范文一：场效应管GSD的测量方法

场效管G应 S的D量方测

法G极与D极S和无论极怎样量都是测不的。通用。针万指用打到X表0K档或1XK1可档以触场发效应管让，它工作方法是：黑表。笔接G极红，表接S极，笔然后红表笔不，动表笔黑D接，极你发现会效应管场通了，就是开有小很阻值了的，说明子管在正常工了。。然作黑表笔后S极，接红表笔接极G，再次黑表用笔D极，接表笔接S极，红会你发现效场应管断了关（工作了）不。 也就是 G控极D制与极极的导S与关通断给G。极加正电，压DS与通，开加电压反是断关 。你

S说与极D有阻值。极是那因为这极D和S极加了一上二个极管，以会所有一二个管极特。性

些有场应效管有加没极二，管以所极与DS没极有二管极性。特无大穷是正的。常如果加了

二极的管你 量出不有二管特性极那么这，场效应管坏了。个

1.

TSK040 正6面 针脚朝 G D下 S 非(导通 S-下>-D 有二极管性)特

2

G端控制 D.端与S的端导通与关闭： G极给加正压，电与DS开，通反电压是关断。加G

端给正压(3v+电-)-红笔，黑表针D放S、意上，任开打关开，与S通

D红表在D笔S、意上 任针放黑上 G关开闭关，DS与断

范文二：场效应管的测量方法

场效应管的测量方法

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一、用指针式万用表对场效应管进行判别?（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极??根据场效应管的PN结?正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两?个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。?也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔?所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔?接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红?表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。??

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏?测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好?坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其?电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅?极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏?的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。?

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力?

具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏?住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生?了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管?是坏的。?

根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。?

运?用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的?交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆?动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适?用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，?以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕，

应当G‐S极间短路一下。这是因为G‐S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电?压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G‐S极间电荷短路放掉才行。?

（4）用测电阻法判别无标志的场效应管?首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电?阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来?的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏?极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、?G2管脚的顺序。??

范文三：场效应管测量方法作者

场效应管测量方法作者 网络

一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结 正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方 法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两 个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极

和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。 也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，

另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔 所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，

即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔 接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说

明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可

以调换黑、红 表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅

极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好 坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千

欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其 电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可

能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅 极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说

明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏 的。要注意，若两个栅极在管内断极，

可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体 方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏 住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电

压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生 了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的

放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管 是坏的。 根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻

RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

运 用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值

减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的 交流电压较高，而不同的场效应管用电

阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆 动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动

幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适 用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的

绝缘柄，用金属杆去碰触栅极， 以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电 压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。

（4）用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ

和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电 阻值

记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为

漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来 的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。

当确定了漏 极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。

范文四：场效应管测量方法

绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。

其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便。不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多。

一、基本类型MOS管测试

MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。

图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。与图1稍有不同，图2所示NMOS管的G-S之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件"保护二极管"，由于保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。因此，这两种管子的测量方法基本类似，具体测试步骤如下：

1．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。选择指针万用表的R×1kΩ挡，轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。当指针出现较大幅度偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极D，剩余第3脚则为栅极G，如 图3所示。

2．短接G、D、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。图2所示MOS管的G-s极间接有双向保护二极管，可跳过这一步。

3．万用表电阻挡切换到的R×10kΩ挡(内置9V电池)后调零。将黑笔接漏极D、红笔接源极S，经过上一步的短接放电后，UGS降为0V，MOS管尚未导通，其D-S间电阻RDS为∞，故指针不会发生偏转，如 图4所示。

4．有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能好坏作出准确的判断：第一种方法：

①用手指碰触G-D极，此时指针向右发生偏转，如图3所示。手指松开后，指针略微有些摆动。

②用手指捏住G-S极，形成放电通道，此时指针缓慢回转至电阻∞的位置，如图6所示。

图2所示MOS管的G-S间接有保护二极管，手指撤离G-D极后即使不去接触G-S极，指针也将自动回到电阻∞的位置。值得注意的是，测试过程中手指不要接触与测试步骤不相关的管脚，包括与漏极D相连的散热片，避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造成误判。第二种方法：

