鲍比手好
范文一：原理图电阻符号
1. 电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4；
电阻类及无极性双端元件封装形式： AXIAL0.3-AXIAL1.0，数字代表两焊盘的间距，单位为Kmil. 。电阻排： RESPACK1/RESPACK2 RESPACK3/RESPACK4 。
贴片电阻 ：
0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说
0201 1/20W
0402 1/16W
0603 1/10W
0805 1/8W
1206 1/4W
2. 电容原理图中常用的名称为CAP （无极性电容）、ELECTRO （有极性电容）；
引脚封装形式：无极性电容为RAD0.1--RAD0.4，有极性电容为RB.2/.4或 RB.3/.6或 RB.4/.8或 RB.5/1.0斜杠前数字表示焊盘间距，斜杠后数字表电容外直径。电解电容为
3. 电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2；引脚封装形式：VR-1到VR-5.
4. 二极管原理图中常用的名称为DIODE （普通二极管）、DIODE SCHOTTKY （肖特基二极管）DUIDE TUNNEL （隧道二极管）DIODE VARCTOR （变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）发光二极管：LED ；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4）
引脚封装形式：DIODE0.4和DIODE 0.7; 发光二极管封装（RAD0.1-0.4）。
5. 继电器引脚封装形式：RELAY-DPDT/ RELAY-DPST RELAY-SPDT/ RELAY-SPST
6. 三极管原理图中常用的名称为NPN ，NPN1和PNP ，PNP1；
引脚封装形式TO18、TO92A （普通三极管）TO220H （大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）
7. 场效应管原理图中常用的名称为JFET N（N 沟道结型场效应管），JFET P（P 沟道结型场效应管）
MOSFET N（N 沟道增强型管）MOSFET P（P 沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。
8. 整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D 系列，如D-44，D-37，D-46等。
9. 单排多针插座原理图中常用的名称为CON 系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP 系列，从SIP-2到SIP-20。
10. 双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP 系列。
11. 串并口类原理图中常用的名称为DB 系列，引脚封装形式为DB 和MD 系列。
12. 晶体振荡器：CRYSTAL ；封装：XTAL1
13. 发光数码管：DPY ；至于封装嘛，建议自己做！
14. 拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！
15. 按键开关：SW-PB ：封装同上，也需要自己做。
16. 变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 提示：其实好多PCB 封装可以在库里有的元件的基础上加以修改，那样更实用！
范文二：万用表测电阻原理图 电工技术基础与技能教案
导读:就爱阅读网友为您分享以下“电工技术基础与技能教案”的资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92to.com的支持!
邻水县职业中学
《电工技术基础与技能》教案
教师:周肖
电子教研组
1
第一章，电路 第一节 电路概述(第1.2课时)
教学目标:使学生懂得什么是电路，什么不是电路
一、电路的组成
1(电路:由电源、用电器、导线和开关等组成的闭合回路。
2(电路的组成:电源、用电器、导线、开关(画图讲解)。
(1) 电源:把其他形式的能转化为电能的装置。如:干电池、蓄电池等。
(2) 用电器:把电能转变成其他形式能量的装置，常称为电源负载。如电灯等。
(3) 导线:连接电源与用电器的金属线。作用:把电源产生的电能输送到用电器。
(4) 开关:起到把用电器与电源接通或断开的作用。
二、电路的状态(画图说明)
2
1(通路(闭路):电路各部分连接成闭合回路，有电流通过。
2(开路(断路):电路断开，电路中无电流通过。
3(短路(捷路):电源两端的导线直接相连。短路时电流很大，会损坏电源和导线，应尽量避免。
三、电路图
1(电路图:用规定的图形符号表示电路连接情况的图。
2(几种常用的标准图形符号。
第二节 电流(第3.4课时)
教学目标:使学生深刻理解电流的物理意义
一、电流的形成
1(电流:电荷的定向移动形成电流。(提问)
3
2(在导体中形成电流的条件
(1) 要有自由电荷。
(2) 必须使导体两端保持一定的电压(电位差)。
二、电流
1(电流的大小等于通过导体横截面的电荷量与通过这些电荷量所用时间的比值。
I?=?
