范文一:发光二极管压降
发光二极管压降2010-05-13 23:311. 直插超亮发光二极管压降
主要有三种颜色,然而三种发光二极管的压降都不相同,具体压降参考值如下:
红色发光二极管的压降为2.0--2.2V
黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V
绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V
正常发光时的额定电流约为20mA。
2. 贴片LED压降
红色的压降为1.82-1.88V,电流5-8mA
绿色的压降为1.75-1.82V,电流3-5mA
橙色的压降为1.7-1.8V,电流3-5mA
兰色的压降为3.1-3.3V,电流8-10mA
白色的压降为3-3.2V,电流10-15mA.
超亮发光二极管主要有三种颜色,然而三种发光二极管的压降都不相同,具体压降参考值如下: 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V 黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V 绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V 正常发光时的额定电流约为20mA。 红色1.5-1.8v,绿色1.6-2.0v 黄色1.6-2.0v 兰色2.2v白色3.2-3.6v 红色LED是1.6V,黄色约1.7V,绿色约1.8V,蓝色白色紫色都是3V到3.2V,全部采用恒流驱动,其中直径3毫米的红绿黄5毫安,白蓝紫10毫安,直径5毫米的翻倍。其中白色的有大功率的1W2W3W都有,但是要加散热片。锂电池的最低工作电压是3.6V,充满为4.2V,铅电池单个2V,极限充电电压2.3V,最低放电电压1.7V,镍镉、镍氢电池单电压1.2V,终止放电电压1V,极限充电电压1.42V。一次性锂电池3V电压。太阳能电池单体电压0.8V左右,电流根据面积和材料决定。
范文二:发光二极管压降
基本情况是:
LED的亮度(专业上称之为:IV),LED电压降(专业上称之为:VF)
VF跟IV没有什么必然的联系。
VF主要与发光晶片有关!
绿光一般为2.5到3.5V,蓝光为:2.3到3.2V,红光为:1.5到2.5V
一般选择 绿3V,蓝3V,红2V。一般相同规格红色小于绿色小于蓝色。
可以串一个很小的电阻(几欧到几十欧),或者干脆不用
用脉冲点亮,这样LED的寿命会长些
亮度也会高些哦,这是因为LED的非线性造成的
用数字万用表的二极管档位就可以测出二极管的发光状态, 数字万用表二极管的档位提供
2.8V左右电压和1.6MA左右的电流,
白光和蓝光 多数情况下是点不亮的, 二极管档位提供的电压不够3V......
在直流电路中串联电阻限流作用,两个等值电阻串联后再并联则能起1/2分压作用;串联电感是为了在电路开关接通与断开的瞬间,避免电流突变(因为在瞬间接通或断开电流时,电感会产生反向的感生电动势来阻止电流突变)。在开关合上之后,电感线圈对直流就是导线,其电阻很小,压降也很小。在直流电路中串联一个电阻和一个电感起到限流和防止开关通断瞬间电流突变。在大电流通断时,可避免开关触点产生电弧。
引脚9:该脚是内部7个续流二极管负极的公共端,各二极管的正极分别接各达林顿管的集电极。用于感性负载时,该脚接负载电源正极,实现续流作用。如果该脚接地,实际上就是达林顿管的集电极对地接通。
ULN2003驱动器输出端的二极管作用
ULN2003的输出端可达500mA/50V.
