腰力很好但没用
时
boost?压电路是?一种开关?流升压电路?，它可以输?出电压比输?入电压高。 基
假那个开?关(三极管或者?mos管)已经断开了?很长时间，有的元件?都处于理想?状态，电容电
下面要充?电
充电过程
在过程?中，开关闭合(三极导通?)，等效电路如?二，开(三极管)处用导线代?。这时，输入电压流?过电感。二极管防止?电容对地放?电。于入是?直流电，以电感上?的电流以一?定的比率线?性增加，这个比率跟?电感大小有?关。着电感电?
放电过程
如，这是当开关?断开(三极管截止?)时的等效电?路。当开关断?(三管止?)时，由于电感的?电保持特?性，流经电感的?电流不会马?上变为0，而是缓慢的?由充电毕?的值变为?0。而原的电?路断开，于是电感只?能通过新电?路放电，即电感开始?给容充电?，电容两电?压升高，此电
说来升压程就是一?个电感能?量传递过程?。充电时，电感吸收能?量，放电时
如电容量?足够大，那么在输出?端就以在?放电程中?保持一个持?续的电流。 如果个通?断的过程不?断重复，就可以在电?容两端得
一补充1? AA电压低?,反激升电?路制约功率?和效率瓶?颈在开关管?,整流管,及其他损
1.电不能用?磁体太小的?(无法存应有?的量),线径太细的?(脉冲电流大?,会有线损?). 2 整流管大都?用肖特基,家一样,无特色,在出3.3V时,整流损耗约?百分之十. 3 开关管,关键在这儿?,放量要足?够进饱和,导通降一?定要小,是成功的关?键.总共才一伏?,管子上耗多?了就没电出?来了,因些压降?应选大电?流时
4 大电流有?多大呢?们简单点?就算1A吧?,是不止?的.由效率低?会超过1.5A,这是平均值?,半周供电时?为3A,实际电流波?
5 现成的芯片?都有集成?上那么?电流的管?,所以咱建议?用土电路就?够对付电?路了. 以上是书本?上没有直说?的知识,但
开导通?时，电源由电?感-开管形?回路，电流在感?中转化为磁?能贮存;开关管关断?时，电感中的磁?能转化为电?能在电感端?左负右正，此电压叠
负形回?路，完成升压功?能。既然如此，提高转换效?率就要从三?个方面手?:1.尽能低?开关管导通?时回路阻?抗，使电能尽可?能多的转化?为磁能;2.尽可能降低?负载回路的?阻抗，使能尽?能多的转化?为电能，同时回路的?损耗最低;3.尽可能降低?控制电路的?消耗，因为对于转?换来，控制电路?消耗某意?义上是浪费?的，
已知参数:
输入电压:12V --- Vi
输出电压:18V ---Vo
输出电流:1A --- Io
输出纹波:36mV --- Vpp
工作频率:100KH?z --- f
1:占空比
稳作时?，每个开周?期，导通间电?感电流的增?
don=(Vo+Vd-Vi)/(Vo+Vd),参数带入，don=0.572
2:电感量
先每个开?关周期电?感初始电流?于输出电?流时的对应?电感的电感?量 其值Vi?*(1-don)/(f*2*Io)，参数
delta?I=Vi*don/(L*f)，参数带入，delta?I=1.1A
当的电?感量小于此?值Lx时，出纹波随?电感量的增?加变较明?， 当感的电?感量大于此?值Lx时，输出纹波随?电感量的增?加几乎不再?变小，由于增加电?量可减?小磁滞损耗?，另外考虑输?入波动等其?他方面影响?取L=60uH， delta?I=Vi*don/(L*f),数带
I1=Io/(1-don)-(1/2)*delta?I,I2= Io/(1-don)+(1/2)*delta?I，
参数带
3:输出电容:
此例中出?电容
C=Io*don/(f*Vpp),参数带入，
C=99.5uF，3个33u?F/25V陶瓷?电容并联
4:磁
查磁环手?册选择应?峰值电流I?2=1.92A时?环不饱和的?适合磁环 Irms^2=(1/3)*(I1^2+I2^2-I1*I2)，
按此流有?