①用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结电容进行充电，此时可以忽略万用表指针的轻微偏转，如图7所示。

③交换黑笔与红笔的位置，万用表所指示的电阻值基本不变，说明此时MOS管的D-S极已经导通。当前万用表所指示的电阻值近似为D-S极导通电阻RDS(on)。因测试条件所限，这里得到的RDS(on)值往往比手册中给出的典型值偏大。

对于图2所示的。MOS管，因G-S间保护二极管的存在，万用表指针在接近零刻度位置后，将自动回复到电阻∞位置。

5．放大能力(跨导)的估测

判断NMOS管跨导性能时，选择万用表的R×10kΩ电阻挡，此时表内电压较高。对于垂直沟道的VMOS管(如2SJ353)，用R×1kΩ挡即可完成所有的测试功能。

将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，相当于在D-S之间加上一个9V的电压。此时栅极开路，当用手指或镊子接触栅极G并停顿几秒时，指针会缓慢地偏转到满刻度的1／3～1／2处。指针偏转角度越大，MOS管的跨导值越高。如果被测管的跨导很小，用此法测试时指针偏转幅度很小。

二、特殊小功率MOS管的测试

图1所示MOS管在目前使用较广，典型器件如NMOS型的IRF740、IRF830、PMOS型的IRF9630等。图2所示的MOS管以NMOS型居多，2SKl548、FS3KMl6A为这类MOS器件的典型代表。此外，还有一类比较特殊的MOS管，这类MOS管的栅极G在并联保护二极管的同时还集成有一只电阻，结构如图9所示。

图9所示的MOS管在小功率器件中采用较多，如常见的2SK1825。这类NMOS管与前述两种MOS管的测试方法区别较大，正确的测试步骤如下：

1．切换到万用表的R×1kΩ挡，将黑笔与某只引脚相接，红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量，若两次测试过程中指针均出现较大幅度的偏转，则与黑笔相连的管脚即为源极S。这主要是由于MOS管内部集成有两只保护二极管的缘故。

2．为了区分漏极D与栅极G，接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识别程序进行测试：

①假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接，红笔则接假设的栅极G；

②用手指捏住假设的栅极G与漏极D，观察指针的偏转情况。若指针偏转幅度较大，则与黑笔相接的管脚即为漏极D，与红笔相接的则为栅极，测试原理如图10所示。

三、型号不明的MOS管的测量

PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似，在测量过程中应注意将表笔的顺序颠倒。

但是，对于型号不明的MOS管，通过检测单向导电性往往只能判断出其中哪一只管脚为栅极，而不能直接识别管子的极性和D、S极。对此，合理的测试方法如下：

1、万用表取R×1kΩ挡，在观察到单向导电性之后，交换两只表笔的位置；

2、将万用表切换至R×10kΩ挡，保持黑笔不动，将红笔移到栅极G停留几秒后再回到原位，若指针出现满偏，则该元件为PMOS管，且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为漏极D；

3、若第2步指针没有发生大幅度偏转，则保持红笔位置不变，将黑笔移到栅极G停留几秒后回到原位，若指针满偏则管子类型为NMOS，黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接为源极S。

MOS管的种类较多，测试方法也不尽相同，实际工作中需要在充分掌握上述测试原则的基础上灵活地选择合适的测试方法。

场效应管好坏的测量

范文五：场效应管测量方法

将场效应管有字的一面朝上，管脚朝向我们自己，从左到右依次为：G、D、S（有少数相反为S、D、G）。

数字表二极管挡：1、红接G，黑接D、S无穷大；2、黑接G，红接D、S无穷大；3、红接D，黑接S，无穷大；4、黑接D，红接S，显示400-600左右

1．判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D

由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．检查跨导

将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

注意事项：

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×（4mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。

（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

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