范文一:mos管工作原理
MOS管工作原理
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
首先考察一个更简单的器件,MOS电容,能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开(图1.22A)。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。图示的器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。
图1.22B中是当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。
图1.22 MOS电容:(A)未偏置(VBG,0V),(B)反转(VBG,3V),(C)积累(VBG,-3V)。
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图1.22C中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。图1.23A是最终器件的截面图。Gate,电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source,另一个称为drain。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。
图1.23 MOSFET晶体管的截面图:NMOS(A)和PMOS(B)。在图中,S,Source,G=Gate,D=Drain。虽然backgate图上也有,但没有说明。
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中,对soure和drain的标注有一点任意性。定义上,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。
Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由,但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source。如果drain和source对调,这个器件就不能正常工作了。
图1.23A中的晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在。图1.23B中就是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说,“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”, 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。
引用地址:http://hi.baidu.com/zju_rainy/blog/item/251ccd3ff2dffdc37d1e7185.html
大学的时候老师没有讲MOS管这部分,让自己看。考试不考,当初就没怎么看,平时用的也少,所以对于其原理就不甚了解。今查了下,将别人blog上的好东西拽过来啦~哈哈~
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双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
首先考察一个更简单的器件,MOS电容,能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开(图1.22A)。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。图示的器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。
图1.22B中是当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。
图1.22 MOS电容:(A)未偏置(VBG,0V),(B)反转(VBG,3V),(C)积累(VBG,-3V)。
图1.22C中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。图1.23A是最终器件的截面图。Gate,电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source,另一个称为drain。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。
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图1.23 MOSFET晶体管的截面图:NMOS(A)和PMOS(B)。在图中,S,Source,G=Gate,D=Drain。虽然backgate图上也有,但没有说明。
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中,对soure和drain的标注有一点任意性。定义上,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。
Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由,但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source。如果drain和source对调,这个器件就不能正常工作了。
图1.23A中的晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在。图1.23B中就是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说,“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”, 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。
引用地址:http://hi.baidu.com/zju_rainy/blog/item/251ccd3ff2dffdc37d1e7185.html
N沟道增强型MOS管的工作原理
1(vGS对iD及沟道的控制作用
(a)
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MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出,增强(b) 型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时,即使加上漏-源电压vDS, 而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD?0。
若在栅-源极间加上正向电压,即vGS,0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半 导体表面的由栅极指向衬底的电场,这个电场能排斥空穴而吸引电子,因而使栅极附近的P型衬底中的空穴 被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层,同时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。(当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏-源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。vGS增加时,c) 吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一 个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏-源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称图为反型层,如图1(c)所示。vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多, 1 导电沟道越厚,沟道电阻越小。我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压,用VT表示。
由上述分析可知,N沟道增强型MOS管在vGS,VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。只有当vGS?VT时,才有沟道形成,此时在漏-源极间加上正向电压vDS,才有漏极电流产生。而且vGS增大时,沟道变厚,沟道电阻减小,iD增大。这种必须在vGS?VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。
2(vDS对iD的影响
如图2(a)所示,当vGS> VT且为一确定值时,漏-源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响 与结型场效应管相似。漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近源极一端的电压最大,这里沟道最厚,而漏极一端电压最小,其值为vGD=vGS - vDS,因而这 里沟道最薄。但当vDS较小(vDS< vgs-vt)时,它对沟道的影响不大,这时只要vgs一定,沟="" 道电阻几乎也是一定的,所以id随vds近似呈线性变化。="">
随着vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使vGD=vGS-vDS=VT(或a) b) vDS=vGS-VT)时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。再继续增大vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区,故iD几乎不随vDS增 大而增加,管子进入饱和区,iD几乎仅由vGS决定。 (c)
引自:
图 2
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范文二:mos管的工作原理
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范文三:mos管的工作原理
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mos管的工作原理
圈子类别: 2011-2-25 15:28:00
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MOS管工作原理---什么叫mos场效应管(一)
1.概念:
场效应晶体管(Field Effect
Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高(100000000,1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
2.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图
:
3.场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS —
对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM
是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS —
漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM —
最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM —
最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
4.结型场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.