其他参数:
电感:L 占空比:don
初始电:I1
输电容:C 电流
两种降压
2011年?11月15?日 11:06 来源:电子发烧友?网 作者:小兰
图示两?降压压电路，可在输入电?压可能大于?或小于出?电压的情形?下使用。这些电路与?前述两降?压拓扑有?同折冲特?点，与电流侦测?电阻与门极?驱动位置?有关。图2的降压?压拓扑，显示接地参?考的闸驱?动。此拓扑需要?准移位电?流侦测讯号?，不过的?压压拓?扑则具有接?地参考的电?流侦测及位?准移闸极?驱动。如果控制I?C与负输出?有关，且电流侦测?电阻与LE?D进行交换?，即可用有?效的方式?置反向升压?压拓扑。只要适当控?制IC，即
求DC-DC升
提者:孔
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来
http://zgzdh?03.blog.163.com/blog/stati?c/20123?50522?01231?71062?1681/
DC-DC
2012.3.15
DC/DC转换器电路各种?特性?(效率、纹波、负载瞬响?应等)可根据外设?元件的变更而变
1、DC/DC转换的?基本工作原?理
最本的
1)升压电路
FET为?ON时的电路?图
在FET为?ON的时间?
电流，但会
FET为?OFF时的电?路图
在FET为?OFF时，L要保持?OFF前的值?，相当于在?入回路增加了一个?“电源”。由于线圈的?左端被强制?性固定于?VIN，因此输出?VOUT的电?压要
由，FET的?ON时间越长?(FET的?发占空比?D越大)，L里蓄的?电流能越大?，越能获得电?源功
但，FET的?ON间太长?的话，给输供?电的时间?极为短暂，FET为O?N时的损失?也
2)降压电路
FET为?ON时的电路?图
在FET为?ON的时间?，L积蓄电流?能的同时为输出供电?。虚
径虽?
FET为?OFF时的电?路图
在FET为?OFF时，L要保?OFF前的电?流，使SBD为?ON。此时，由线圈的左端被强制??性地降到?0V以下，VOUT的?电下降，即降压路?原。 由此，FET的?ON时间长?L里积蓄的电流能越大?，越能获得大?功
降时，由FET?为ON也要给输出供??电，所以不需要?限制占空
2、DC/DC转换电?路的设计要?点
设计要点:
(1)稳工作(,不
(2)效率大
(3)
(4)负
这设计指标通过变??更DC/DC转换器?IC和外设?
DC/DC换器?IC具备?有的开关频?率，频率的不同?会对各种特?
以XC92?37A18?C(1.2MHz)和XC92?37A18?D(3MHz)为例表
CIN:10μF，CL:10μF，L=4.7μH(NR301?5T-4R7M)，Topr=25?
XC923?7A18C?(振
XC923?7A18D?(
效最大的流值不同??是为不同?的开关频率适合的感应??系数值也
对构相同的线圈?，感应系数大直流电阻??越增加，负载时?损失增加，由此，效率大的?电流值越是低频的越会??向轻负载侧?移动。相反，频高因?FET的充电次数增??加和IC自?身的静态消?耗电流增大?，3MHz产?品比1.2MHz产?在轻
综看，可知1.2MHz产?品的率峰?值大，效率最的?输出电流值?峰值小。 此外，PFM工作?时，轻负载时的频率都进一?步下降?，效率明显得?
RDS:Drain?-sourc?eON-Resis?tance?
RDS引起?的损失:RDS可以?看是FE?T的漏源极
CISS:Input?Capac?itanc?e
CISS引?起的损失:CISS?以看成是?FET的栅?极充电?时被丢弃的功?率。驱动电压和开关频率越??大损失就越?大，由于重负载时和负载??时损失值基?相同，以会使轻负载时的效??率大幅度变?差。因此，轻负载时减?少CISS?引起的
虽RDS?和CISS?都是越小损?失越小，因RDS?和CISS?成反比关系?，改善损失大?的一方效果?更好。一般电压额?定值定为使?用电压的1?.5倍,2倍，RDS?CISS
输入电=输出(
效未知，?可姑且
测
XC922?0C093?的测试电路?:
测试的效率?图:
4、线圈的选择 ?
