，我的爱人。收银员说：没零钱了，找你两个塑料袋吧！ 定性判断场效应管、三极管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻
微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
一、定性判断场效应管的好
将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二
次测量都是几百欧的低阻值时，则红表笔所接触的管脚就是基极，且三极管的管型为PNP型；如用上述方法测得一组二次都是几十至上百千欧的
高阻值时，则红表笔所接触的管脚即为基极，且三极管的管型为NPN型。
在判别出管型和基极b后，可用下列方法之一来判别集电极和发射极。
1由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、
集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。
2.判别发射极和集电极具体方法如下：
对于PNP型三极管，
C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，
而对于NPN型三极管而言，
则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，
根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。
1.找出基极这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和
基极b，目前常见的三极管有硅平面管和锗合金管两种，每种又有PNP和NPN型两类。三、晶体三极管管脚判别（2）也可以用舌尖舔住栅极，现
象同上。（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，
有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。注意事项： 判断理由：
JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，
或趋于导通。若将
人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间
电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应视
感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚
管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只
要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。二、判断结型场效应管的电极
结型场效应晶体管的检测
1．判别电极与管型
用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（
无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。
在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效
应晶体管。也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千
欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一个电极为栅极G。
结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，可以互换使用。若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大，
则说明该管已击穿或已开路损坏。
2．检测其放大能力
用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出漏、源极之间的电阻值RSD后，再用手捏信栅极G，万用表指针会
向左或右摆动（多数场效应管的RSD会增大，表针向左摆动；少数场效应管的RSD会减小，表针向右摆动）。只要表针有较大幅度的摆动，即说
明被测管有较大的放大能力。
（二）双栅场效应晶体管的检测
1．电极的判别
大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的，即从场效应晶体管的底部（管体的背面）看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S
、栅极G1和栅极G2。因此，只要用万用表测出漏极D和源极S，即可找出两个栅极。
检测时，可将万用表置于R×100档，用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。当测出某两脚之间的正、反向电
阻均为几十欧姆
至几千欧姆（其余各引脚之间的电阻值均为无穷大），这两个电极便是漏极D和源极S，另两个电极为栅极G1和栅极G2。
2．估测放大能力
用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时，用手指捏住两个栅极，加入人体感应
信号。若加入人体感应信号后，RSD的阻值由大变小，则说明该管有一定有放大能力。万用表指针向右摆越大，说明其放大能力越强。
3．判断其好坏
用万用表R×10档或R×100档，测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时，正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔
接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。若测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大
，则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档，测量其余各引脚（D、S之间除外）的电阻值。正常时，栅极G1与G2、G1与D、G1与
S、G2与D、G2与S之间的电阻值均应为无穷大。若测得阻值不正常，则说明该管性能变差或已损坏。
（三）VMOS大功率场效应晶体管的检测
1．判别各电极与管型
用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接
的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。
再用万用表R×10k档测量两引脚（漏极D与源极S）之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为2kΩ左右，反向电阻值大于500kΩ。
在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动，黑表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下，然后再去接原引脚，观察万用表读数的变化情
况。若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔所接的即是源极S，黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效，说明该管为N沟道场效
应管。若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚，若此时万用表读数由原来阻值较大变为
0，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。
2．判别其好坏
用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之
间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。
另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法
来判断场应管是否损坏。若触发有效
（触发栅极G后，D、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好。
3．估测其放大能力
N沟道VMOS场效应晶体管，可用万用表（R×1k档）的黑表笔接源极S，红表笔接漏极D，此时栅极G开路；万用表指示电阻值较大。再用手指
接触栅极G，为该极加入人体感应信号。若加入人体感应信号后，万用表指针大幅度地偏转，则说明该管具有较强的放大能力。若表针不动或偏
转幅度不大，则说明该管无放大能力或放大能力较弱。
应该注意的是，此检测方法对少数内置保护二极管的VMOS大功率场效应晶体管不适用。
怎样判断场效应管的性能好坏
用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极
，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效
应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接
触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两
次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均
很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方
法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是
否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（
在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大
，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值
均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的
。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行
检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电
阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要
发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；
表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左
摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试
验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说
明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以
不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次
测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极