5.常效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管(JFET)
(1)结构原理
它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极,又在硅棒的两侧各做一个P区,形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来,称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管
图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号
由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,从图1中可见,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。
(2)特性曲线
1)转移特性
图2(a)给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线,称为转移特性曲线,它和电子管的动态特性曲线非常相似,当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时,ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压,用VP表示,在0?VGS?VP的区段内,ID与VGS的关系可近似表示为:
ID=IDSS(1-|VGS/VP|)
其跨导gm为:gm=(?ID/?VGS)|VDS=常微(微欧)|
式中:?ID------漏极电流增量(微安)
------?VGS-----栅源电压增量(伏)
图2、结型场效应管特性曲线
2)漏极特性(输出特性)
图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线,它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。
?可变电阻区(图中I区)在I区里VDS比较小,沟通电阻随栅压VGS而改变,故称为可变电阻区。当栅压一定时,沟通电阻为定值,ID随VDS近似线性增大,当VGS,VP时,漏源极间电阻很大(关断)。IP=0;当VGS=0时,漏源极间电阻很小(导通),ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。
?恒流区(区中II区)当漏极电压VDS继续增大到VDS,|VP|时,漏极电流,IP达到了饱和值后基本保持不变,这一区称为恒流区或饱和区,在这里,对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线,即ID与VGS成线性关系,故又称线性放大区。
?击穿区(图中?区)如果VDS继续增加,以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿,漏极电流ID突然增大,若不加限制措施,管子就会烧坏。
2、绝缘栅场效应管
它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管,简称MOS场效应管。
(1)结构原理
它的结构、电极及符号见图3所示,以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面扩散两个高杂质的N型区,作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物,然后再用金属铝引出一个电极G(栅极)由于栅极与其它电极绝缘,所以称为绝缘栅场面效应管。
图3、N沟道(耗尽型)绝缘栅场效应管结构及符号
在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型,当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
(2)特性曲线
1)转移特性(栅压----漏流特性)
图4(a)给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线,图中Vp为夹断电压(栅源截止电压);IDSS为饱和漏电流。
图4(b)给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线,图中Vr为开启电压,当栅极电压超过VT时,漏极电流才开始显著增加。
2)漏极特性(输出特性)
图5(a)给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。
图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。
图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线
图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线
此外还有N衬底P沟道(见图1)的场效应管,亦分为耗尽型号增强型两种,
各种场效应器件的分类,电压符号和主要伏安特性(转移特性、输出特性) 二、场效应管的主要参数
1、夹断电压VP
当VDS为某一固定数值,使IDS等于某一微小电流时,栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS
在源、栅极短路条件下,漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS
表示漏、源极间所能承受的最大电压,即漏极饱和电流开始上升
进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下,栅、源之间的直流电阻,这一特性有以流过栅极的电流来表示,结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm
漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比,称为跨导,即
gm= ?ID/?VGS
它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数,也是衡量放大作用的重要参数,此参灵敏常以栅源电压变化1伏时,漏极相应变化多少微安(μA/V)或毫安(mA/V)来表示
MOS管工作原理---什么叫mos场效应管(一)
1.概念:
场效应晶体管(Field Effect
Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高(100000000,1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
2.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图
:
3.场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS —
对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM
是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS —
漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM —
最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM —
最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
4.结型场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.
5.常效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管(JFET)
(1)结构原理
它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极,又在硅棒的两侧各做一个P区,形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来,称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管
图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号
由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,从图1中可见,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。
(2)特性曲线
1)转移特性
图2(a)给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线,称为转移特性曲线,它和电子管的动态特性曲线非常相似,当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时,ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压,用VP表示,在0?VGS?VP的区段内,ID与VGS的关系可近似表示为:
ID=IDSS(1-|VGS/VP|)
其跨导gm为:gm=(?ID/?VGS)|VDS=常微(微欧)|
式中:?ID------漏极电流增量(微安)
------?VGS-----栅源电压增量(伏)
图2、结型场效应管特性曲线
2)漏极特性(输出特性)
图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线,它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。
?可变电阻区(图中I区)在I区里VDS比较小,沟通电阻随栅压VGS而改变,故称为可变电阻区。当栅压一定时,沟通电阻为定值,ID随VDS近似线性增大,当VGS,VP时,漏源极间电阻很大(关断)。IP=0;当VGS=0时,漏源极间电阻很小(导通),ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。
?恒流区(区中II区)当漏极电压VDS继续增大到VDS,|VP|时,漏极电流,IP达到了饱和值后基本保持不变,这一区称为恒流区或饱和区,在这里,对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线,即ID与VGS成线性关系,故又称线性放大区。
?击穿区(图中?区)如果VDS继续增加,以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿,漏极电流ID突然增大,若不加限制措施,管子就会烧坏。
2、绝缘栅场效应管
它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管,简称MOS场效应管。
(1)结构原理
它的结构、电极及符号见图3所示,以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面扩散两个高杂质的N型区,作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物,然后再用金属铝引出一个电极G(栅极)由于栅极与其它电极绝缘,所以称为绝缘栅场面效应管。
图3、N沟道(耗尽型)绝缘栅场效应管结构及符号
在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型,当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
(2)特性曲线
1)转移特性(栅压----漏流特性)
图4(a)给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线,图中Vp为夹断电压(栅源截止电压);IDSS为饱和漏电流。
图4(b)给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线,图中Vr为开启电压,当栅极电压超过VT时,漏极电流才开始显著增加。
2)漏极特性(输出特性)
图5(a)给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。
图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。
图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线
图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线
此外还有N衬底P沟道(见图1)的场效应管,亦分为耗尽型号增强型两种,
各种场效应器件的分类,电压符号和主要伏安特性(转移特性、输出特性) 二、场效应管的主要参数
1、夹断电压VP
当VDS为某一固定数值,使IDS等于某一微小电流时,栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS
在源、栅极短路条件下,漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS
表示漏、源极间所能承受的最大电压,即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下,栅、源之间的直流电阻,这一特性有以流过栅极的电流来表示,结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm
漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比,称为跨导,即
gm= ?ID/?VGS
它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数,也是衡量放大作用的重要参数,此参灵敏常以栅源电压变化1伏时,漏极相应变化多少微安(μA/V)或毫安(mA/V)来表示
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范文四:mos管工作原理【优质】
MOS---mos) 管工作原理什么叫场效应管(一
1.概念:
场效应晶体管,Field Effect Transistor缩写(FET),简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高,100000000,1000000000Ω,、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
2.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :
3.场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
4.结型场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低,一般为几千欧至十几千欧,的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.