线起的损失表现为??线圈的绕?电阻RDC?和铁氧体?心产的?失等。 开关频率不?同的话，最佳L值也不同?。因为线圈的?电流与FE?T的ON?成正比，与L值成?比。对2MH?z左右的开?关频率，可以认为线圈的大部分??损失是RD?C引起的损失?，
如了减?小RDC?选择L值过的
相，如果L值过?大的话，RDC变大?，不重负载效率变??差，且铁氧体磁心发生磁??饱和，L值急速减?少，这样不能?发挥出线圈的性?，陷入电流过?大引起发热?的危险状态?。因而，了在L值?
上必须一定程
综所述，对于线圈?的外形寸和效率两个??方面，适当的L值已被限定?，
实
实
?下:
5、SBD的选?择
SBD的损?失为正向?损失VF×IF和向?漏电流IR?
VF重负?载时大，虑到IR?与负无一定的值??，所以轻负载?时选择I?R小的产品对提高
实例:
与XBS2?03V17?相比，XBS20?4S17的?VF大IR?小，轻负载时的?效率好，重负载时的效率差?。下表是详细?参数:
测试电路
6、CL的选择 ?CL越大则?纹波越，但大的?话，电器的形?状也大，成本提高。 CL由所需?纹波大小?而定。以10mV?,40mV的纹波大小为??目
升压:CL
降压:CL
纹与ES?R成正比，与
注:铝电解容时?，没有联的?陶瓷电容的?话，ESR过大?难以获
7、CIN的选?择
虽
大种程度?，降低输纹?波的效果会?变小，防止对输?入侧电磁?干扰EMI?的意义上说?，电容值应从?CL的一半左右开始探??讨较好。 CIN不会?因ESR太?小而出振?荡，
实例:CIN与
CIN值变?
8、RFB1,和RFB2?的选择
使FB(反馈)产时，RFB1、RFB2用?于决定输出?电压，对一输出?电压有时可?虑多种组?合。此时选择?RFB1+RFB2=150kΩ?,500kΩ?比较妥当。 这里成为问题的是负??载时的效率?和重负载时输出稳定??性。因为流向?RFB1、RFB2的电流没有被?为输出功??率使用，而视作DC?/DC转换的失?，所以要想提?高负载时?的率的话?，要将RFB?1、RFB2设?定得大一些?(RFB1+RFB2<>
9、CFB的选?择
CFB是?波反馈调
CFB过小?:电压复到恒定状的??时间短，但载变重时电压急剧??下降; CFB大?:负载变重时的瞬间电压?下降虽小?，但电压恢
在的情况下?，重载时会?出现CF?B反馈到?FB端子的纹波的影响过??大，输出不稳定情况?。出现这种情?况时，不连接CF?B有时能使?工作
求电容降压?限流电路工?作原理,,
提者:
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电降压工原理发起??投票 | 删除 电容降压的?工作原理 2009年?04
13:25
电降压的作原理??不复杂。他的工作原?理是利用电?容在一定的?交流信号频?率下产生的?容抗来限制?最大工作电?流。例如，在50Hz?的工频条件?下，1uF?的电容所?生的容抗约?为3180?欧姆。当220V?交流电压?加在电容器?的两端，则流电容的最大电流??约为70m?A。虽然过电?容的电流有?70mA，但在电容器上并不产生??功耗，应如果?是一个想容?，则流过电容?的电流虚?部电流，它作的功为无功功率??。据这个特?点，我们如果在?一个1uF?的电容器上再串联一个??阻性元件，则性元件?两端所得到的电压和它?所产生的功??耗完全取决?这阻元件的特性??。例，我们将一个?110V/8W的
亮，?出正常的?亮度而不会?被烧毁。因为110?V/8W的灯泡?所需的电流?为8W/110V=72mA，它与1uF?电容所产生?的限流特?相吻合。同理，我们也以?将5W/65V的灯?泡与1uF?电容串接?到220V?/50Hz的?电上，灯泡同样会被点亮?，而不会被烧?毁。因为5W/65V的灯泡的工作电??流也约为?70mA。因此，电容降压实际是利用?容抗?流。而电容实际上起到一??个
用电容
1 根负载的?电流大和交流电的工??作频率选取?适当的电容?，而
电压?和功率。
2 限电容必?须采用极性电容?，绝对不能采?用电解电容?。而且
?400V以上。?最理想的电?容为铁壳油?浸电容。
3 电容降压
4 电容
5 同样，
6 当
定负载的?条件。
上是电容降压工作原??的简单介?绍。前些子我?曾次提出?一个问题，就是只用电?阻和电容可?以组成什么电路?，进一步讲只用个电阻?和一电容??以组成什?么电路。此篇可以是一个回答?，有兴趣的可以再一想??还能
容电感?作为电子电?
