范文一：111.单刀双掷开关

单刀双掷开关?编辑词条

单刀双掷开关的由动端和不动端组成，动端就是所谓的“刀”，它应该连接电源的进线，也就是来电的一端，一般也是与开关的手柄相连的一端；另外的两端就是电源输出的两端，也就是所谓的不动端，它们是与用电设备相连的。它的作用，一是可以控制电源向两个不同的方向输出，也就是说可以用来控制两台设备，或者也可以控制同一台设备作转换运转方向使用。

10本词条?名片图不清晰,?欢迎各位?编辑词条，额外获取10个积分。

基本信息

中文名称

单刀双掷开关

外文名称

Single pole double throw switch

组成

单刀双掷开关由动端和不动端

单刀双掷开关组成

动端和不动端

目录1基本简介

2实际应用

折叠编辑本段基本简介

单刀双掷开关由动端和不动端组成，动端就是所谓的“刀”，它应该连接电源的进线，也就是来电的一端，一般也是与开关的手柄相连的一端；另外的两端就是电源输出的两端，也就是所谓的不动端，它们是与用电设备相连的。它的作用，一是可以控制电源向两个不同的方向输出，也就是说可以用来控制两台设备，或者也可以控制同一台设备作转换运转方向使用。

折叠编辑本段实际应用

单刀双掷开关在电路图中如此运用。

一个开关可拨向两边，起到双控制。

针对右边的“单刀双掷开关实际应用”图，做解释如下：

家庭等场所常用两个开关控制同一盏灯，一般进门一个开关，床头一个开放，方便开关灯。此处2个开关必须都是单刀双掷的开关才行。用导线将2组单刀双掷的开关的控制线分别连接，公共端则一端连到火线进线上，另一端串接负载灯泡后连到零线进线上。这样，操作任一开关，都能控制负载灯的亮和灭。

范文二：W波段单刀双掷开关

第 12卷 第 1期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1. 12, No. 1 2014年 2月 Journal of Terahertz Science and Electronic InformationTechnology Feb. , 2014 文章编号:2095-4980(2014)01-0081-04

W 波段单刀双掷开关

孔 斌,雷闻章,赵 伟,张 勇,徐锐敏

(电子科技大学 极高频复杂系统国防重点学科实验室,四川 成都 611731)

摘 要 :实现了一种采用微波开关 (PIN)二极管设计的低插损、高隔离度的 W 波段单刀双掷开

关 (SPDT)。电路采用了改进的 Y 型结和梳状线高通滤波器形式的鳍线结构,有效提高了端口隔离

度,降低了插入损耗。仿真结果显示,导通端口在 88 GHz~99 GHz内的插入损耗小于 0.7 dB,断开

端口隔离度大于 58 dB。测试结果显示,在频段 90 GHz~95 GHz内,输入端口与输出端口 1之间的

插入损耗低于 3.7dB 、隔离度高于 33dB; 输入端口与输出端口 2之间的隔离度高于 33 dB、插入

损耗低于 3.8 dB。

关键词 :毫米波 ; 鳍线 ; 单刀双掷 ; 微波开关二极管

中图分类号 :TN111 文献标识码 :A doi :10.11805/TKYDA201401.0081

W -band SinglePole DoubleThrow switch

KONG Bin,LEI Wen-zhang,ZHAO Wei,ZHANG Yong,XU Rui-min

(Fundamental Science on EHF Laboratory,University of Electronics Science and Technology of China,Chengdu Sichuan 611731,China)

Abstract:A W -band Single Pole Double Throw(SPDT) switch with low insertion loss and high

isolation that based on Positive Intrinsic Negative(PIN) diodes is presented. The finline structure in the

form of comb -line high pass filter and an improved Y -shaped junction are introduced into the circuits to

increase the isolation and reduce the insertion loss. Simulated results show that in the range of 88GHz~

99GHz, the insertion loss of the SPDT is less than 0.7dB, and the isolation is more than 58dB. In the

range of 90GHz~95GHz, the insertion loss at output port 1 is less than 3.7dB, and the isolation is

greater than33dB, while at output port 2, the insertion lossis less than3.8dB and the isolationis greater

than 33dB, which are indicated by experimental results.