5.常效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构~每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管,JFET,
,1,结构原理 它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极~又在硅棒的两侧各做一个P区~形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来~称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管
图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号
由于PN结中的载流子已经耗尽~故PN基本上是不导电的~形成了所谓耗尽区~从图1中可见~当漏极电源电压ED一定时~如果栅极电压越负~PN结交界面所形成的耗尽区就越厚~则漏、源极之间导电的沟道越窄~漏极电流ID就愈小,反之~如果栅极电压没有那么负~则沟道变宽~ID变大~所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化~就是说~场效应管是电压控制元件。
,2,特性曲线
1,转移特性
图2,a,给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线~称为转移特性曲线~它和电子管的动态特性曲线非常相似~当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时~ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压~用VP表示~在0?VGS?VP的区段内~ID与VGS的关系可近似表示为:
ID=IDSS,1-|VGS/VP|,
其跨导gm为:gm=,?ID/?VGS,|VDS=常微,微欧,| 式中:?ID------漏极电流增量,微安,
------?VGS-----栅源电压增量,伏,
图2、结型场效应管特性曲线
2,漏极特性,输出特性,
图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线~它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。
?可变电阻区,图中I区,在I区里VDS比较小~沟通电阻随栅压VGS而改变~故称为可变电阻区。当栅压一定时~沟通电阻为定值~ID随VDS近似线性增大~当VGS,VP时~漏源极间电阻很大,关断,。IP=0,当VGS=0时~漏源极间电阻很小,导通,~ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。
?恒流区,区中II区,当漏极电压VDS继续增大到VDS,|VP|时~漏极电流~IP达到了饱和值后基本保持不变~这一区称为恒流区或饱和区~在这里~对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线~即ID与VGS成线性关系~故又称线性放大区。
?击穿区,图中?区,如果VDS继续增加~以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿~漏极电流ID突然增大~若不加限制措施~管子就会烧坏。 2、绝缘栅场效应管
它是由金属、氧化物和半导体所组成~所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管~简称MOS场效应管。
,1,结构原理
它的结构、电极及符号见图3所示~以一块P型薄硅片作为衬底~在它上面扩散两个高杂质的N型区~作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物~然后再用金属铝引出一个电极G,栅极,由于栅极与其它电极绝缘~所以称为绝缘栅场面效应管。
图3、N沟道,耗尽型,绝缘栅场效应管结构及符号
在制造管子时~通过工艺使绝缘层中出现大量正离子~故在交界面的另
一侧能感应出较多的负电荷~这些负电荷把高渗杂质的N区接通~形成了导电沟道~即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时~沟道内被感应的电荷量也改变~导电沟道的宽窄也随之而变~因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型~当栅压为零~漏极电流也为零~必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
,2,特性曲线
1,转移特性,栅压----漏流特性,
图4,a,给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线~图中Vp为夹断电压,栅源截止电压,,IDSS为饱和漏电流。
图4,b,给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线~图中Vr为开启电压~当栅极电压超过VT时~漏极电流才开始显著增加。 2,漏极特性,输出特性,
图5,a,给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。 图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。
图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线
图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线
此外还有N衬底P沟道,见图1,的场效应管~亦分为耗尽型号增强型两种~
各种场效应器件的分类~电压符号和主要伏安特性,转移特性、输出特
性, 二、场效应管的主要参数
1、夹断电压VP
当VDS为某一固定数值~使IDS等于某一微小电流时~栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS
在源、栅极短路条件下~漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS
表示漏、源极间所能承受的最大电压~即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下~栅、源之间的直流电阻~这一特性有以流过栅极的电流来表示~结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm
漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比~称为跨导~即
gm= ?ID/?VGS
它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数~也是衡量放大作用的重要参数~此参灵敏常以栅源电压变化1伏时~漏极相应变化多少微安,μA/V,或毫安,mA/V,来表示
参考资料:http://baike.baidu.com/view/3964.html1.概念:
场效应晶体管,Field Effect Transistor缩写(FET),简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高,100000000,1000000000Ω,、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
2.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :
3.场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压
必须小于BVDS.
PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
4.结型场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低,一般为几千欧至十几千欧,的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.
5.常效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源
取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构~每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管,JFET,
,1,结构原理 它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极~又在硅棒的两侧各做一个P区~形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来~称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管
图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号
由于PN结中的载流子已经耗尽~故PN基本上是不导电的~形成了所谓耗尽区~从图1中可见~当漏极电源电压ED一定时~如果栅极电压越负~PN结交界面所形成的耗尽区就越厚~则漏、源极之间导电的沟道越窄~