间电荷短路放掉才行。
（4）用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ
与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表
笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；
红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后
，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次
对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。
此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会
发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
二、.场效应管的使用注意事项
（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟
道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要
注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连
入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用
接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路
或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大
于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值
，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，
都要
根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
三.VMOS场效应管
MOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它
不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输
出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压
放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流
会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从
图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水
平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截
面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。
下面介绍检测VMOS管的方法。
1．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G
极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2．判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个 结，因此根据 结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一
般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3．测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）
=
3.2W，大于0.58W（典型值）。
4．检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
效应晶体管的检测经验介绍 慧聪电子元器件商务网 2003-07-15 7:00:33 （一）结型场效应晶体管的检测 1．判别电极与管型 用万用表R×
100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值
均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测
管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效应晶体管。也可以任意测量结型场效应晶体管任
意两个电极之间的正、反向电阻值。若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一
个电极为栅极G。结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，可以互换使用。若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0
或为无穷大，则说明该管已击穿或已开路损坏。2．检测其放大能力 用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出
漏、源极之间的电阻值RSD后，再用手捏信栅极G，万用表指针会向左或右摆动（多数场效应管的RSD会增大，表针向左摆动；少数场效应管的
RSD会减小，表针向右摆动）。只要表针有较大
幅度的摆动，即说明被测管有较大的放大能力。也可用图7-16所示的测试电路来检测结型场效应
晶体管的放大能力（以N沟道场效应晶体管为例）。将万用表置于10V直流电压档，表红笔接漏极D，黑表笔接源极S。调节电位器RP，看万用表
指示的电压值是否变化。在调节RP过程中，万用表指示的电压值变化越大，则说明该管的放大能力越强。若在调节RP时，万用表的指针变化不
大，则说明该管的放大能力很小或已失去放大能力。 （二）双栅场效应晶体管的检测1．电极的判别 大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列
顺序是相同的，即从场效应晶体管的底部（管体的背面）看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2，如图7-17所示。因此，只
要用万用表测出漏极D和源极S，即可找出两个栅极。 检测时，可将万用表置于R×100档，用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。
当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆（其余各引脚之间的电阻值均为无穷大），这两个电极便是漏极D和源极S，另两个
电极为栅极G1和栅极G2。2．估测放大能力 用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时
，用手指捏住两个栅极，加入人体感应信号。若加入人体感应信号后，RSD的阻值由大变小，则说明该管有一定有放大能力。万用表指针向右摆
越大，说明其放大能力越强。3．判断其好坏 用万用表R×10档或R×100档，测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时，正、反向
电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。
若测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档，测量其余各引脚（D、S之间除外）的电
阻值。正常时，栅极G1与G2、G1与D、G1与S、G2与D、G2与S之间的电阻值均应为无穷大。若测得阻值不正常，则说明该管性能变差或已损坏。
（三）VMOS大功率场效应晶体管的检测1．判别各电极与管型 用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中
一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。再用万用表R×10k档测量两引脚（漏极
D与源极S）之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为2kΩ左右，反向电阻值大于500kΩ。在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动，
黑表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下，然后再去接原引脚，观察万用表读数
的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红
表笔所接的即是源极S，黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效，说明该管为N沟道场效应管。若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回
原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚，若此时万用表读数由原来阻值较大变为0，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接的是漏
极D。用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。2．判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的
正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两
极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发
）的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效（触发栅极G后，D、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好。3．估测其放大
能力 N沟道VMOS场效应晶体管，可用万用表（R×1k档）的黑表笔接源极S，红表笔接漏极D，此时栅极G开路；万用表指示电阻值较大。再用手
指接触栅极G，为该极加入人体感应信号。若加入人体感应信号后，万用表指针大幅度地偏转，则说明该管具有较强的放大能力。若表针不动或
偏转幅度不大，则说明该管无放大能力或放大能力较弱。应该注意的是，此检测方法对少数内置保护二极管的VMOS大功率场效应晶体管不适用
。
场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏
压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道况下断开的称增强型效应管.增强型场效
应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启
电压.
耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻).
结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代替.