2(单位:1A???1C/s;1mA???10?3 A;1?A???10?6A
q t
3(电流的方向
实际方向—规定:正电荷定向移动的方向为电流的方向。
4
提问:金属导体、电解液中的电流方向如何,
参考方向:任意假定。
4(直流电:电流方向和强弱都不随时间而改变的电流。(画图说明)
第三节 电阻(第5.6课时)
教学目标:使学生深刻理解电阻的物理意义
一、电阻
1(导体对电流所呈现出的阻碍作用。不仅金属导体有电阻，其他物体也有电阻。
2(导体电阻是由它本身的物理条件决定的。
例:金属导体，它的电阻由它的长短、粗细、材料的性质和温度决定。
5
3(电阻定律:在保持温度不变的条件下，导体的电阻跟导体的长度成正比，跟导体的横截面积成反比，并与导体的材料性质有关。
R?????l? S
式中:??,导体的电阻率。它与导体的几何形状无关，而与导体材料的性质和导体所处的条件有关(如温度)。
单位:R,欧姆(Ω);l,米(m);S,平方米(m2);?,欧?米(??m)。
4((1) 阅读P6表1-1，得出结论。
(2) 结论:电阻率的大小反映材料导电性能的好坏，电阻率愈大，导电性能愈差。
导体:??,?10-6 ??m
绝缘体:??,?107???m
6
半导体:10-6???m?,?? ,?107???m
(3) 举例说明不同导电性能的物质用途不同。
二、电阻与温度的关系
1(温度对导体电阻的影响:
(1) 温度升高，自由电子移动受到的阻碍增加;
(2) 温度升高，使物质中带电质点数目增多，更易导电。随着温度的升高，导体的电阻是增大还是减小，看哪一种因素的作用占主要地位。
2(一般金属导体，温度升高，其电阻增大。少数合金电阻，几乎不受温度影响，用于制造标准电阻器。超导现象:在极低温(接近于热力学零度)状态下，有些金属(一些合金和金属的化合物)电阻突然变为零，这种现象叫超导现象。
ο3(电阻的温度系数:温度每升高1C时，电阻所变动的数值与原来电阻值的比。若温度
7
为t1时，导体电阻为R1，温度为t2时，导体电阻为R2，则
????
即 R2?R1 R1(t2?t1)
R2???R1 [?1?????(?t2???t1?) ?]
οο例1:一漆包线(铜线)绕成的线圈，15C时阻值为20??，问30C时此线圈的阻值R
为多少,
例2:习题(《电工基础》第2版周绍敏主编)
4.计算题(3)。
第四节 欧姆定律(第7.8课时)
8
教学目标:1、使学生深刻理解欧姆定律的物理意义
9
范文三：范德堡法
Van der Pauw method - Wikipedia, the free encyclopediahttp://en.wikipedia.org/wiki/Van_der_Pauw_method
Then, the van der Pauw formula becomes
Reversed polarity measurements
A further improvement in the accuracy of the resistance values can be obtained by repeating the resistance
measurements after switching polarities of both the current source and the voltage meter. Since this is still
measuring the same portion of the sample, just in the opposite direction, the values of R vertical and R horizontal
can still be calculated as the averages of the standard and reversed polarity measurements. The benefit of doing this is that any offset voltages, such as thermoelectric potentials due to the Seebeck effect, will be cancelled out.Combining these methods with the reciprocal measurements from above leads to the formulas for the resistances
being
and
The van der Pauw formula takes the same form as in the previous section.
Measurement accuracy
Both of the above procedures check the repeatibility of the measurements. If any of the reversed polarity
measurements don't agree to a sufficient degree of accuracy (usually within 3%) with the corresponding standard
polarity measurement, then there is probably a source of error somewhere in the setup, which should be investigatedbefore continuing. The same principal applies to the reciprocal measurements—they should agree to a sufficient
degree before they are used in any calculations.