采用电降压电路是一??种常见的小?电流电源电路?,由于其具有?
电流相
一为一个实际的采用??容降压的?LED驱?电路:注意,大部分应用电中没?有连接压敏电?阻或瞬变电??压抑制晶体?管,建连上,?因压敏阻或瞬电压?抑制晶?体管?能在电压突?变瞬间( 如雷电)大用电备?起动等 )
而护?级关和其
级。
电路工作原?理:
电容C1的?作用为降和限流?:大家都知道?,电容的特性?是通
电容连?于交
XC = 1/2πf C
式中,XC 表示电容的?容抗)f 表示输入交?流电源的频?率)C 表
量。
流
I = U/XC
中 I 表示流电?容的电流)U 示电源电?压)XC 表示电容的?容抗在22?0V)50Hz的?交流电路中?,当负载电压?远远小于?220V
I = 69C
其中电的?单
下为在?220V)50Hz的?交流电路中,?理论电流与?实际测
电R1为?泄放电阻,其作用为:当正波在?最大峰值时?刻被切断?,电容C1?残存电荷无法释放?,长久存在,?在维修时如?果人体接触?到C1的金属部分?,有强烈的触?电可,而电阻R1?的存,能将残存?电荷泄放掉?,从而保证人)?机安全。泄放电阻的?阻与电容?的小有关,?一般电容的?量越
阻值就
D1 ~ D4的作用?
C2)C3作用为滤波?,作用是将?整流后的脉动直流电压??滤波成
压电阻( 或瞬变电压?抑晶体管? )的作用是将输入电源中??瞬间的脉
地泄放,从而
LED串联?数量视其正向导通??压( Vf )而,在220V? AC电路中,?
个左?右。
组选择:容的耐压?一般要
中?,以选择耐?
D1 ~D4 可以选择?IN4007?。
滤电容?C2)C3的耐压?根据负载电压而定?,一般为负载?电压的1.2
视负载电
求降压斩波?电路的基本?原理,,
提者:闫
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工原理，两个阶段 ? t=0V导?，E向负供?电，uo=E，io按指数曲线上
曲线下 ? 为
大 图3-1 降斩波电路的原理图??及波形 a)电路图 b)电流连续时?的形 c)电流断续时?的波形 ? 数量关系 电
值 (3-1) a——导通占空比，?简称比?或导通比 Uo最大为?，减小Ea，Uo随之减小?——
(3-2) 电流
望?现 ? 斩波电路三种控制方?? (1)脉冲宽度调?制(PWM)或冲调宽?型——T变，调节ton? (2)频率调制或?调频型——ton不变?，变T (3)混合型——ton和T?都可调，使占空比改?变 其中PWM?控制方式应?用最多 ? 基“分段线性”思
升压降压电源电路工作原理
boost 升压电路工作原理
boost 升压电路是
基本电路图见图一:
假那个开关(三极管或者 mos ) 已经断开了很长时,所有的元件都处于理想状态,电
下面分充电
充电过程
在过程中, 开关闭合 (三管导通) , 等效电如图二, 关 (三极管) 处导线代替。 这时, 输入电压流过电感。二极管防止电容对地电。由于输入是直流, 所以感上的电 流以一定的比率线性增加, 这个比率跟电感大小有关。 随着电感电增
放电过程
如,这是当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断(三极截)时,由于 电感的电保持特性,流经电感的电流不会马上变为 0,而是缓慢的由充电毕时值变为 0。而来的电路断开,于是电感只能通过新电路放电,即电感开始给电容充电,电容两 电压升高,此电