用数字万用表二极管挡测量,如果某一脚对另外两脚恒为0.6-0.8v(硅三极管正向电压)或另外两脚的其中一脚是1-1.2v另一脚是0.6-0.8(复合硅
三极管正向电压)而反向不通,一般是三极管(硅材料),另外,超贝它三极管的基极对发射极的正向电压低于这个数值,约为0.1v左右,而反向电压
约为1v,基极对集电极与普通三极管相同.
场效应管的源漏之间是一个受栅极电压控制的电阻,因此用万用表二极管挡测量时有两极之间电压不稳定,或反向为一固定值(带保护二极管)正
向不通,当用手触摸另一极时,电压发生变化,(或用万用表+或-表笔接触栅极后再测量电压变化),一般可认为是绝缘栅型场效应管.
请注意,有些场效应管为了保护栅极在栅源之间内置一稳压二极管,在测量时,栅源之间会有普通二极管特征.
在前面初判的基础上，如果还要进一步看一看放大倍数，在万用表有hfe功能时也可粗略测量：先找到b极，就是排除前面测得正反数值均很大的两个脚的另外一个，然后判断pnp还是npn，红表笔接b极，黑表笔分别接另外两极，如果所测数值均很小为npn型，反之为pnp，然后将表拨到
hfe档，将b极插入相应的（pnp或npn）hfe插座b孔，ec极随便插，测得个数值，再将ec两脚调换位置，测得数值，两数值比较，大的为准，如
果与标称放大倍数相差很大，管子的特性就不好了，当然是在万用表的测量范围内才行
========
另，场效应管因其种类繁多，特性也各不相同，一般不建议用数字表测。在知道结型场效应管具体型号、参数的情况下，也可用万用表电阻档简单判断好坏，就是sd间正反电阻接近标称阻值，g与s、d间阻值为无穷大，若阻值太小或短路，管子可能就坏了。
三极管本身就是两个二极管串在一起的(两个PN结),故ddxxsc 说的将万用表打到“二极管”档测三极管是比较简便的测量方法,但补充一点:如
果三极管某两脚间电阻很小,只有几欧,管子不一定是坏的,有些管子内部两脚间会串一个保险电阻,如视放管等,量时低阻是正常的.
场效应管的Ｇ极：利用万用表的二极管档，若某脚与其他两脚间的正反压降均大于２Ｖ，即显示“１”，此脚即为栅极Ｇ
。
场效应管的D,S极：交换表笔测量其余两脚，压降小的那次中，黑表笔接的是Ｄ极，红表笔接的是Ｓ极。
我补充两点：
1、用万用表的“二极管档”或Ω姆档（用R*100或R*1K档）只能对三极管进行一个简单的判定，即看三极管或场效应管是否开路或短路和判断三极管的三个极（C、E、B），而不能说明管子的好坏。
2、利用三极管测试议的话也只能判断一个大概也就是说90%没有问题，但绝对不是100%的，因为三极管是非线性原件，那么它受外界环境引响
是很大的，如温度，工作电压的大小、频率等对其引响都是很大的，而用利用测试仪等大多都是在静态的时侯测出来的数值，有时不能真实的
反应三极管的实际性能，如高频管如果在低频时测量也许他是好的，但真的工作在高频的时侯他的性等就可能发生变化。
定性判断场效应管、三极管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻
微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
一、定性判断场效应管的好坏
将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，则红表笔所接触的管脚就是基极，且三极管的管型为PNP型；如用上述方法测得一组二次都是几十至上百千欧的
高阻值时，则红表笔所接触的管脚即为基极，且三极管的管型为NPN型。
（2）将万用表拨在R×1档上，将万用表两个表笔接在管子的另外两个管脚，用舌头舔一下基极，看表针指示，再将表笔对调，重复上述步骤，
找出摆动大的一次。对与PNP型三极管，红表笔接的是集电极，黑表笔接的是发射极；而对于NPN型三极管，黑表笔接的是集电极，红表笔接的
是发射极。 这种判别电极方法的原理是，利用万用表内部的电池，给三极管的集电极、发射极加上电压，使其具有放大能力。有手捏其
基极、集电极时，就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流，使其导通，此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小，因此可正确判
别出发射极、集电极来。（1）将万用表拨在R×1档上。用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可
将手指湿润一下，将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上，黑表笔接另一管脚，注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调，
重复上述测量步
骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度，找出摆动幅度大的一次。对PNP型三极管，则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上
，重复上述实验，找出表针摆动幅度大的一次，这时黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。在判别出管型和基极b后，可用下列方法之一
来判别集电极和发射极。 由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的
放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。2.判别发射极和集电极具
体方法如下： 对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：
C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。1.