漏极电流ID就愈小,反之~如果栅极电压没有那么负~则沟道变宽~ID变大~所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化~就是说~场效应管是电压控制元件。
,2,特性曲线
1,转移特性
图2,a,给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线~称为转移特性曲线~它和电子管的动态特性曲线非常相似~当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时~ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压~用VP表示~在0?VGS?VP的区段内~ID与VGS的关系可近似表示为:
ID=IDSS,1-|VGS/VP|,
其跨导gm为:gm=,?ID/?VGS,|VDS=常微,微欧,|
式中:?ID------漏极电流增量,微安,
------?VGS-----栅源电压增量,伏,
图2、结型场效应管特性曲线
2,漏极特性,输出特性,
图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线~它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。
?可变电阻区,图中I区,在I区里VDS比较小~沟通电阻随栅压VGS而改变~故称为可变电阻区。当栅压一定时~沟通电阻为定值~ID随VDS近似线性增大~当VGS,VP时~漏源极间电阻很大,关断,。IP=0,当
VGS=0时~漏源极间电阻很小,导通,~ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。
?恒流区,区中II区,当漏极电压VDS继续增大到VDS,|VP|时~漏极电流~IP达到了饱和值后基本保持不变~这一区称为恒流区或饱和区~在这里~对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线~即ID与VGS成线性关系~故又称线性放大区。
?击穿区,图中?区,如果VDS继续增加~以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿~漏极电流ID突然增大~若不加限制措施~管子就会烧坏。 2、绝缘栅场效应管
它是由金属、氧化物和半导体所组成~所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管~简称MOS场效应管。
,1,结构原理
它的结构、电极及符号见图3所示~以一块P型薄硅片作为衬底~在它上面扩散两个高杂质的N型区~作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物~然后再用金属铝引出一个电极G,栅极,由于栅极与其它电极绝缘~所以称为绝缘栅场面效应管。
图3、N沟道,耗尽型,绝缘栅场效应管结构及符号
在制造管子时~通过工艺使绝缘层中出现大量正离子~故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷~这些负电荷把高渗杂质的N区接通~形成了导电沟道~即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时~沟道内被感应的电荷量也改变~导电沟道的宽窄也随之而变~因而
漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型~当栅压为零~漏极电流也为零~必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
,2,特性曲线
1,转移特性,栅压----漏流特性,
图4,a,给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线~图中Vp为夹断电压,栅源截止电压,,IDSS为饱和漏电流。
图4,b,给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线~图中Vr为开启电压~当栅极电压超过VT时~漏极电流才开始显著增加。 2,漏极特性,输出特性,
图5,a,给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。 图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。
图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线
图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线
此外还有N衬底P沟道,见图1,的场效应管~亦分为耗尽型号增强型两种~
各种场效应器件的分类~电压符号和主要伏安特性,转移特性、输出特性, 二、场效应管的主要参数
1、夹断电压VP
当VDS为某一固定数值~使IDS等于某一微小电流时~栅极上所加的偏
压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS
在源、栅极短路条件下~漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS
表示漏、源极间所能承受的最大电压~即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下~栅、源之间的直流电阻~这一特性有以流过栅极的电流来表示~结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm
漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比~称为跨导~即
gm= ?ID/?VGS
它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数~也是衡量放大作用的重要参数~此参灵敏常以栅源电压变化1伏时~漏极相应变化多少微安,μA/V,或毫安,mA/V,来表示
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班主任工作总结专题8篇
第一篇:班主任工作总结
小学班主任特别是一年级的班主任,是一个复合性角色。当孩子们需要关心爱护时,班主任应该是一位慈母,给予他们细心的体贴和温暖;当孩子们有了缺点,班主任又该是一位严师,严肃地指出他的不足,并帮助他改正。于是,我认为班主任工作是一项既艰巨而又辛苦的工作。说其艰巨,是指学生的成长,发展以至能否成为合格人才,班主任起着关键性的作用,说其辛苦,是指每天除了对学生的学习负责以外,还要关心他们的身体、纪律、卫生、安全以及心理健康等情况。尽管这样,下面我就谈几点做法和体会。
一、常规习惯,常抓不懈
学生良好的行为习惯的养成不是一节课、一两天说说就行的,它必须贯穿在整个管理过程中。于是我制定出详细的班规,要求学生对照执行,使学生做到有规可循,有章可依。由于低年级学生自觉性和自控力都比较差,避免不了会出现这样或那样的错误,因此这就需要班主任做耐心细致的思想工作、不能操之过急。于是,我经常利用班
会对学生中出现的问题进行晓之以理、动之以情、导之以行的及时教育,给他们讲明道理及危害性,从而使学生做到自觉遵守纪律。
二、细处关爱,亲近学生
爱,是教师职业道德的核心,一个班主任要做好本职工作,首先要做到爱学生。“感人心者,莫先乎情。”工作中,我努力做到于细微处见真情,真诚的关心孩子,热心的帮助孩子。我深信,爱是一种传递,当教师真诚的付出爱时,收获的必定是孩子更多的爱~感受孩子们的心灵之语,便是我最快乐的一件事~”
三、具体要求,指导到位
心理学研究表明,儿童对事物的认知是整体性的,能熟知轮廓,但不注重细节。
我认为,首先要蹲下来,以孩子的视角观察事物,用孩子能听懂的话和他们交流。其次,要注重细节教育,把该做的事指导到位,因为他们很想按照老师的要求去做,很想把事情做好。
四、示范带头,直观引导
大教育家乌申斯基曾有过这样一段话:“教师个人的范例,对于学生的心灵是任何东西都不能代替的最有用的阳光。”低年级的学生对自己的班主任是一个怎样的老师,他们会留心观察班主任的每一个动作、每一个眼神、每一种表情,会细心倾听班主任的每一句话,他们对班主任有着一种特殊的信任和依赖情感。班主任的自身素质,道
德修养,班主任的一言一行,一举一动,无形之中会成为全班几十个孩子的榜样。因此,在班级工作中我时刻注意自身形象,事事从我做起,以良好的形象率先垂范,潜移默化的影响着我的学生。凡要求学生做到的,教师首先自己做到,而且做得更好。要求学生讲卫生,不随便乱扔垃圾,自己就做到随手捡拾垃圾。要求学生不迟到,在我的带动下,我们班的大多数学生都能做到讲卫生不迟到,个个讲文明守纪律。
五、及时表扬,延迟批评
德国美学家黑格尔说:“不应该使孩子们的注意力长久地集中在一些过失上,对此,尽可能委婉地提醒一下就够了。最重要的是要在学生身上激发出对自身力量和自身荣誉的信念。”教过低年级的老师都知道:孩子小,事儿多,一上课就“告状”。当老师的又不能不公平处理,这样耽误的时间太多,而且学生因为受了批评,注意力长时间集中在自己的过失上,情绪受影响,低落的情绪体验使智力活动水平明显下降,课堂吸收效率变低。针对这一情况,我采取延迟批评,这样既培养学生愉快的情绪体验,又给予其改正和返回的机会,之后老师只要加以指导,就能很好的解决问题......