输出端的二极管学名续流二极管,英文freewheel diode。
如果ULN2003的达林顿管输入端输入低电平使其截止,其驱动的元件是感性元件,则电流不能突变,此时会产生一个高压;如果没有二极管,达林顿管会被击穿,所以这个二极管主要起保护作用。
由于ULN2003是集电极开路输出,为了让这个二极管起到续流作用,必须将COM引脚(pin9)接在负载的供电电源上,只有这样才能够形成续流回路。
CBB 电容楼上已经说了,
X电容是安规电容的一种,根据IEC 60384-14,电容器分为X电容及Y电容,火线零线间的是X电容。X电容用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,对差模干扰起滤波作用。
Y电容用来消除共模干扰。也是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现。基于漏电流的限制,Y电容值不能太大。
X电容Y电容都是安全电容,区别是X电容接在输入线两端用来消除差模干扰,Y电容接在输入线和地线之间,用来消除共模干扰。
X电容---金属薄膜电容器;通常,X电容多选用耐纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容。这种类型的电容,体积较大,但其允许瞬间充放电的电流也很大,而其内阻相应较小。X电容采用塑封的方形高压CBB电容,CBB电容不但有更好的电气性能,而且与电源的输入端并联可以有效的减小高频脉冲对电源的影响。
Y电容---常采用高压瓷片的。Y型电容连接在相线与地线之间。为了不超过相关安全标准限定的地线允许泄漏值,这些电容的值大约在几nF。一般地,Y电容应连接到噪声干扰较大的导线上。Y1属于双绝缘Y电容,用于跨接一二次侧.Y2则属于基本单绝缘Y电容,用于跨接一次侧对地保护即FG线。
X电容Y电容统称为安规电容,安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。
由此可见,X电容是CBB电容的一种(要达到安规标准),但不是说任何一种CBB电容就能做X电容。而Y电容是一种高压瓷片电容,就不属于CBB电容范畴了。
既然人家把种类都分开了说明这些都是不可以互相替换的。
CBB电容是一种薄膜卷绕类型的电容,而瓷片电容是用陶瓷烧制的,电解电容则是用铝箔卷绕出来的。
理想的电容具有无限大和无限小的容量,具有无限高的耐压能力和无穷小的漏电电流和寄生电感。
实际上则完全不是这样,所以会有不同种类的电容用在最合适的场合。
电容的技术参数主要有电容量、耐压、损耗角、稳定性等,CBB电容耐压比较高、损耗角小、稳定性号,一般是用在对电容性能要求比较高的场合,
电解电容:容量大,有极性,损耗角、稳定性极差,一般用于滤波或直流储能等。 交流电者整流以后,产生单向脉动电压,为了让电压更加平顺点,就会使用电解电容,容量比较大的,实现储能滤波的作用,通过给电容充放电的,所以选用较大容值的电容有利于使输出电压更加平顺。
用到指针的话,就会用到数组,就会用到结构体
王伟;
1、CL/CH就是个一直在累加的计数器,功能同TL/TH;2、CCAPnL/CCAPnH里面放所谓的捕获值,也就是说:CL/CH中计数的值等于CCAPnL/CCAPnH时发生捕获事件,将申请中断;PWM时计数达到CCAPnL时输出电平翻转,达到CCAPnH时翻转回去,重新计数;3、CL/CH是计数器;CCAPnL/CCAPnH是寄存器,单片机实时对比其与CL/CH的值是否相等;4、实现16位软件定时可以用CL/CH的溢出中断(同T0、T1。。),也可以使用捕获模式,CCAPnL/CCAPnH中存放定时所要计数的值,CL/CH初值赋0,在捕获中断中清零CL/CH的值;5、在2中已说明。追问十分感谢,还想补充请教一下关于规格书中的内容:1、捕获模式:当采样到有效跳变时,PCA硬件就将PCA计数器阵列寄存器(CH和CL)的值装载到模块的捕获寄存器中(CCAPnL和CCAPnH)。——这个装载动作是干什么用?2、还想问一下定时器/计数器的溢出率是个什么意思? 回答1、这个是边沿捕捉模式,比如你要捕捉一个下降沿,当下降沿到来的时候,CCAPnL和CCAPnH就记录CH和CL的值,就可以知道下降沿到来的时间;(前面回答16位定时那个好像不是捕获模式,记得是还有个比较模式吧,以前上学用过,记得不太清楚了);2、溢出率就是1S内定时器计数计满(8位256,16位就是65536)溢出中断的次数,也就是溢出中断的频率。
范文三:LED发光二极管压降
LED发光二极管压降
引自 http://hi.baidu.com/sanyun89/blog/item/6c48c4d293e5050c3bf3cf15.html
1. 直插超亮发光二极管压降
主要有三种颜色,然而三种发光二极管的压降都不相同,具体压降参考值如下:
红色发光二极管的压降为2.0--2.2V
黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V
绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V
正常发光时的额定电流约为20mA。
2. 贴片LED压降
红色的压降为1.82-1.88V,电流5-8mA
绿色的压降为1.75-1.82V,电流3-5mA
橙色的压降为1.7-1.8V,电流3-5mA
兰色的压降为3.1-3.3V,电流8-10mA
白色的压降为3-3.2V,电流10-15mA.