找出基极这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。 三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个
电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管有硅平面管和锗合金管两种，每种又有PNP和NPN型两类。三、晶体三极管管脚判别（
2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、
S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。
注意事项： 判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子
趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转，就意
味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但
表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接
一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体
靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。二、判断结型场效应管的电极
范文二：场效应管原理
场效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提
高的哦！
好了，说到这里场效应管的长相恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用
表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，
所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同；我们
在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以
是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型 的场效应管（MOS型），它的电路图符号：
仔细看看你会发现，这两个图似乎有差别，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，
第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作
用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电控制的开关，那么我们就先讲一下怎么使用它
来当开关的，从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚，这三个脚分别叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D），mpn中的贴片元件示意图是这个样子：
1脚就是栅极，这个栅极就是控制极，在栅极加上电压和不加上电压
来控制2脚和3脚的相通与不相通，N沟道的，在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断（高电位），去掉电压（低电位）
就相通了！
我们常见的2606主控电路图中的电源开机电路中经常遇到的就是P沟道MOS管：
这个图中的SI2305就是P沟道MOS管，由于有很多朋友对于检查这一部分的故障很茫然，
所以在这里很有必要讲一下它的工作原理，来加深一下你的印象！
图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，如果我们按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管
导通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC就是
那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0，读取固件程序检测等一系列
动作，输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极，保持Q2一直处于导通状态，即使你松开开机键断开Q1的基极电压，这时候有主控送来的控制电压保持
着，Q2也就一直能够处于导通状态，Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压！SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压，给主控PLAY ON脚送去时间长短、次数不同的控
制信号，主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给相应的控制点，
以达到不同的工作状态！
mpn中常见的场效应管多是P沟道的，在它的上面经常见到的印刷标志是：A2sHB、212T、212N、076A、AOGH、N57T、R1SG、S016J、S026I等
上图是一个有主控控制耳机有没有声音输出的电路图，声音的左右声道分别通过隔直流电容
C13、C14和电阻R51、R52送到耳机孔，但是在电阻R51、R52和耳机孔之间却接入了一
个N沟道的mos场效应管，这个场效应管的栅极连接在一起受着MUTE的控制，当MUTE的地方处于高电位时候，Q4、Q5导通，就会把声音通过Q4、Q5入地，耳机里就不会有
声音了，当MUTE的地方处于低电位时候，Q4、Q5关断，声音就只有通过耳机而发出声音
了！
上面这个图是瑞芯微2608主控常见的电源开机电路，它与2606主控的电源开机电路有什么不同？你是不是发现比2606主控的电源开机电路多了一个MOS场效应管？这两个源极相连的场效应管与2606开机电路的一个场效应管有什么不同？原来场效应管的栅极控制是有
一个原则的：P沟道的栅极控制电压必须是相对源极输入高低电位来说的，所以在电路中源
极和漏极是不能接反的，即源极必须接输入，漏极必须接输出，如果接反了就不能正常工作，
mpn电路中，当usb接入的时候，必须要立即切断电池供电改换由usb供电，才能正常工作，如果不能切换电池供电，usb就不能正常工作（无法识别），2606主控的电路切换指令是由主控发出的，使用的是电池电源控制即电池回路，所以用一个场效应就能够控制了！仔
细看一下2608的电路中电源切换是靠三极管Q7控制的，Q7的导通与截至是由usb电压来控制的，这是另一组电源，这组电源要想控制一个有极性的场效应管是不行的，所以我们就
用两个MOS场效应管，源极相连联结成一个无极性场效应管就达到了双电源控制的目的！
大家可以参考学习一下我的这篇“浅谈mpn锂电保护板原理”的文章：http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=7914由于锂电保护板的保护动作也常常有两组电源——内电源和充电的外电源两组电源控制，所以常用的5N20V就是一个N沟道双场效应组合块，其原理和这里的两
个源极相连的场效应管的原理是一样的！
范文三：场效应管代换
场效应管代换
Parameters and substitution of common field effect transistors (25N120, etc.)
FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (for electromagnetic oven)
FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254
FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051 Omega /TO3P IRFP264
FQA55N25 (MOSFET) 250V/55A/310W/0.03 Omega /TO3P
FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225 Omega IRFP460A
FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2 Omega /TO3P
FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126 Omega /TO3P MTY30N50E
FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085 Omega /TO264 IRFPS37N50
FQA24N60 (MOSFET) 600V/24A/TO3P
FQA10N80 (MOSFET) 800V/9.8A/240W/0.81 Omega /TO3P
FQA13N80 (MOSFET) 800V/13A/300W/0. Omega /TO3P
FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3 Omega /TO3P
FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3 Omega /TO3P
FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75 Omega /TO3P
FFA30U20DN (fast recovery diode) 200V/2 * 30A/40ns/TO3P DSEK60-02A
FFPF30U60S (fast recovery diode) 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560
FFA30U60DN (fast recovery diode) 600V/2 * 30A/90ns/TO3P DSEK60-06A
MBRP3010NTU (Schottky) 100V/30A/TO-220
MBRA3045NTU (Schottky) 45V/30A/TO-3P
ISL9R3060G2 (fast recovery diode) 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B
RHRG3060 (fast recovery diode) 600V/30A/35nS/TO247
FQP44N10 (MOSFET) 100V/44A/146W/0.0396 Omega /TO220 IRF3710/IRF540N
FQP70N10 (MOSFET) 100V/57A/160W/0.025 Omega /TO220
IRFP450B (MOSFET) 500V/14A/0.4 Omega /205W/TO3P
IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24 Omega /235W IRFP460
KA3162/FAN8800 (Drive, IC) single IGBT/MOSFETFET driver IC
RHRP860 (fast recovery diode) 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860
RHRP1560 (fast recovery diode) 600V/15A/TO0220 MUR1560
RHRP8120 (fast recovery diode) 1200V/8A/75W/TO220
RHRP15120 (fast recovery diode) 1200V/15A/TO220
RHRP30120 (fast recovery diode) 1200V/30A/125W/TO220 single DSEI20-10A
RHRG30120 (fast recovery diode) 1200V/30A/T03P
SSH45N20B (MOSFET) 200V/45A/TO3P IRFP260
FGL40N150D (IGBT) 1500V/40A/TO264 fast IGBT
FGL60N100BNTD (IGBT) 1000V/60A/TO264 fast IGBT 1MBH60-100
HGTG10N120BND (IGBT) 1200V/35A/298W/100ns/TO247
hgtg11n120cnd (igbt) 1200v / 43a / 298w / to247
hgtg18n120bnd (igbt) 1200v / 54a / 390w / 90ns / to247
fqp5n50c (mosfet) 500v / 5a / 73w / 1.4Ω / to 220 替代: irf830,
用于35w
fqpf5n50c (mosfet) 500v / 5a / 38w / 1.4Ω / to 220f 替代: irf830,
用于35w
fqp9n50c (mosfet) 500v / 9a / 135w / 0.6Ω / to220 替代: irf840,
用于75w
fqpf9n50c (mosfet) 500v / 9a / 44w / 0.6Ω / to 220f 替代: irf840, 用于75w
fqp13n50 (mosfet) 500v / 13.4a / 190w / 0.43Ω / to220 用于75w / 125w产品
fqpf13n50 (mosfet) 500v / 13.4a / 48w / 0.43Ω / to220f 用于75w / 125w产品
fqd5n50c (mosfet) 500v / 5a / 1.4Ω / to252 用于35w
fqa16n50 (mosfet) 500v / 16a / 200w / 0.32c / to3p 用于150w到250w的产品
fdp15n50 (mosfet) 500v / 15a / 0.43Ω / 56w / to220 用于150w左右的产品
fqp18n50v2 (mosfet) 500v / 18 / 0.43Ω / 208w / to220 用于250wg到400w的产品
fqpf18n50v2 (mosfet) 500v / 18 / 0.43Ω / 56w / to220 用于250wg到400w的产品
fqa18n50v2 (mosfet) 500v / 20a / 277w / 0.225Ω / to3p 用于250wg到400w的产品
fqa24n50 (mosfet) 500v / 24a / 290w / 0.2Ω / to3p 用于400w的产品
fqa24n60 (mosfet) 600v / 23.5a / 310w / 0.24Ω / to3p 用于
400w的产品
fqa28n50 (mosfet) 500v / 28.4a / 310w / 0.126Ω / to3p 用于400w的产品
fql40n50 (mosfet) 500v / 40a / 560w / 0.085Ω / to264 用于
560w的产品
irf740b (mosfet) 400v / 10a / 0.55Ω / 134w / to220
irf730b (mosfet) 400v / 5.5a / 1.0Ω / 73w / to220
irf830b (mosfet) 500v / 4.5a / 1.5Ω / 73w / to220
irf840b (mosfet) 500v / 8a / 0.85Ω / 134w / to220
irfp450b (mosfet) 500v / 14a / 0.4Ω / 205w / to3p
irfp460c (mosfet) 500v / 20a / 0.2 ~ 0.24Ω / 235w
fqpf5n60c (mosfet) 600v / 5a / to220f
fqpf8n60c (mosfet) 600v / 8a / to220f
fqpf10n60c (mosfet) 600v / 10a / to220
fqpf12n60 (mosfet) 600v / 12 / 51w / 0.65Ω / to220f
fcp11n60 (mosfet) 650v / 11a / 125w0.32Ω / to220
rhrd660s (快恢复二极管) 600v / 6a / to 252
rhrp860 (快恢复二极管) 600v / 8a / 75w / to 220
rhrp1560 (快恢复二极管) 600v / 15a / to 220单
2n7002 (三极管) 60v / 0.12a / sot - 23
huf76629d3s (mosfet) 100v / 20a / 110w / to 252
huf75639s3s(MOSFET)料56a /功率200W / 263
isl9v3040d3s(IGBT)430v / 21a / 150w / 300mJ每TO252