Key words:millimeter wave;finline;Single Pole Double Throw;Positive Intrinsic Negativediode

毫米波开关广泛应用于雷达、通信、导航、测量、电子对抗等领域,在毫米波系统的控制中起着核心作用。 毫米波开关的核心在于半导体控制器件的选择,半导体控制器件有许多种类,如场效应管、肖特基二极管、微波 开关 (PIN)二极管以及变容管等。其中,由于 PIN 管开关 [1]具有结构简单、体积小、成本低,损耗低和理想开关 效果的开关特性等优点, 特别是对于大功率的微波控制有较大优势, 所以大部分微波毫米波控制电路都优先采用 PIN 管作为其核心控制器件,用于完成信号在多个通道之间的切换 [2]。为方便 PIN 管的安装,电路设计中采用微 带传输线、共面波导和鳍线等传输线结构形式。国外对微波毫米波开关的研制时间相对较早,取得了很多成果且 近年来多采取微波单片集成电路形式研制 PIN 开关 , Steimhagen F等学者 [3]研制出基于共面波导的 W 波段单刀 双掷 (SPDT)开关和单刀三掷 (Single Pole Triple Throw, SPTT) 开关,在 77GHz~94GHz 频段内,插入损耗低于 1.6dB ,隔离度高于 21dB 。国内开关研发起步相对较迟,且基于鳍线形式加工方便,适用频段高、阻抗特性好 以及能量传输损耗低等特点,鳍线式开关 [4-6]在国内是主要的研究方向之一。此外,微机电系统 (Micro Electron Mechanical System, MEMS) 以其宽频带、较佳射频特性、良好线性度和较小功率消耗等优点,已经踏入毫米波 器件领域。然而同 PIN 管开关相比, MEMS 开关 [7-8]还有很多缺点,如开关时间长,开关在工作时间较长的情况 下容易磨损,导致效果变差,加工工艺不足,加工难度较大等。

本文介绍了一种采用多个 PIN 管并联方式设计的 W 波段单刀双掷开关,通过采用改进的 Y 型结鳍线结构,

收稿日期:2013-01-11; 修回日期:2013-03-22

基金项目:中央高校基本科研基金资助项目 (ZYGX2011X002; ZYGX2011J018)

范文三：单刀双掷按钮开关的价格是多少

单刀双掷按钮开关的价格是多少

3

回答

双刀双掷船型开关价格是多少

AN 拉勾勾回答：船形开关也称波形开关、跷板开关、翘板开关，IO 开关、电源开关，因为其样子如船，所以称船形开关，其结构与钮子开关大致相同，只是把钮柄换成船型。船型开关常用作电子设备的电源开关，其触点分为单刀单掷和双刀双掷等几种，有些开关还带有指示灯，全透亮及点透亮等等。价格也不贵。一般的商场都有卖的，30左右一个

双槽

双控开关

双联开关

8个月前

3

回答

什么是双刀双掷开关面板，有什么作

用？

卫生巾紫了回答：双刀双掷开关比较多见的用处是家庭电路中楼梯灯的开关---一个开关在楼上，一个开关在楼下，只要灯是亮的，无论拨动哪个开关，都能将灯熄灭；只要灯是灭的，无论拨动哪个开关，都能将灯打开。

双槽

双控开关

双联开关

7个月前

3

回答

单刀单掷开关要多少钱一个

du845968102回答：单刀单掷开关40，单刀单掷开关：一、面板：（三种）

1、ABS：低档工程塑料、易变色、低强度

2．PC料：耐冲击性强，耐热性强，透明性高

3．电玉粉：绝燃、永不变色、永不磨损、热化学性强

二、开关载流件（铜片）（三种）

1．黄铜：其质硬、弹性略弱、导电率中等，呈亮黄色

2．锡磷青铜：质硬、弹性好、导电率较黄铜好、呈红黄色

3．红铜：质略软、弹性好、导电率高、呈紫红色

工程结算单

单槽

单控开关

7个月前

3

回答

双刀双掷按钮开关报价多少？

liutao_1997回答：你好，双刀双掷按钮开关价格：30----100左右，构成同轴开关的器件有铁氧体、PIN管、FET或BJT。铁氧体和PIN 是经典的开关器件，表1给出了两种器件的性能比较，铁氧体的特点是功率大、损耗小，PIN的特点是快速，成本低。FET或BJT 有增益，已经成为中、小功率开关的主要器件。各种器件的同轴开关都有自己的使用场合。双槽

双控开关

海尔双动力洗衣机

7个月前

3

回答

双刀双掷微动开关多少钱一个？

余遇余欲渔回答：双刀双掷微动开关好一点的大概50元左右一个，双刀双掷开关（DPDT）属于同轴开关的一种，构成同轴开关的器件有铁氧体、PIN 管、FET或BJT 。铁氧体和PIN 是经典的开关器件，表1给出了两种器件的性能比较，铁氧体的特点是功率大、损耗小，PIN的特点是快速，成本低。FET或BJT 有增益，已经成为中、小功率开关的主要器件。各种器件的同轴开关都有自己的使用场合。