超亮发光二极管主要有三种颜色,然而三种发光二极管的压降都不相同,具体压降参考值如下: 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V 黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V 绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V 正常发光时的额定电流约为20mA。 红色1.5-1.8v,绿色1.6-2.0v 黄色1.6-2.0v 兰色2.2v白色3.2-3.6v 红色LED是1.6V,黄色约1.7V,绿色约1.8V,蓝色白色紫色都是3V到3.2V,全部采用恒流驱动,其中直径3毫米的红绿黄5毫安,白蓝紫10毫安,直径5毫米的翻倍。其中白色的有大功率的1W2W3W都有,但是要加散热片。锂电池的最低工作电压是3.6V,充满为4.2V,铅电池单个2V,极限充电电压2.3V,最低放电电压1.7V,镍镉、镍氢电池单电压1.2V,终止放电电压1V,极限充电电压1.42V。一次性锂电池3V电压。太阳能电池单体电压0.8V左右,电流根据面积和材料决定。
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LED耗电非常低,一般来说LED的工作电压是2-3.6V。工作电流是0.02-0.03A。这就是说:它消耗的电不超过0.1W。
电压
红黄一般是1.8至2.2V
蓝绿一般是3.0至3.6V
电流小功率的都尽量控制在20MA
做指示用的LED都用10毫安以下比较好,一般用到5毫安就比较亮了。除了蓝色的LED正向电压是3-3.4伏,其他色的都是1.8-2伏。
普通的发光二极管正偏压降红色为1.6V,黄色为1.4V左右,蓝 白 为至少2.5V 。工作电流5,10mA左右
超亮发光二极管主要有三种颜色,然而三种发光二极管的压降都不相同,具体压降参考值如下:
红色发光二极管的压降为2.0--2.2V
黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V
绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V
正常发光时的额定电流约为20mA。
出处 http://diybbs.zol.com.cn/1/86_135975.html //==============================================
范文四:高亮度红色发光二极管研究
高亮度红色发光二极管研究
康晓黎等:高亮度红色发光二极管研究
/
,
,J一J
高亮度红色发光二极管研究.
(1997年5月27收到.10月28日修回)
康晓黎@李锡华王明华陈德华宋南辛
(浙江大学信息与电子X-程学系杭州310027)
冉摘要韫导1高亮度红色发光
二极管的主要研究技术及初步结果.已研制成的红色发光二
极管在正向电流为20mA时,发光强度为400mcd.研究中采用1具有独创性的双层石墨
发光二极管的高亮度化和多色化一直是发光材料与器件研究领域的前沿课题.高亮度发光二
极管由于亮度高,功耗低,体积小,可靠性好,用途十分广泛.迄今我国生产的高亮度发光二极
管的管芯完全是进口的,我国主要进行后道加工.为摆脱这一状况,我们对高亮度红色发光二极
管进行了研究,已研制成发光强度为400mcd(20mA正向电流下)的红色发光二极管,更重要的
是研制中采用了具有独创性的双层石墨舟液相外延技术,并改进了电极制作技术,使发光二极管
的正向压降,大大降低,为进一步研制超高亮度红色发光二极管打下了坚实的基础.
二,管芯结构
我们研制的高亮度红色发光二极管}采用以P—GaAs为衬底的GaAIAs双异质结的结构,上电
极为12Om的AuGeNi圆点,下电极为AuCr全覆盖电极,如图1所示.图中并给出了双异质
结各层的厚度,AI组份,杂质材料及浓度.采用双异质结的优点是能将注入载流子限制在发光层
内,避免载流子外漏,能有效地提高发光管的量子效率和发光强度.
三,主要技术
为研制成高亮度红色
发光二极管,关键是要提
高GaAIAs双异质结的质
量,从而提高=极管的量
子效率.
目前国内外研制高亮
度红色(波长660nm)发
上电楹(AuC~Ni)
上限制层(25?30um,~t3”e10’.?)
发光层(P?A35G65As,卜2,~n.DZn10’嘲
下限制层(15.20um,掺,5×101’锄d)
村底
下电极(An
置l红色LED-々警芯结构
翟霎箍毒霪授研兜方向半导体光电器件;联系人
一
21—
高技术通讯1998.2
光二极管一般都采用液相外延(LPE)技术然而,要制得如图1所示的GaAIAs双异质结,在
高Al组份的液相外延中(限制层中Al组份高达0.65,o.80),A1的氧化几乎是不可避免的.
这
些氧化物若被带入外延层中,将产生大量缺陷,降低量子效率和发光强度,甚至导致外延的完
全
失败因此,解决这一问题,是研制高亮度红色发光二极管的首要关键.
为解决这一难题,我们专门设计了一种双
层石墨舟,用于管芯的液相外延中这种石墨
舟的主要特点是其母液糟被分为上下两层,外
延生长时,8O的母液在槽的下层,2O的母
液在槽的上层.由于氧化物的比重较小,基本
上全留在上层的母液中,下层母液不含有氧化
物,这部份母液直接与GaAs衬底接触,并进行
外延生长,从而最大限度地降低了氧化物对外
延生长的危害,提高了外延的质量和重复性,使
GaA1As双异质结的质量和量子效率显着提
高.