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第二篇:四年级班主任工作总结
学生是涌动着无限活力的生命体,是教育的起点和归宿。面对学生,祖国的未来,我们要做一个真正有意义的班主任,素质教育要求我们要面向全体学生,为学生服好务,使学生的思想道德、文化科学、劳动技能、身体心理素质得到全面和谐地发展,我们的班级管理究竟该如何阅读学生个体,提升学生学习生活及生命的质量呢?在过去的一学期里,我们班在学校的统一组织、领导和同学们的共同努力下及任课老师的大力支持和配合下,各项工作顺利开展,安全、学习、工作等方面都取得较突出的成绩,现将我所做的一些工作总结如下:
一、做好学生的思想工作,培养学生良好的道德品质,净化学生的心灵,努力培养德智体全面发展的人才
做好学生的思想工作从两方面入手,一是重视每周的班会课,开好班会课;二是重视与学生的思想交流,多与学生谈心。重视班会,开好班会,为的是在班中形成正确的舆论导向,形成良好的班风、学风,为学生提供一个好的大环境,重视的是学生的共性。为配合学校各项工作的落实,我们班积极开展了许多有益于学生身心健康发展的活动,让学生在活动中明事理、长见识。学生自尊心也很强,直接的批评换回来的可能是思想的叛逆,利用班会课对学生进行思想教育的好处,就是避免单调重复的批评说教而引起学生的反感,容易为学生接受,能切实帮助学生澄清思想上的模糊认识,提高学生的思想境界。但开班会课不一定都要等到每周二下午第四节,可利用一些零碎的又不影响学科学习的时间开短小精悍的班会也能取得良好的效果。不必长篇大论,班主任把及时发现的不良思想的苗头一针见血地指出来,
对事不对人,进行警示性的引导教育,往往能把一些影响班风、学风的不良思想消灭在萌芽阶段。而重视与学生的思想交流,多与学生谈心,注重的是学生的个性和因材施教。我常利用课余时间和学生促膝谈心,及时对学生进行针对性的教育。用个人的魅力征服学生,用自己的热情和朝气感染学生。体现在学习、生活的方方面面。做任何事情,一定要从学生的角度去考虑,为学生利益着想,学生才易于接受。在这个时候,我就是他们的好朋友,尽量为他们排忧解难,也正因如此,我得到了班上大多数学生的喜爱和信任。
二、加强班级管理,培养优秀的学风、班风,深入全面地了解学生,努力培养"团结、严格、活泼、奋进"的班集体
四年级的学生思想、心理发展、变化很快。因此,对学生的思想工作显得尤其复杂和重要。在这个学期里,我的班级管理工作主要从三方面实施:一方面,我主要加大了对学生自治自理能力培养的力度,通过各种方式,既注意指导学生进行自我教育,让学生在自我意识的基础上产生进取心,逐渐形成良好的思想行为品质;又注意指导学生如何进行自我管理,培养他们多方面的能力,放手让学生自我设计、自我组织各种教育活动,在活动中把教育和娱乐融入一体;还注意培养学生的自我服务的能力,让学生学会规划、料理、调控自己,使自己在集体中成为班集体的建设者,而不是"包袱"。在这点上,特别值得一提的是班干部的选用,这是让学生自治的重要途径。班主任的管理代表的是学校的管理,不论班主任如何和颜悦色都带有不容质疑的权威性,也难免有不被理解和接受的时候,通过班干部的协调,往往
能够取得意想不到的效果。班干部起的是协助班主任管理班级的作用,他们接受班主任的指导,又及时向班主任反馈班级情况和同学们的思想动态;他们分工管理班级的各项事务,同时又是一个团结合作的整体。选好班干部,不但有利于班级管理,而且有利于全体学生共同发展。培养学生担任班干部,是培养学生能力、提高学生素质的一种很有效的方法,如培养其组织能力、管理能力、社交能力、语言表达能力等,还可以培养其关心集体、关心他人、乐于奉献、积极进取等优良的思想品质。多培养班干部有利于多数学生全面发展......
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第三篇:特教班主任工作总结
本学期在校领导的信任和支持下,我继续担任高考班班主任的工作,为了在今后的工作能够取长补短,特总结如下:
(一)抓常规管理规范学生的行为习惯
早到校、两操、打扫除、校各项活动的参加都认真组织,严格要求,决不马虎,让学生感到做人就要这样严谨、认真、一丝不苟。至今学生以习惯成自然。例如间操时间一到不用老师强调,都主动自觉去做,赢得任课老师的好评。
(二)实行班级管理
我们班级发展的目标都是由师生共同商讨确立的,并且分工负责。这样,使管理者和被管理者做到和谐统一。师生能以诚相待,共同决策,使学生感觉到班级的事也有他们的一部分。通过分级管理,班干部承担了一些日常事务的管理工作,并有权独立处理相关事务。班主任则激励和指导学生自主性的发挥,化解工作中的矛盾。通过自我管理,既加强了班干部队伍的建设,培养了学生组织管理能力,又提高了全体学生的自觉性,自制力。
(三)营造良好的学习环境
现在初中学生的学习、生活有绝大部分时间是在学校里度过的。班级即是学生的一个大家庭。营造良好的学习环境,对提高学生的德育素质,起了相当大的作用。首先对学生进行理想教育,学习目的教育,习惯的养成教育,培养其自信心及责任意识,其次,建立一些监督机制,奖惩制度,定期检查,定期反馈,赏罚分明,现在班级风气正,学风浓,凝聚力强。班级真正成为一个和谐向上的集体。
(四)个别教育与表扬相结合
班级中思想基础和学习都比较差的学生。通常表现为精力旺盛而又学不进去,思想活跃而又任性好动,对班集体正常的学习生活秩序有一定影响。在教育转化这部分学生时,我从建立和培养感情入手,亲近他、关心他、了解他,努力发现他身上的闪光点,如在班级活动中,象打扫卫生、主动抬水,拾到东西主动上缴,积极参加校运会入场式等等,都及时表扬,使这些不管在家里,还是在学校,极少获得
表扬,久而久之,已经失去了上进心和自我认同感,缺乏自信心的同学,从拾自信,使他们在班主任充分理解和信任的基础上,使性格和人格回到了正确的轨道上来......