说来 升 过程就是一个电的能量传递过程。 充电时, 电感吸收能量, 放电
如电容足够大,那
如这个断的过程不
一补充 1 AA电压低 , 反激压电路制约功率和效率的瓶在开关管 , 整流管 , 及其他损
1. 电感不用磁体太小的 (
2 整流管大用肖特基 , 大一样 , 无特色 , 在输出 3.3V 时 , 整流
3 关管 , 关键在这儿 , 放大量要足进饱和 , 导通压降一定要 , 是成功的关键 . 总共才一 伏 , 管子上耗了就没电出来了 , 些管压降应选最大电流时不超过 0.2--0.3V, 单只做不到
4 大电流有多大呢 ? 们简单点就算 1A 吧 , 实是不止的 . 于效率低会超过 1.5A, 这是平 均值 , 半周供时为 3A, 实际电波形为 0至 6A. 所以咱建议要用两只号称 5A 际 3A 的管
5 现成的芯片都有集成上述那么大流的管子 , 所以咱建议用土电路就够对付电路了 . 以上是书本上没有直说的知识 ,
开管导通时,电源由电感 -开管形回路,电流电感中转化为磁能贮存;开关管关 断,电感中的磁能转化为电能在电感端左负右正,此电压叠
负形回路, 完成升压功能。 既然如,提高转换效率就要从三个方着手:1. 尽可降 低开关管导通时回的阻抗, 使电能尽可能多的转化为磁能; 2. 尽可能降低负载回路的阻, 磁能尽可能多的转化电能, 同回路的损耗最低; 3. 尽可能降低控制电路的消耗, 因 对于转来说,控电路的消耗某种义
具体计算
已知参数:
输入电压:12V --- Vi
输出电压:18V ---Vo
输出电流:1A --- Io
输出纹波:36mV --- Vpp
工作频率:100KHz --- f
1:占空比
稳工作时,每个开周期,导通间电感流的增加等
don=(Vo+Vd-Vi)/(Vo+Vd),参数带入, don=0.572
2:电感量
先每个关周期内
其
deltaI=Vi*don/(L*f),参数带入, deltaI=1.1A
当感的感量小于此
当感的电感量大此值 Lx 时,出纹波随电量的增加几乎不再变小,由于增加感量 可以减小磁滞损耗,另外考虑输入波动等其他
deltaI=Vi*don/(L*f),参数带入, deltaI=0.72A,
I1=Io/(1-don)-(1/2)*deltaI,I2= Io/(1-don)+(1/2)*deltaI,
参数带
3:输出电容:
此例中出电容
C=Io*don/(f*Vpp),参数带入,
C=99.5uF, 3个 33uF/25V陶瓷电容并联
4:磁环及线径:
查磁环册选择对应
Irms^2=(1/3)*(I1^2+I2^2-I1*I2),参数带入, irms=1.6A
按此电流有
其他参数:
电感:L 占空比:don
初始电
输出电:C 电
两种降
2011年 11月 15日 11:06 来源:电子发烧友网 作者:小兰
图示两降压升电路, 可在输入电压可能大于或小于输电压的情形下使用。 这些电路 与前述两降压拓扑有相的折特点, 与电流侦测电阻与门极驱动的位有关。 图 2的降 压升拓扑, 显示接地参考的闸极动。 此拓扑需要位移位电流侦测讯号, 不过反升 降拓扑则具有接地参考的电流侦及位准移位闸极动。如果控制 IC 与负输出有关, 且电流侦测电阻与 LED 进行交换, 即可利有效的方式配向升压降压拓。 只要适当控 制 IC ,即
求 DC-DC 升降压电路原理及设计要点?