isl9v3040s3s(IGBT)430v / 21a / 150w / 300mJ每TO263
isl9v5036s3s(IGBT)360v / 46A / 250W / to262
fqp33n10l(MOSFET)料33a / 52mΩ127w / TO22
范文四：场效应管简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 目录 简介 特点 工作原理 主要参数 直流参数 交流参数 极限参数 型号命名 主要作用 试验测试 分类简介
结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管 测量方法 电阻法测电极 电阻法测好坏 测放大能力
无标示管的判别 判断跨导的大小 判断方法 结型场管脚识别 判定栅极 估测放大能力 产品特性 电气特性 参数符号 注意事项 使用优势 应用领域 应用特点 展开 简介 特点
工作原理 主要参数 直流参数 交流参数 极限参数 型号命名
主要作用
试验测试 分类简介
结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管 测量方法
电阻法测电极 电阻法测好坏 测放大能力 无标示管的判别 判断跨导的大小 判断方法 结型场管脚识别 判定栅极 估测放大能力 产品特性 电气特性 参数符号 注意事项 使用优势 应用领域 应用特点 展开
编辑本段简介
场效应管(2张)
场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 编辑本段特点
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管
编辑本段工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很
场效应管
大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。 编辑本段主要参数 直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
场效应管
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 极限参数
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 编辑本段型号命名
有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
编辑本段主要作用
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关。 编辑本段试验测试
1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电
场效应管
阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极：用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
3 、制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
4、估测场效应管的放大能力，将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路即可。[1] 编辑本段分类简介
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
结型场效应管（JFET）
1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头
场效应管
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。 编辑本段测量方法
电阻法测电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个
场效应管
电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极
D
和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 电阻法测好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
测放大能力
用感应信号法具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
场效应管
根据上述方法，用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
无标示管的判别
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下
场效应管
两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。 判断跨导的大小
测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。 编辑本段判断方法 结型场管脚识别
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电
场效应管
极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 估测放大能力
将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压
场效应管
作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。 本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。
编辑本段产品特性
(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。 (2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。
(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。 编辑本段电气特性
场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点： 贴片场效应管
场效应管
1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。
3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。 编辑本段参数符号
编辑本段注意事项
（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏
场效应管
压，等等。（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保
人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。 （5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
（6）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
(7）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
（8）结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。
场效应管
（9）焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时，要按源极－漏极－栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。
（10）用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45～75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。 在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。 总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
编辑本段使用优势
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 编辑本段应用领域
场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然现在多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。 编辑本段应用特点
场效应管与三极管的各自应用特点 1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
场效应管
3.场效应管栅极几乎不取电流（ig?0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4.场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5.