双控开关

微动开关

双联开关7个月前

范文四：单刀双掷同轴开关

单刀双掷同轴开关

同轴开关可通过电压或计算机编程自动控制，在微波电路中做切换用。按输入输出点数量可分为单刀双掷开关，单刀多掷开关, 双刀双掷开关等产品类型。现在上海墨石小编为大家整理出几类开关的介绍：

SW516100单刀双掷同轴开关

通常用于调节一个端口输入到两个端口输出的情况，自锁和失效保护切换也是可用的。其他选项包括TTL 信号控制、指示器、内部终端、标准/缩小的尺寸选择，频率范围可达26.5GHz 。

产品优势：

1. 重量轻

2. 体积小

3. 切换时间长

4. 工作频率可达到K 波段

应用领域：

广泛应用在TR

组件，测试系统等。

SW516121同轴单刀多掷开关在微波电路中做切换用，可让某个物体的状态发生瞬间的改变，改变之后无需施加外力，而物体本身却能够一直保持改变后的状态称之为自保持

SW516105双刀双掷同轴开关

通常用于调节两个端口输入到两个端口输出的情况，自锁和失效保护切换也是可用的。其他选项包括TTL 信号控制、指示器、内部终端、标准/缩小的尺寸选择，频率范围可达18GHz 。

产品优势：

1. 重量轻

2. 体积小

3. 切换时间长

4. 工作频率可达到K 波段

范文五：X_波段MEMS单刀双掷开关的研究

第29卷 第1期

2006年3月

电子器件

Chine se Journal Of Elect ron Devi c es

Vol. 29 No. 1Mar. 2006

Research of a X 2Band MEMS Single 2Pole 2Double 2Throw (SPDT) Switch

Y AN J ie , LI AO Xiao 2p ing , ZH U J ian

2. Nanj ing Electr onic Devices I nstitute, N anjing 210016, China

1

1

2

1. Key Laborator y of MEMS of M inistr y of Ed ucation, Sou theast University , Nanj ing 210096, China;

Abstr act:T he newly designed SPDT switch utilizes the broadly r esearched SPST (single pole single throw) MEMS membrane switches and known microwave microstrip technology to implement SPDT function. the switch can be integr ated onto a single chip, which makes it very easy to fabricate. T he threshold voltage of the SPDT switch is about 19V. T he switch operates on X 2band (8212GH z) , with 10GH z chosen as its cen 2tral fr equency. At the central frequency, the insertion loss of the open switch is -0. 2dB, the isolation of the closed switch is -21dB, the reflection loss is about -43dB.

Keywor ds:MEMS; single 2pole 2double 2throw (SPDT) switch; MEMS membrane switch; insertion loss; isola 2tion; reflection loss EEACC:2575

X 2波段MEMS 单刀双掷开关的研究

严 捷, 廖小平, 朱 健

2. 南京电子器件研究所, 南京210016

1

1

2

1. 东南大学MEMS 教育部重点实验室, 南京210096;

摘 要:利用X 2波段MEMS 单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X 2波段M EMS 单刀双掷膜开关, 其模拟结果

为:阈值电压为19V 左右, 工作频率为8~12GH z, 在中心频率(10GHz) 处, 导通开关的插入损耗为-0. 2dB, 截止开关的隔离度为-21dB, 开关的回波损耗为-43dB 。

关键词:M EMS; 单刀双掷开关; M EMS 膜开关; 插入损耗; 隔离度; 回波损耗中图分类号:TN405 文献标识码:A 文章编号:100529490(2006) 0120092203 单刀双掷开关广泛应用于微波毫米波通信系统中, 尤其是在T/R 组件中的信号路由、相控阵天线中的开关线型移相器和宽带调谐网络中。通常将PIN 二极管和MESFET 管等固态器件集成于单刀双掷开关网络中来实现单刀双掷功能, 固态器件非常利于集成并且批量制备成本较低, 但是固态器件仅仅在低频段有较好的特性, 随着频率的升高其特性将迅速变坏, 当频率上升到G 级时, 其插入损耗和隔离度都不好, 因此固态单刀双掷开关不适合高