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第四篇:优秀班主任工作总结
素质教育要求我们要面向全体学生,使学生的思想道德、文化科学、劳动技能、身体心理素质得到全面和谐地发展,个性特长得到充分的培育。这是一项长期的、具有划时代意义的改革。学校教育是我国主要的教学形式,班级授课制是学校教育的基本形式。因此,作为"班集体灵魂"的班主任应该充分认识到自己所承担的历史重任。
小学班主任面对6、7岁--11、12岁的儿童,工作更加繁重。我相信,任何一位班主任都希望胜任这项工作并把自己从繁重中尽量解脱出来,那么,如何开展小学班主任工作就至关重要。下面我谈谈自己的体会。
一、亲近学生,研究学生;展现自我,树立威望。
"谁爱孩子,孩子就会爱他,只有用爱才能教育孩子。"班主任要善于接近孩子,体贴和关心学生,和他们进行亲密的思想交流,让他们真正感受到老师对他的亲近和"爱"。这是班主任顺利开展一切工作的基础。研究学生是教育取得成功的必要条件,最好的途径是通过活动观察。
了解班风、学风,了解全班主要的优缺点并分析其原因所在,了解家长普遍的文化层次,找到亟待纠正的弱点;二要研究学生的个性特征(包括能力、气质、性格、爱好等),了解个人的生活环境,掌握哪些是积极分子,哪些是特别需要注意的学生等等。
在亲近与研究学生的过程中,班主任要努力展现自身广博的文化与高尚的道德情操,使学生对你"既亲近又崇拜",既认定你是值得信赖的老师,又把你当作好朋友,树立起班主任崇高的威望。那么,你的教育可能取得事半功倍的效果。
二、班干部队伍的组建和培养。
一个班的集体面貌如何,很大程度上是由小班干部决定的。小班干部对班集体有着"以点带面"和"以面带面"的作用,我称他们是"班主任的左右手。"所以唯有慎重地选拔和培养班干部队伍,班主任工作才能逐渐从繁重走向简单与轻松。
当选的班干部应具有较强的号召力和自我管理能力。班干部队伍的组建不能仅仅作为一种形式存在,班主任必须精心培养:其一,要大力表扬班干部优点,宣传他们的先进事迹,帮助小班干部树立威信;其二,在鼓励班干部大胆工作,指点他们工作方法的同时,要更严格要求班干部个人在知识、能力上取得更大进步,在纪律上以身作则,力求从各方面给全班起到模范带头作用,亦即"以点带面";其三,培养*部团结协作的精神,要能够通过*部这个小集体建立正确、健全的
舆论,带动整个班集体开展批评与自我批评,形成集体的组织性、纪律性和进取心,亦即"以面带面"。
三、以强化常规训练带动教育教学工作。
良好的常规是进行正常的学习和生活的保障,一个学生调皮捣蛋、不合常规的举动往往会使一堂好课留下遗憾,使整个集体活动宣告失败,甚至使全班努力争取的荣誉付诸东流,直接影响到班集体的利益。因此,要扎实有效地加强一个学生的常规训练。训练的内容包括《小学生守则》和《小学生日常行为规范》要求的常规、课堂常规、集会和出操常规、卫生常规、劳动常规、参观常规以及路队常规等等诸多方面。训练可以通过集体或个人、单项强化或全面优化相结合的方式进行(根据具体情况选择),务必使每个学生具有"服从集体,服从命令"的思想......
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第五篇:大学班主任工作总结
见习期刚满的我,回顾这一年的工作,除了代理团委书记一职外,另外很重要的一部分工作就是担任班主任。我当任的是2000级英教及2001级0103、0104班的班主任。以下我分别将两个专业的班级工作进行总结。
2000级英教专业两个班情况比较好。他们已经基本适应大学生活,两个班班委工作认真负责,能起到核心带头作用,与我也保持着密切
联系,作好了桥梁工作。因此,两个班取得了不少成绩:2001班在今年被评为优秀班集体。班上有2/3的同学参加了党校学习,并都以优异的成绩结业。其中有一名同学被发展为预备党员。该班学风浓厚,平时坚持早读,在期末考试中无一人重修。在英语剧比赛中,该班也获得了二等奖的好成绩。
2002班在去年也被评为了红旗团支部。该班也是积极要求进步。全班33人,有22人向党组织递交了入党申请书,形成一股“一颗红星向着党”的良好精神面貌。团支部认真负责,组织开展了以“揭批”为中心的团支部会议,使同学们对**有了清醒地认识。李国宏同学虽然曾经犯过错误,但在班上同学的帮助下,勇于改正,并且一次意外中舍己救人,为外语学院争了光。该班另一特色就是活跃,能全面发展。在冬季长跑中,报名踊跃,最后有7人参加。在“十大歌星”比赛中,有两人获奖。“十大笑星”中,该班节目代表外语学院参赛,获得第一名的好成绩。
作为班主任能看到这样的班级成绩感到非常欣慰与骄傲。下学期他们将进入大三,班委要改选,我希望能有跟多的同学得到锻炼。我带的另外两个班与他们形成对比,大一的0103、0104总的情况另我担忧。先谈谈不足吧,总的有以下几点......