Calculating sheet resistance
In general, the van der Pauw formula cannot be rearranged to give the sheet resistance R S in terms of known
functions. The most notable exception to this is when R
vertical = R = Rhorizontal ; in this scenario the sheet resistance is given by
In most other scenarios, an iterative method is used to solve the van der Pauw formula numerically for RS .
Unfortunately, the formula doesn't fulfill the preconditions for the Banach fixed point theorem, thus methods based on it don't work. Instead, nested intervals converge slowly but steadily.
Hall measurements
Background
When a charged particle—such as an electron—is placed in a magnetic field, it experiences a Lorentz force
proportional to the strength of the field and the velocity at which it is travelling through it. This force is strongest when the direction of motion is perpendicular to the direction of the magnetic field; in this case the force
Van der Pauw method - Wikipedia, the free encyclopediahttp://en.wikipedia.org/wiki/Van_der_Pauw_method Two sets of measurements need to be made: one with a magnetic field in the positive z -direction as shown above, and one with it in the negative z -direction. From here on in, the voltages recorded with a positive field will have a subscript P (for example, V 13, P) and those recorded with a negative field will have a subscript N (such as V 13, N). For all of the measurements, the magnitude of the injected current should be kept the same; the magnitude of the magnetic field needs to be the same in both directions also.
First of all with a positive magnetic field, the current I 24 is applied to the sample and the voltage V 13, P is recorded; note that the voltages can be positive or negative. This is then repeated for I 13 and V 42, P.
As before, we can take advantage of the reciprocity theorem to provide a check on the accuracy of these measurements. If we reverse the direction of the currents (i.e. apply the current I 42 and measure V 31, P, and repeat for I 31 and V 24, P), then V 13, P should be the same as V 31, P to within a suitably small degree of error. Similarly, V 42, P and V 24, P should agree.
Having completed the measurements, a negative magnetic field is applied in place of the positive one, and the above procedure is repeated to obtain the voltage measurements V 13, N, V 42, N, V 31, N and V 24, N.
Calculations
First of all, the difference of the voltages for positive and negative magnetic fields needs to be worked out:
V 13 = V 13, P? V 13, N
V 24 = V 24, P? V 24, N
V 31 = V 31, P? V 31, N
V 42 = V 42, P? V 42, N
The overall Hall voltage is then
.
The polarity of this Hall voltage indicates the type of material the sample is made of; if it is positive, the material is P-type, and if it is negative, the material is N-type.
The formula given in the background can then be rearranged to show that the sheet density
Note that the strength of the magnetic field B needs to be in units of Wb/cm2. For instance, if the strength is given in the commonly used units of teslas, it can be converted by multiplying it by 10-4.
Other calculations
Mobility
The resistivity of a semiconductor material can be shown to be[2]
where n and p are the concentration of electrons and holes in the material respectively, and μn and μp are the mobility of the electrons and holes respectively.