DC-DC 升压与降压电路简介
DC/DC转换器电的各种特性(效率、纹波、负载态响应等)可根据外 设元件的变更变更,尽量在各种制约条件下,设计出最接近要求规
1、 DC/DC转换的基本工作原理
最基本
1)升压电路
FET
在 FET ON 的时间里在 L 积蓄电流能。虚线表示电流路径虽是微小的 漏电流,但会
FET
在 FET 为 OFF 时, L 要保 OFF 前的电流值,相当于在输入回路增加了一 个“电源”。由于线的左端被强制性固定于 VIN ,因此输出 VOUT 的电压
由, FET 的 ON 时间越长(FET 的触发占空比 D 越大), L 里积蓄的电流 能越大,越能获得电
但, FET 的 ON 时间长的,给输出侧
不超过适
2)降压电路
FET
在 FET 为 ON 的时间里, L 蓄电流能的同时为输出供电。线表示的电流 路径虽是微小的漏电流,但
FET
在 FET 为 OFF 时, L 保持 OFF 前的流值,使 SBD 为 ON 。此时,
由, FET 的 ON 时长 L 里积蓄的电流能越大,越能获得大功率电源,
降时,由 FET 为 ON 时也要给输出供电,所以不需要限制占
2、 DC/DC转换电路的设计要点
设计要点:
(1)稳工作 (=
(2)效率大
(3)输出纹波小
(4)
这设计指可通过变更 DC/DC转换器 IC 和外设元件得到某
3、开关频率的选择
DC/DC转换器 IC
以 XC9237A18C (1.2MHz )和 XC9237A18D (3MHz )为
CIN :10μF , CL :10μF , L=4.7μH (NR3015T-4R7M ), Topr=25℃ XC9237A18C (振荡频率 1.2MHz )
XC9237A18D (荡频率 3MHz )开关频率与效率的关
效最大电流值不同是
对构相同的线圈,感应系数大直流电阻越增加,重载时的增 加,由此,效率大的电流值越是低频的越会向轻负载侧移动。相反,频 率高因 FET 的充电次数增和 IC 自身的静态消耗电流增大, 3MHz 产 品比 1.2MHz 产
综
此, PFM 工作时,轻负
RDS :Drain-sourceON-Resistance
RDS 引起的损失:RDS 可以成是 FET 的源极间电阻成分,因而会发热 而损失
CISS :InputCapacitance
CISS 引起的损失:CISS 可以看成是 FET 的栅间充放电时被丢弃的 率。驱动电压和开关频率越大损失就越大,由于重负载时和负载时损失 基本相,所以会使轻负载时的效率大幅度变差。因此,轻负载时减少 CISS 引起
虽 RDS 和 CISS 都是越小损也越,但因 RDS CISS 成反比关系,改 善损失大的一方
输电
效未知时,可且升压时采用 70%、降时采用 80%来计算。 测试
XC9220C093的测试电路:
测试的效率图:
4、线圈的选择
线引起损失表现为
开率不同的话,最佳 L 值也不同。因为圈电与 FET 的 ON 时间 成正比,与 L 值成反比。对于 2MHz 左右的开关频率,可以认为线圈的大 部分损失是 RDC 引起损失,首先应
如了减小 RDC 而选择 L 过小圈的话,在 FET 为 ON 的时间内电 流值过大, FET 、 SBD 、线圈产生的热损失变大,效率下降。
相,如果 L 值过大的, RDC 变大,不仅载时的效率变差,而且铁 氧体磁心发生磁饱和, L 值急速减少,样就不能发挥出线圈
形状上须有
综所述, 相对于线圈的外
实:XC9104D093(升压)电路只变更了 L 值后的效率和纹波。
实:XC9220A093(降压)电路只变更了 L 值后的效率和纹波。
5、 SBD 的选择
SBD 的损失为正向热失 VF ×IF 向漏电流 IR 引起的热损失的合计值。 因此,选择 VF 、 IR 都小的产品比较理想。但是, VF 与 IR 成反
VF 在重负载时,考虑到 IR 负载无关为
选择 SBD 的要点见下表:
实例:
与 XBS203V17相比, XBS204S17的 VF 大 IR 小,轻负载时的效率好,重负 载时的效
测试电路
6、 CL 的选择
CL 越大则纹波越,但过分大的,电容的形状也大,成本提高。 CL 由所需的纹波大小定。以 10mV ~40mV 的纹波大小为目标,升
升压:CL 值为表中值乘以升压比
降压:CL 值为表中值乘以降压比
纹与 ESR 成正比,
注:铝电电容时,没有
7、 CIN 的选择
虽不及 CL 对输出稳定性的影响,但 CIN 也是电容越大、 ESR 越小则 输出稳定
大某种程度,低输出纹波的效果会变小,从防止对输入侧的电磁干扰 EMI 的意义上说,电容值应从 CL 的