频应用; 另一方面, 由于固态开关静态功耗较高, 线性度较差, 因此也不适用于宽频应用中。由于用微机械的信号处理方法代替了电气的信号处理方法, 因而与固态单刀双掷开关相比较, MEMS 单刀双掷开关具有很多优点, 例如插入损耗低, 隔离度高, 功耗低, 线性度好等等, 因此MEMS 开关在微波领域有广泛的应用前景。

目前已经提出了好几种MEMS 单刀双掷开关结构, 它们有的利用MEMS 膜开关来实现单刀双掷

收稿日期:2005205210

作者简介:严 捷(19802) , 男, 攻读硕士学位, 研究方向为RF MEMS, stickalong@tom.com;

廖小平, 男, 教授, 研究方向RF MEMS;

朱 健, 女, 高级工程师, 研究方向为RF MEMS 。

在上式中令Z L =0, l =

tan B l =]Z in =

=]Z c +0

K g =@, 则:44B

功能[1, 2], 有的使用MEMS 悬臂梁开关来实现[3, 4]。但是, 目前的研究都基于硅衬底, 本文要介绍的单刀双掷开关将基于GaAs 衬底, 其利用GaAs 上的单

刀单掷膜开关[5]和1/4波长微带线技术来实现单刀双掷功能。由于采用膜开关, 其阈值电压将很低[6], 它工作在X 2波段, 并且在整个频率范围表现出了很好的特性。

因此, 从A 2A c 面向负载终端看去的输入阻抗为无穷大, 即A 2A c 面右侧对微波信号来说将相当于开路, 它对A 2A c 面左侧的信号没有任何影响, 这就是1/4波长短路线理论。1 设计原理

1. 1 基于GaAs 衬底的交直流分开的单刀单掷

MEMS 膜开关

图1是一种交直流分开的MEMS 膜开关的示意图, 在这个MEMS 膜开关中, 衬底是GaA s 衬底, 厚度为200L m 。这个开关与普通的单刀单掷MEMS 膜开关[5]相比, 特别之处为在CPW 中的信号线和地线之间比普通单刀单掷开关增加了两个直

流驱动电极。

图1 交直流分开的单刀单掷M EMS 膜开关的示意图

由于引入了两个额外的直流驱动电极, 驱动电压将加在驱动电极上而不像传统的膜开关那样直接加在CPW 信号线上, 因此直流控制信号和传输线上所

施加的微波信号分开, 这就抑制了直流电源噪声, 从而改善了开关的噪声特性, 提高了线性度。

同样, 由于驱动直流电压不直接加在CPW 信号线上, 所以可以很方便地利用这种开关和T 型头(由1/4波长传输线技术实现) 来制备单刀双掷开关。1. 2 1/4波长短路线理论

图2是一段微波传输线的示意图, 传输线的特性阻抗为Z c , 从A -A c 面往右看去的输入阻抗为Z in , 负载阻抗为Z L , 从A -A c 面到负载的传输线长度为l 。根据微波传输线理论[7]

:

图2 一段微波传输线的示意图

Z L in =

Z +j Z c tan B l Z c +j Z L tan B l

1. 3 单刀双掷开关原理

图3是利用微波T 型头和1/4波长传输线理论实现单刀双掷功能的结构示意图。如图所示, 微波信号从输入端口输入, 并通过T 型头分为两支。在每个支路上距离T 型头分支处1/4K g 处分别有一个交直流分开的单刀单掷MEMS 膜开关, 其中K g

为所传输微波信号的等效波长。

图3 利用微波T 型头和1/4波长传输线理论实现单刀

双掷功能的结构

这种单刀双掷开关的工作原理为:微波信号从T 型头的信号输入端输入, 通过两条支路分为两路, 通过控制电路同时向两个交直流分开的单刀单掷MEMS 膜开关的直流驱动电极上施加不同电压, 使得一个开关导通同时另一个开关截止。因为截止开关到地的电容很大, 所以在微波频率下其到地的阻抗Z L 接近为0, 由于开关距离T 型分支的距离为

1/4K

g , 因此从T 型分支处看去, 截止开关所在支路的输入阻抗为无穷大, 从而信号将几乎不受影响地从导通开关所在的支路通过, 这样就实现了单刀双掷功能。

2 开关结构和工艺

2. 1 MEMS 单刀双掷开关结构

本文所设计并研究的这种单刀双掷开关中设有一个由微带线构成的微波T 形头, 微波T 形头的下端连接高频信号输入信号线, 两端对称连接两条分支信号线。(如图4) 其中微带信号线的特性阻抗设