Generally, the material is sufficiently doped so that there is many orders-of-magnitude difference between the two
范文四：美国范德堡大学
美国范德堡大学
范德堡大学是一个植物园，走在校园，到处绿树成荫，景色宜人，在校园南部一千多英尺的高山上，设有一个天文台。夏天，繁星密布的夜晚，拿着望远镜，沐着凉爽的夏风，在观看星空的同时，俯视校园建筑、绿树与灯光辉映的校园，是人间的一大美事。
性质：私立、综合型大学
位置：美国、田纳西州、纳什维尔市
成立时间：1872年
排名： 美国综合大学-17
每年总费用：$56236
校史钩沉
范德堡大学创建于1872年，位于田纳西州的首府纳什维尔市内，由华尔街历史上有名的铁路、船运大亨、银行家考莫道尔·寇尼留斯·范德毕特捐款100万建立。过去的范德堡大学专门招收美国南部富豪和大地主子女，现在它已成为了一所财力雄厚、资源丰富，并以研究著称的大学。从范德堡大学毕业的学生中，大约有一半会直接进入该校的各研究生院继续深造。
1998年美国大学研究院中，范德堡大学比得堡教育学院排行第七位、医学院排名第15位、法学院排名第16位、商学院排名第25位。2001年，比得堡教育学院进入了全美前5名。
当今风采
现在的范德堡大学包括10所学校、1所国家政策学院、1个卓越的医疗中心和1个校园中心。范德堡大学的专业主要有人文科学和科学、工程学、音乐、教育。比得堡教育学院在合并进范德堡大学以后，依然保持着它在教育方面的领先地位，2006年全美教育学院排名中，比得堡教育学院排名第五位。
范德堡大学的法学院在全美大学排行中位置靠前，学院的选课非常自由，可以根据自己的时间和兴趣选择不同的老师和难易程度不一的课程。与其他学院不同，范德堡大学的法学院不需要写毕业论文或学位论文，不用为论文写作，特别是答辩能否通过而操心。法学院看起来很轻松自由，但是要取得好成绩可不容易，每一门课程，除老师推荐的教材外。还有一大堆指定需要阅读的材料，上课时老师会随时点名让学生讲述、如果几次都回笞不出来，就不能得到好的成绩。
虽然范德堡大学规模较小，但是课程设置却非常丰富。商学院还包括一些很新颖的课程，老师讲解非常出色，并且在为期6周的教学之后，学生会被分成小组在春季到国外，比如日本、欧洲、墨西哥、拉丁美洲等地方去研究国际商务。学生不用掏钱，旅游费由赞助公司支付。
植物园里的学校
范德堡大学，校区里最古老的建筑可以追溯到1873年。校园内景色宜人，建筑别具风格，是美国中南部大学中颗璀璨的明珠。在1979年并入的比德堡学院校园内，有许多从1966年起就被视为国家级历史古迹。学校拥有300棵树木和多种灌木、并且从1988年开始设置了一座国家植物园。校园南面有一座一干多英尺高的山，山顶上建有工个天文台，对天文方面有兴趣的同学，可以在繁星密布的夜晚，拿着望远镜，观赏美丽的星空。
美国乡村音乐之乡
范德堡大学所在的那什维尔，被公认为“美国乡村音乐的白宫”，所有乡村歌手都视之为“乡村音乐的圣地”。格莱美奖是这种音乐的最高奖项。每年，这里都会举办大型的音乐会。而观看演唱会也是范德堡大学学生的一项重要内容。这里淳朴的民风，热情的人们，让人们在欣赏音乐的同时，也充分地感受到小镇别样的风情。
录取标准
范德堡大学要求数学580-69O分，海外生需具新托福80O分以上，老托福570分。
范德堡大学录取并不是仅仅靠成绩优秀，更重要的因素是性格人品、班级排名、申请短文、推荐信、初中与高中成绩、标准考试、课外活动、特殊才能、就连校友关系、少数族裔也会影响到申请。
通过以上介绍，如果您还对美国范德堡大学的入学要求有任何疑问，请您在线点击这里与我们的咨询顾问取得联系。
名校与中国
华人在这里就读的历史比较久，1882年宋庆龄的父亲宋嘉树曾在这里就读神学院。现在这里有中国学生联谊会。2005年，华南师范大学、范德堡大学及那什维尔公立学校签订了中美中小学校长培训项目协议。
本文转自美国留学签证网：http://www.usedu.net/mgyx/zhdx/1575.html
范文五：范德堡法
范德堡法
优点:
(1)降低了绝对法电导率测量对机械加工精度的要求，能更精
确地确定电导池常数;
(2)电极结构对电导池内溶液电导有较好的均匀作用;
(3)电极结构采用激励电极与感应电极分离的测量模式，大大
降低了电极极化对测量精度的影响;
(4)感应电压电极位于低电场强度点，对溶液自身电场影响小。
, 用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因
答:根据热力学定律,稳定的磁状态一定是对应于铁磁材料内总自由能极小值的状态.磁畴的形成和稳定的结构状态,也是对应于满足总的自由能为极小值的条件.对于铁材料来说，分成磁畴后比分成磁畴前能量缩小,故铁磁材料自发磁化后必然分成小区域的磁畴,使总自由能为最低,从而满足能量最低原理.可见,退磁场能是形成磁畴的原因
, 用冲击电流计检测磁性
N沟道增强型MOS管
第二章 材料的电性能
-71. 铂线300K时电阻率为1×10Ω?m，假设铂线成分为理想纯。试求1000K时的电阻率。(P38)
解:
,,,,，(1)TT0
1+T1+T5,,,,,77222,,,,，，,，, 1102.2710m,,211+1+2.2TT,,,111
2. 镍铬丝的电阻率为10?-6(300K),加热至400K时电阻率增加5%,假定在400K温度下马西森法则成立求杂质引起的电阻率
p(300k) = 10?-6 则:p(400k) = (10?-6)* (1+0.05) ----(1)
在400K温度下马西森法则成立,则:p(400k) = p(镍400k) + p(杂400k) ----(2)
又:p(镍400k) = p(镍300k) * [1+ α * 100] ----(3)
其中参数:α 为镍的温度系数约 = 0.007 ;
p(镍300k)(室温) = 7*10?-6 Ω.cm)
将(1)和(3)代入(2)可算出杂质引起的电阻率 p(杂400k).