CIN
实例:CIN 与纹波的关系,测试电路如下:
CIN 值
8、 RFB1, 和 RFB2的选择
使 FB (反馈)产品时, RFB1、 RFB2于决定输出电压,对同一输出电 压有时
这成问题的是轻负载时的效率和重负载时的输稳定性。因为流向 R FB1、 RFB2的电没有作输出功率使用,而视作 DC/DC转换器的损失, 所以要想提高轻负载时的效率的话,要将 RFB1、 RFB2设大一些 (RFB1 +RFB2<1mω左右 )="" 。而要想提高重负载时的瞬态响应的话,则要做好轻负="" 载时的效率差的备,将="" rfb1、="" rfb2设定得比标准值="">
9、 CFB 的选择
CFB 是纹波反馈
CFB 小:电压恢
CFB 大:负载变重
在别的情况下,负载时会出现从 CFB 反馈
实例:
求电容降
电降压工作理发起投票 | 删 电容降压的工作原理 2009年 04月 27日 星
电容压的工作理并不复杂。的工原理是利用电容在一定的交流信号频率下 产生的容抗来制最大工作电流。例如,在 50Hz 的工频条件下,一个 1uF 的电所 产生的容抗约为 3180欧姆。当 220V 的流电压加在电器的两端,则电容的 最电流约为 70mA 。虽然流过电容的电流有 70mA ,但在电容上并不产生功耗,应 为如果电容是一个理想电容,则流过电容的电流为虚部电流,所作的功为无功功 率。根据这个特点,我们如果在一个 1uF 电容器上再串联一个性元件,则阻性 元件端所得到的电压和它产生功耗完全取决于这个阻性元的特性。例如, 我们将一个 110V/8W的灯泡与一个 1uF 的电容串,在接到 220V/50Hz的交流电压 上,灯泡被点亮,发正常的亮度而不会被烧毁。因为 110V/8W的灯所需的流 为 8W/110V=72mA,它与 1uF 电容所产生限流特性相吻合。同理,我们也可以将 5W/65V的灯泡与 1uF 电串接到 220V/50Hz的交流电上,灯泡同样会点亮,而 不会被烧毁。因为 5W/65V的灯泡工作电也为 70mA 。因此,电容降压际上 是利用容抗限。而电容器实际起到一个限制电流和动态分配电容和负载
采用电容
1 根据负的电流大小和交
2 限流电容必采用无极性电容,绝对能采用电解电容。而且电容耐压须 在 400V 以上。最理想
3 电降压不
4 电容降
5 样,电
6 当需要流工作时,尽量用半波整流。不建议采用桥式整流。而且要满足
以电容降压工作原理的简单介。前些日子我曾再次提出个问题,是 只用电阻和电容可组成什么电路,进一步讲只用一个电阻和一个电容可以组成什 电路。此篇可以是一个答,有趣的可以再想一想还能组成什么电路。其实电 阻、电容和电感作为电电路的基本件,
采电容降压电是一种常见的小电流电源路﹐由于其具有体积小﹑成本
图一个实际的采用电容降压的 LED 驱动电路﹕请注﹐大部应电路中 没有连接压电阻或瞬变电压抑制晶体管﹐建议连接上﹐因压敏电阻或瞬变电压 晶体管能在电压变瞬间 ( 如雷电﹑大用电设备起动等 )有效地将突变电流泄放 ﹐从而保二级关和其晶
级。
电路工作原理﹕
电 C1的用为降压和限流﹕大家
XC = 1/2πf C
式﹐ XC 表示电容的容﹑ f 表示输入交流电源的频率﹑ C 表示降
流过电容降
I = U/XC
式 I 表示流电容的电流﹑ U 表
I = 69C
其中电的单位
下
电 R1为泄放电阻﹐其作用为﹕当正弦在最大峰值时刻被切断时﹐电容 C1上的 残电无法释放﹐会长久存在﹐维修时如果人体接触到 C1的金属部分﹐有强 烈的触电可能﹐而电阻 R1的在﹐将残存的电荷泄放掉﹐从而保证人﹑机安全。 泄放电阻的阻值与电容的大小有关﹐一般电容的容量大﹐残存的荷就越多﹐泄 放电阻就阻就要
D1 ~ D4的作用
C2﹑ C3的作用为滤
压电阻 ( 瞬变电压抑制晶体管 )的作用是将输入电源中瞬间的
LED 串的数量视其正向导电压 ( Vf )而定﹐在 220V AC电
80个左右。
组选择﹕电容的压一般要求大于输电源电压峰值﹐在 220V,50Hz 交流电 路中时﹐可以选择耐压为 400伏以
D1 ~D4 可以选择 IN4007。
滤电容 C2﹑ C3的耐压根据负电压而定﹐一般为负载压的 1.2倍。 其电容容量 视
工理,两个阶段 2t =0时 V 导通, E 向负供, u o=E , i o 按指 数曲线上升 2t =t 1时 V 关断, i o 经 VD 续, u o 近似为零, i o 呈指 数曲线下降 2为 i o 连
大
图 3-1 降压斩
波路的原理图波形 a)电路图 b)电流连续时的波形 c)电流断 续时的波形 ? 数量关系 电
值