在GaAIAs液相外延中,存在着的另一个
问题是所谓”逆窗口效应”:由于Al的分凝系
数大于1,随着GaAIAs外延层厚度的增加,A1
组份逐步降低.在上限制层的液相外延中,当
Al组份降到低于0.35时,由发光层发出的红
光将被上限制层吸收,而不能发射出管芯的表
面.这个问题,经过反复研究,并适当调整了
限制层的Al含量之后,得到了较好的解决.图
2是由扫描电镜能谱仪测得的GaAIAs双异质
结各层中Al组份分布情况的照片.由照片可
见:上,下限制层(照片中A,C两部分)中Al
组份的分布基本上是均匀的,只是发光层(照
片中的B部分)有所下降.这是因为发光层中
的Al组份只有0.35,而上下限制为0.70.这
一
问题的解决,提高了发光管的外量子效率.
在制得了GaAIAs双异质结外延片后,如
何在高Al组份的GaAlAs上限制层表面制作
低接触电阻的上电极,是制成红色发光二极管
管芯的又一个重要问题.由于上限制层中的Al
组份很高,表面极易氧化,在其上制作电极,其
接触电阻往往很大,使发光二极管的正向压降
升高,功耗增大,外量子效率降低.为解决这
一
问题,我们采用了一种特殊技术,在n型
GaAIAs上限制层表面制作AuGeNi上电
图2GaAIAs双异质结各层Al组份
分布的扫描电镜照片
图3高亮度红色发光二极警正向
I--V特性黑片
康晓黎等:高亮度红色发光二极管研究
极,使接触电阻大大降低,正向压降显着减小.我们所研制的高亮度红色发光二极管的正向压降,
在20mA下的典型值为1-6V.图3中的照片是其正向特性.照片中纵座标表示正向电流,每格
5mA;横座标表示正向电压,每格0.5V.由照片可见,当正向电流为25mA时,我们管子的正向
压降为I?6V.而日本Stanley电气的产品目录中给出同类型的高亮度红色发光二极管,在正向电
流为20mA时,正向压降的典型值为1.7V.由于正向压降较低,功耗减小,外量子效率也相应提
高.
四,初步结果与讨论
经过前阶段研究,已初步研制成高亮度红色发光二极管,并已通过专家鉴定,其主要参数为:
峰值波长:670nm;发光强度:400mcd;正向电流:20mA;正向压降;<2V}反向击穿电压:<
2OV.
本阶段研究成果的意义,不仅在于制得了高亮度红色发光二极管,更重要的是在研制技术方
面有了重大改进,解决了高亮度红色发光管的几个主要技术难题,为下阶段进一步研制超高亮度
红色发光二极管打下了坚实的基础.
馥谢;本哺研完的暑道加工(点蚪,封幕)是请杭州仪表元件厂协助完成的.封幕技术对提高点光二辊蕾的法向光强也有t
要彰响.谨此致谢f
参考文献:
[1]朱野根.半导体发光产业现状,激光与红外,1995,25(4)
[2]方志烈.超高亮度(烛光级)发光二极管进展,激光与红外,1995,25(4)14
[3]SumioIshimatsueta1.HighefficiencyGaA1AsLED,Optoetectr~,dcs一~Dev.2icesandTechnologies,1989,4(1):
21
[4]YouBTeta1.Improvement0fhighb咄fntnessAIGaAs/GaAsDHredLEDunderoptimumgrowthcondi—
tion,JournalCrystalGrowth,1993,128:527
StudyofHigh—brightnessRedLED
(receivedMay27,1997,revisedOct.28,I997)
KangXiaoli,LiXihua,WangMinhua,ChenDehua,SongNanxin
(DepartmentofInforromtionandElectronicEngineering,ZhejiangUniversity,Hangzhow31002)
AbstIct
Inthispaper,thechieftechnologyandinitialresultsofhigh—brightnessredLEDarereported.
TheIuminousintensityat20mAforwardcurrent0fredLEDfabricatedbythisprocessis400mcd.tn
thisstudy,theLPEtechnologywiththenoveltwo-tieredgraphkeboatisused,andtheimprovement
ofelectrndfabricationtechnologylowerstheforwardvoltageofLEDobviously.
KeywordsjHigh-brightness,RedLED
范文五:光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF
sdgsdgs成都分行东风浩荡合法规和法规和土壤突然图腾
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
最重要的参数是电流放大系数传输比CTR(Curremt-Trrasfer Ratio)。通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。当接收管的电流放大系数hFE为常数时,它等于输出电流IC之比,通常用百分数来表示。有公式: CTR=IC/ IF×100%
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%,30%(如4N35),而PC817则为80%,160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%,500%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR,ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数,选取原则如下:
)光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%,200%。这是因为当CTR,50%时,光耦(1
中的LED就需要较大的工作电流(IF,5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。若CTR,200%,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能将单片开关电源误触发,影响正常输出。
(2)推荐采用线性光耦合器,其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。 (3)由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25 、4N26、4N35)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),因此不推荐用在开关电源中