场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；
而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。
6.场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
8.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。 词条图册更多图册
场效应管(2张)
词条图片(15张) 参考资料
1． 场效应管 ．
开放分类：
电子，科技，工具，采购第一站，电源芯片圈
范文五：场效应管参数
000V 0.5A 20W 0.4us 00V 12A 160W 7MHz 50V 30A 250W
200V 30A 250W 5MHz 0/40V 10A 20W
0/120V 7A 10W 90MHz 50V 3A 10W
50V 3A 10W 50MHz 000V 10A 100W 1us 000/400V 10A 75W 00V 2A 40W HORDEFL 0/200V 10A 60W
00V 6A 80W
0V 20A 80W 0.08R 50V 60A 250W 0.18E 0V 36A
50V 27A 90W 0.055R 0V 39A 125W
0V 45A 125W
50V 8A 40W 0.3R 00V 21A
500V 5A 75W <1e5 00v="" 34a="" 125w="" 0.055="" 200v="" 7a="">
1000V 2.5A 75W <5e 400v="" 12.5a="" 125w="">
500V 10.5A 125W
1000V 2.5A 75W 5E 0V 18A 80W 0.1R
T 50V 11A 35W 0.12R 100V 11A
T 100V 10A 40W ISOLAT 00V 7A 40W 0.4R
200V 5.8A 40W 0.6R 00V 4.5A 70W <1e6 160v="" 8a="">
200V 8A 125W
160V 8A 125W
200V 8A 125W
600V 4A 75W 2R
T 600V 4.3A 75W
600V 8A 150W 0.9R 00V 3.6A 80W <2e5 ngton="" bjt="" array="" v="" 10a="" 50w="" 50mhz="" v="" 10a="">
V 10A 50W 0.5us
50V 0.1A 0.2W 10K/10
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作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2007-11-14 15:07:38
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A <35>
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A 200W
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8A 125W
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200W
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8A 50W 0.7us
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A 1W 100MHz
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OR ARRAY
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A 65W 3MHz
65W
40W 2us
TIPL761A SI-N 1000V 4A 100W
TIPL762A SI-N 800V 6A 120W POWER TIPL763A SI-N 1000V 8A 120W 8MHz TIPL790A SI-N 150V 10A 70W 10MHz TIPL791A SI-N 450V 4A 75W
U440 2xN-FET 25V 30mA 0.35W
UPA63H 2xN-FET 60V Idss>20mA 0.5 UPA81C N-ARRAY 8x40V 0.4A B>1K VN10KM N-FET 60V 0.31A 5E Up<2.5 vn66afd="" n-fet="" 60v="" 2a="" 12w="" 3e=""><2. vn88afd="" n-fet="" 80v="" 1.3a="" 20w=""><2.5 ztx213="" si-p="" 45v="" 0.2a="" 0.3w="" 350mhz="" ztx342="" si-n="" 120v="" 0.1a="">
ZTX450 SI-N 60V 1A 1W 150MHz ZTX550 SI-P 60V 1A 1W >150MHz ZTX653 SI-N 120V 2A 1W >140MHz ZTX753 SI-P 120V 2A 1W TO92 ZTX753M1TA SI-P 120V
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C4291 1500V 5A 100W -- C4292 1500V 6A 100W -- C4303A 1500V 6A 80W -- D348 1500V 7A 50W -- D820 1500V 5A 50W -- D821 1500V 6A 50W -- D822 1500V 7A 50W -- D838 2500V 3A 50W -- D869 1500V 3.5A 50W * D870 1500V 5A 50W * D871 1500V 6A 50W * D898 1500V 3A 50W * D899 1500V 4A 50W * D900 1500V 5A 50W * D903 1500V 7A 50W -- D904 1500V 7A 60W -- D950 1500V 3A 42W * D951 1500V 3A 65W * D952 1500V 3A 70W * D953 1500V 5A 80W * D954 1500V 5A 95W * D957A 1500V 6A 50W -- D994 1500V 8A 50W -- D995 2500V 3A 50W --