计为508, 微带线以GaAs 衬底为介质。

根据特性阻抗及信号线宽度与介质厚度的比例要求, 设定GaAs 衬底厚度为200L m 。每条分支信号线上各有一个交直流分开的单刀单掷MEMS 膜

开关与之对称相连, 其中每个单刀单掷开关的共面波导(CPW) 的尺寸为G/S/G=84/140/84L m; 梁长400L m 、宽40L m 且厚1. 5L m, 梁与下方信号线的间距为2L m; 两个直流驱动电极的尺寸为60L m @60L m 。特别地, 微波T 形头从分支处到每个开关膜下方的信号线长度为中心频率10G 的1/4K g , 根据ADS 软件计算得L=3200L m

。

(a)

导通开关的插入损耗

图4 M EM S 单刀双掷开关的结构示意图

2. 2 主要制备工艺

1准备GaAs 衬底; o淀积并光刻共面波导信号线与地线、开关支撑梁的桥墩、直流驱动电极以及微波T 形头微带线的信号线; ?生长氮化硅绝缘介质层并光刻; ?淀积聚酰亚胺牺牲层并光刻, 仅保留开关梁下的牺牲层; ?在聚酰亚胺牺牲层上溅射用于电镀开关梁的底金层并光刻; ?光刻并腐蚀底金层, 形成腐蚀孔; ?在底金层上电镀金, 形成开关梁; à释放牺牲层; á衬底背面蒸金, 形成微带线的地平面。

3 软件模拟

利用MEMS 设计软件Coventor War e 模拟出单刀双掷开关的阈值电压, 其阈值电压为19V 。利用高频分析软件H FSS 模拟出了这种开关的S 参数(如图5) , 在中心频率(10GH z) 处导通开关的插入损耗约为-0. 2dB, 并且在整个X 2波段, 导通开关的插入损耗小于-0. 8dB; 在中心频率处截止开关的隔离度约为-21dB, 而且它在整个频带比较平稳(约从-17dB 到-26dB) ; 单刀双掷开关的回波损耗在中心频率处为-43dB, 回波损耗在中心频率处最小并且在整个频带都小于-9. 5dB 。

4 结论

本文中研究了一种MEMS 单刀双掷开关, 利用了MMIC 技术并基于GaAs 衬底制备, 其尺寸约为860L m @7200L m, 模拟结果为:阈值电压为19V, 中心频率(10GH z) 处, 导通开关的插损为-0. 2dB, 截止开关的隔离度为-21dB, 开关的回波损耗为-

(b)

截止开关的隔离度

(c) 单刀双掷开关的回波损耗

图5 H FSS 模拟出的MEMS 单刀双掷开关的S 参数

３犱犅。由于在微波领域其性能比传统FET 和PIN 管优越, 因此它在T /R 转换器和开关线型移相器等微波毫米波通信系统中具有广泛的应用前景。参考文献:

[1] Pacheco S P, Peroulis D and Katehi L P B , 'MEM S Sin gle-Pole

Doub le-Th row (SPDT ) X and K 2Band Switching Circuits ' [C],In:IEE E MT T 2S, International Microwave Sym posi L m Proceedings, 2001:3212324.

[2] Scardellitti M C, Ponchak G E and Varaljay N C, 'M EMS, Ka 2

Ban d Sin gle 2Pole Double 2T hrow (SPDT) Switch for Switched Line Phase Shifters'[C], In:Antenn as and Propagation Society International Symposi L m, 2002. 2:225.

[3] Schau wecker, B. , et al. :'A New T ype of High Bandwidth RF

MEMS Witch 2T oggle Switch '[J ], J. Semicond. T echnol. Sci. , 2002, 2, (4) :2372245. [4] Park Jac 2H young, Lee Sanghyo, Kim Jug 2Mu, Kwon Young 2

woo and Kim Yong 2Kweon , 'A 35260GH z SPDT Switchin g

Cir cuit U sing Direct Contact M EMS Switches an d Double Res 2onance T echnique' [C], In:T he 1'2th International Conference on Salid State Senson, Actu ators and Microsystem s, Boston , J une 8212, 2003:179621799.

[5] Guo F M, Zh u Z Q, Long Y F, Wang W M , Zhu S Z. Study on Low Voltage Actu ated MEMS RF Capacitive Switches [J ].IEEE. 2003.

[6] K M Strohm, et al. :'RF M EMS Switching Concepts for High Power Applications'[C], In:An n Arbor, M I, USA, September 2001:42246.

[7] 李宗谦, 佘京兆, 5微波技术6[M], 西安交通大学出版社, 1991

年6月, 第一版.

４

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