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第六篇:差班班主任工作总结
担任八所中学初一年级(6)班的班主任一年了,在与孩子们接触打交道的这一年中,有苦有泪,有欢笑也有悲痛,更有些许成功也有些许遗憾~
现我对这一年的班主任工作作出如下总结:
一(班风管理
俗话说:一个班的班风犹如这个班的班主任的性格特点。我是一个比较“苛刻”的人,对人对事都极度的讲究“完美”。在管理班级的时候,我是以“军队化”的标准来进行的。一个学生,如果能够约束自己,并能够服从管理、听从指挥,我想,这个学生就达到了自我的升华。
1.学生的品德
一个班级的优秀与否,表现在每位学生品德的优劣上面。我们班一共有87个人,男生59个,女生28个,其中少数民族生共有6人,从下面乡镇上来的学生占了本班人数的78,。无论是从下面乡镇上来的学生还是在市内的学生,几乎每个学生的品德思想多多少少都存在着个体的差异性。
概括来讲,从下面乡镇上来的学生普遍会在心理及思想上认为自己是从农村来的,无论是学习还是见识方面都不如城市的孩子,难免会产生自卑的心理;城市的孩子则会认为自己比从农村上来的孩子优秀很多,甚至有瞧不起人的这种不良心态;还有这两类孩子之间会进
行物质上的攀比。这些品德思想上的认识多多少少都影响了一个班级的凝聚力,也影响了个人的品德素养~
面对这些问题,我主要采用“鼓励,限制”的方法。鼓励具有自卑心理的学生向精神方面看齐;鼓励具有攀比之心的学生也向精神方面看齐~同时限制家庭条件好的同学要特别注意学校的规章制度,不能带手机、带MP3和MP4进入教室的,坚决不能让他们带入~
当然,在学生们交往接触的过程中,难免也会发生矛盾,主要体现在吵架和打架这两大方面上。对于如何避免这些冲突,我坚持的原则是——宽以待人。如果学生之间发生冲突了,我会找他们了解情况,无论是谁对是谁错,都要让他们站在对方的角度去进行思考:换成是我,我能不能这样做,让他们学会宽以待人,避免下次再发生矛盾冲突。
2.学生的考勤
著名教师魏书生说过一句话:学生能做的事学生自己做~学生的考勤情况,我是这么进行管理的:各个组长负责各组成员的迟到、旷课以及课堂纪律的考勤;纪律委员负责对每个组长的纪律考勤;副班长监督纪律委员的纪律考勤;正班长对副班长的纪律进行考勤。不管是身为普通身份的学生,还是身处“要职”的班干部,如果出现乱子,我都会找该负责人进行对话,及时地进行处理。且在合适的时间,比如说每周周一的班会课上进行点名批评,当然对于做得比较好的学生,也会进行点名表扬......
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第七篇:幼儿园班主任工作总结
本学期我班根据《纲要》精神,以幼儿园工作计划为指导,紧紧围绕学期计划,在班上老师的紧密配合下,有的放矢,循序渐进的开展班级各项工作。现将本学期主要工作总结如下:
一、教育工作
1、“多元化幼儿艺术教育融化”的尝试
根据幼儿园及班工作计划,我班进行了“多元化幼儿艺术教育融化”的尝试,并制订了《春雨的色彩》、《夏天》的主题网络。在《春雨的色彩》的主题网络中,以文学作品为切入点,以“春”为核心,涉及科学、社会、语言、艺术、健康等领域的各项活动。《春雨的色彩》中还生成了小主题《雨》,并根据“雨”进行了“雨的形成”、“小雨滴旅行记”、“小雨点”?等等的活动。在进行这些活动时,我们注重利用各种资源,合理整合。通过实验、图片、电教设施来启发幼儿了解有关雨的知识;或许是因为幼儿年龄知识水平的因素,或许所选知识涉及过深,在活动进行中,发现效果不理想,没有达到预定目标。因此,在进行第二主题网络《夏天》时,我们总结经验,反思不足,及时进行调整。从幼儿生活中选材,以南京教材中《找凉快》为蓝本进行课程整合,而收到了较好的成效。在夏天的主题网络中,
从小朋友找凉快?动物找凉快?到昆虫的夏眠?多种多样的乘凉工具?我发明的乘凉工具;幼儿参与程度的热情较上一主题高涨。
2、环境创设
我班幼儿三十九人,性格活泼开朗,但个性鲜明突出。因此,我班在进行环境创设中能依据《纲要》中的精神,结合本班幼儿实际情况,有针对性的创设各区域:
〈1〉、对个性霸道、任性的幼儿创设了“谦让是美德”角色扮演区。
〈2〉、对爱表现、外露的幼儿设置了小舞台。
〈3〉、壁画的设计及进度紧扣教育主题,充分利用家长资源和幼儿作品......