D1016 1500V 7A 50W -- D1142 1500V 3.5A 50W * D1143 1500V 5A 65W * D1172 1500V 5A 65W * D1173 1500V 5A 70W * D1174 1500V 5A 85W * D1175 1500V 5A 100W * D1290 1500V 3A 50W * D1291 1500V 3A 65W * D1341 1500V 5A 50W -- D1342 1500V 5A 50W * D1343 1500V 6A 50W -- D1344 1500V 6A 50W * D1397 1500V 3.5A 50W * D1398 1500V 5A 50W * D1399 1500V 6A 60W * D1402 1500V 5A 120W -- D1403 1500V 6A 120W -- D1426 1500V 3.5A 80W * D1427 1500V 5A 80W * D1428 1500V 6A 80W * D1431 1500V 5A 80W -- D1432 1500V 6A 80W -- D1433 1500V 7A 80W --
D1434 1500V 5A 80W -- D1454 1500V 4A 50W * D1455 1500V 5A 50W * D1456 1500V 6A 50W * D1545 1500V 5A 50W -- D1546 1500V 6A 50W -- D1547 1500V 7A 50W -- D1548 1500V 10A 50W -- D1554 1500V 3.5A 40W * D1555 1500V 5A 50W * D1556 1500V 6A 50W * D1557 1500V 5A 80W -- D1632 1500V 4A 70W * D1635 1500V 5A 100W * D1650 1500V 3.5A 50W * D1651 1500V 5A 60W * D1652 1500V 6A 60W * D1653 1500V 2.5A 50W -- D1654 1500V 3.5A 50W -- D1655 1500V 5A 60W -- D1656 1500V 6A 60W -- D1710 1500V 6A 100W -- D1711 1500V 7A 100W -- D1729 1500V 3.5A 60W *
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100W >2.5MHz
V 4A 75W
4A 80W 12MHz
常用大功率高耐压场效应管参数
作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2007-10-27 18:46:42
功率 (W) 型 号 耐压 (V) 电流 (A) 功率 (W)
045 900 5 150
081 800 7 125
1082 800 6 125
1119 1000 4 100
120 1000 8 150
98 800 3 75
1249 500 15 130
250 500 20 150
1271 1400 15 240
280 500 18 150
1341 900 5 100
1342 900 8 100
357 900 5 125
1358 900 9 150
1451 900 5 120
498 500 20 120
500 500 25 160
K1502 900 7 120
K1512 850 10 150
FP150 100 41 180
P151 60 19 180
FP240 200 31 150
FP250 200 31 180
P251 150 33 180
P254 250 23 180
P350 400 16 180
351 350 16 180
360 400 23 250
50 500 14 180
451 450 14 180
452 500 12 180
460 500 20 250
H8N50 500 8 120
8N60 600 8 120
0N50 500 10 120
2N50 500 12 120
45 450 12 120
50 500 13 150
MTP5N45 450 5 75 MTP5N50 500 5 75 MTP6N60 600 6 125 IXGH10N100 1000 10 100 IXGH15N100 1000 15 150
IXGH20N60 600 20 150 GH25N100 1000 25 200 H30N60 600 30 180 H30N100 1000 30 250 H40N60 600 40 200
XTH24N50 500 24 250
IXTH30N20 200 30 180
IXTH30N30 300 30 180
IXTH30N50 500 30 300
IXTH40N30 300 40 250
H50N10 100 50 150
XTH50N20 200 50 150
H67N10 100 67 200
H75N10 100 75 200
场效应管参数符号意义 作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2007-10-27 18:51:03 容
容
输电容
外电路参数) 路参数)
路参数)
频功率管)
极电流
(漏源饱和电流)
止栅电流
止栅电流
电流
饱和电流
饱和电流