(3-1) a —— 导通占空比,
简占空比或导通比 U o 最大 E ,减小 a , U o 随之减小——降压斩 波
(3-2) 电流断续时, u o 平均值被抬高,一般不 希望出现 ? 斩波电路种制方 (1)脉冲宽度调制(PWM )或脉 冲调宽型—— T 不变,调节 t on (2)频率调制或调型—— t on 不变, 变 T (3)混合型—— t on 和 T 都可调,使占空比改变 其中 PWM 控 制方式应最多 ? 基于“分段
Boost升压电路的工作原理
Boost 升压电
电感是将电能和磁场能互转换的能量转换器件，当switch闭合以，电感将电能转换为磁能储存起来，switch断开后，电感又将磁能转换为电能（给电容充电）。电容压由于电感能量的叠加用升高，并过二极管和电容滤波后得到平滑的直流电压提供给负
肖特基二极管主要起到隔离作用，在switch合时，二管的正极比负极电压低，反偏止，此时电感的储能过程不影响输出端电容对负载的正常供；当switch开时，二管正向导通，电感能量和电容同时向负载供
肖特基二极管
1. 反向恢时间和正向恢复时间都短=>感充放
2. 在低电流密度(JF 能量
损耗低，效率高
如图，在实际电路中，带集功率MOSFET的IC代替了机械开
（PWM）电路控，输电压由PWM占空比决定。一路输出
下面是升压芯片LM2587的模块图：
反馈电路控制输
:
The output voltage is controlled by the amount of energy transferred which, in turn, iscontrolled by modulating the peak inductor current. This is done byfeeding back a portion of the output voltageto the error amp, which amplifies the difference between the feedback voltage and a
1.230V reference. The erroramp output voltage is compared to a voltage proportional to the switch current (i.e., inductor current during theswitch on time).
由此，我们可以通过调节R1和R2电值来调
现在市场上常见的
升压斩波电路原理
升压斩波电路(Boost Chopper)设计 1.直升斩波电路一分为三个部分电路块:分为主电路模块，控电路模块和驱动控制模块。其主电路模块，主要由全控器件IGBT的开与关断的时间占空比来决输出电压u的
的开通与关断。其驱动电路模块，用
2.升压斩波主电路的
图1.1升压斩
电路的基本工
图1.1中假设L值、C值很大，V通时，E向L充电，充电电流恒为I，同时C的电压
出电压u为恒值，为U。设V通的时间为t，此阶段L上ooon积蓄的
V断时，E和L共同向C充电并向负
，，U,EIto1off间为t，则此期间电感L释能量为。
于稳态时，一个周期T中L积蓄能量释放能
，，EIt,U,EIt 1ono1off
化简得:
t，tTonoffU,E,Eo (1) ttoffoff
(1)
，输出电压高电源电压，故称该电路为升压斩
也称之为boost变换器。升压比，调节其即可变输出
toffU。升压比的倒数记作，即。和通占空
下关系:
,，,,1 (2)
因此，式(1)
11,,UEE (3) o,1,,
升压斩波电路能使输出压高于源电压的原因:储能之后具L有使电压泵升作用;
1
DC-DC升压电路原理分析
dc dc升
时间 :2010-03-22 21:58来源 :www.elecfans.com
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升压电路
点击下面下载 [dc dc升压电
dc dc升
升压变换电路结构
工作原理 :稳态情况下 ,T 断开时 , 电感电流减少 ,uL=US - uC <0 uc="US" -="" ul="">
US
升压变换电路
升压变换电路 IGBT 实现
两种情形 :.电感电流连续 .电
假设条件:
a 、器件是理想的(不考虑开关间、
b 、输出滤波电容较大,出电
2 波形分析 -电感
等效电路 : 根开关件的通断状况来确定 IGBT 件的通断由
3 主要数量关系 -电
(5) 电感电流
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