3. 为什么金属的电阻因温度的升高而增大 半导体电阻因温度升高而减小,
金属导电是因为其最外层自由电子导电，温度升高，自由电子运动加剧，电子在外电场作用下定向运动受到撞击阻碍的几率提高，所以电阻变大。半导体电阻导电是由于电子空穴对的迁移，温度升高参与导电的电子空穴对的浓度提高，从而电阻降低
1531231. 一块n性硅材料，掺有施主浓度，在室温(T=300K)时本证载流子浓度，Ncm,，1.510/ncm=1.310/，Di
求此时该半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。
解:
153,nNcm,,，1.510/()多子;D0 ,2？nN，，？n,iD93ipcm,,，1.1310/()少子。0,ND,
2. 非本征半导体的导电性主要取决于添加的杂质的原子数量，而在一定范围内与温度的关系不大。 3. 假设X射线源用铝材屏蔽，如果要使95%的X射线能量不能穿透它，试决定铝材的最小厚度。设线性吸收系数
-1为0.42cm。
,,x解: 由IIe,0
ln(/)IIln(0.05)0,,,x ,0.42,,
=7.13cm()
1. 一入射光以较小的入射角i和折射角r通过一透明玻璃板，若玻璃对光的衰减可以忽略不计，
2试证明透过后的光强为(1-m)(m为反射系数)
解:
sinin,21sinr
2,,,n,1W'21,,,m,,,Wn，121,,W''',，WW,
,WW"'？,,,,11m,WW,
其折射光又从玻璃与空气的另一面射入空气
WW"'"'2则,,？,,11mm，，WW"
2. 波长λ=0.0708nm的x射线，其光子能量为多少,
c,15 解:E2.8110,,,，hhJ,,
3. 一光纤的芯子折射率n=1.62，包层折射率n=1.52，试计算光发生全反射的临界角 ,。12c
,,n1.52,,,,11,2解:,sinsin1.21869.8,,,,,,c,,n1.62,,1,,
4.
,1有一材料的吸收系数，透明光强分别为入射的、,0.3210%cm,
20% 50%80%、及时，材料的厚度各位多少,
I,,,,xx解:IIee,？,0I0
I,ln？,,xI0
ln0.1ln0.2ln0.5,,,7.2,5.03,2.17？,,,,,,xcmxcmxcm1230.320.320.32
ln0.8,xcm,,0.69740.32
5. 摄影者知道用橙黄滤色镜拍摄天空时，可增加蓝天和白云的对比，若相机镜头和胶卷底片的灵
敏度将光谱范围限制在390nm-620nm之间，并将太阳光谱在此范围内视为常数，当色镜波长在
550nm以后的光全部吸收时，天空的散射广播被它去掉百分之几呢,
解:
6200111dx,433,5500,55006200,,14.3%6200111dx,433,390039006200,