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第八篇:初中班主任工作总结
一个学期很快结束了,在领导和各位老师的关心和帮助下,顺利走过了一学期。现在就把一学期的工作情况总结一下。
一、我所做的主要工作
初三是整个初中重要的时期,我深知自己肩负的责任重大,不敢有丝毫的怠慢。学生在心理和生理上都发生了很大的变化,对于这一变化,学生的精神上有更多的压力,而大多数的学生在这个转折时期
显得无所适从。怎样让学生尽快适应这一变化,顺利度过转折时期,这是摆在我眼前的首要任务。
我当班主任力争做到两点:一是尊重每一个学生,满足学生尊重的需要,承认的需要,情感的需要,努力克服固执己见,偏激的思维方式,尊重学生个性发展,为孩子的成长创造一个愉快的心理运动空间;二是善待每一个学生,用真诚的爱心对待每一个孩子。对于优等生,不掩饰他们的缺点,积极引导他们扬长改过,努力使其达到卓越。
对于后进生,不歧视他们,善于发现他们身上的闪光点,激励他们一步一步自我完善。我班的王帅同学学习很差,上课不注意听讲,作业经常不交,课上、课下纪律不能保证,是典型的后进生。对于这样的孩子如果只是批评、指责,他的自信心肯定会越来越少,甚至还会自暴自弃。我发现他的足球踢得不错,于是就鼓励他,如果你在学习上能象踢球那么专注,你的学习成绩一定会取得大进步。对于他身上的每一点进步,我都及时发现,并且及时予以鼓励,培养他的自信心。对于后进生,我动员学习好的同学帮助他们,带动他们把学习成绩提高上去,组成一帮一学习互助学习小组。
这个班的学生整体给人的感觉就是思维活跃,反应敏捷,但就是组织纪律性差,纪律松散,缺乏自我约束能力。如今的孩子已经今非昔比,他们接触面广,思维活跃,自尊心强,但又有着现代青少年极大的弱点即缺乏勤奋刻苦拼搏的精神,这些都表现在一言一行中。在队列队行训练中表现尤其明显。他们自由散漫,在队列里有说话的、
打闹的,无精打采,步伐随便。我向孩子提出要求,从起步到走步,从转体到每一个动作,都给他们提出规范化的要求,亲身示范,身体力行。通过这些训练,使孩子们体会到严格有序管理带来的效果。
现在的孩子普遍自私,在小事上斤斤计较,不能宽厚待人。这表现在处理同学关系上,同学之间有了矛盾,出言不逊,动辄大打出手,拳脚相加。针对这一现象,我教育学生怎样正确处理同学关系,并以此开展主题班会,对学生进行教育。在处理闹矛盾的学生时,我让学生多做自我批评,在自己身上找不足,以比来培养学生宽厚待人的精神,学会以宽容和大度之心对待周围的人。
劳动更培育学生德育思想品质的机会。现在的孩子一提起劳动就有厌烦心理,这些独生子女平时干活的机会很少,养成了懒惰的习惯。首先必须得教会学生怎样干活,从扫地到拖地,从擦玻璃到擦墙围子,我都示范指导并严格检查,及时表扬做得好的同学,批评做的不认真和逃跑的同学,让孩子们知道老师不仅在意他们的学习更注重他们的人品......
大学生实习总结专题8篇
第一篇:大学生实习总结
一、社会实践目的:认识当代社会对大学生的要求、及从中找出自己的不足之处、在四年中在这方面加强学习。了解一些社会的其他
人如何在努力生活,对自己以后毕业找工作有一定的帮助,了解一些就业岗位需要怎么样的技能,怎样的工作、以及我们应该如何去做。最主要的就是锻炼自己,使自己不会再像以前那么那样懒惰,让自己变得坚强不再懦弱、学会忍受忍受一些不公、学会忍受孤独~
二、实践内容:在寒假开始时我一回到家就开始给家里帮忙,家里在市场批发蔬菜每天早上6点就要在零下20度的环境下将自己从别的地方运来的蔬菜进行批发、今年已经近20岁了、对家里的帮助也是很少很少,感觉惭愧,只是每天早早的去帮忙送菜,这个实践对自己的专业知识倒是没有什么运用的地方,也许是现在用不上,我是很希望将自己所学的运用到工作使自己所学的不至于一无用处!但现在这种机会是少之又少。以前只要是星期天、假期都会给家里帮忙这只是对自己的小锻炼、在大学校园中也许是舒服贯了变得无所事事、现在早上早起感觉这么的困难这在以前是怎么也不会出现的事情,这个假期这个毛病也有了少许的改变、呵~这就是所谓的成绩、我从小就希望自己长大能去做自己喜欢的生意、通过给家里好几年的批发零售我看到也许做生意会很枯燥、乏味、但是能忍受这种孤独、乏味并在其中创造出成绩的我认为这就是成功的,这便是生活的意义所在。
三、实践结果:回嘉峪关在家中的这几日虽不比在学校的安逸但是也让自己成长了少许、通过寒假的帮忙的帮忙发现自己的人际交往能力还是很弱,这是以后必须解决的问题、使自己变得无所畏惧。在这几日中我也思考过一个问题:现在社会看重的是经验还是所谓的文凭、我个人觉得经验、经历也是较重要。所以在大二我要去找工作锻
炼自己,也许每个人的想法都不一样,有人在大学只是努力学习但我明白自己、我绝不是那个能认真潜心学习的家伙,也许自己需要的是社会的磨练......
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第二篇:统计学专业大学生实习总结
本人系福州大学统计学专业的一名学生,于年月27日——月8日到省统计局科研所实习,在两周的时间里,我所做的每一项工作都是以前从来没有做过的,在领导和同事的耐心帮助下,我学习到了很多实用的、有价值的东西,在积累了一些实际工作经验的同时也更深刻的理解到了统计理论知识体系,为今后的学习奠定了坚实基础。
在实习期里,我所做的工作内容比较具体、感受和体会也比较多。下面,我仅把实习期里的主要情况做一下汇报。如有不妥之处,欢迎给予批评和指正。
一、省统计局科研所
科研所是统计局内部的一个重要职能,而统计科研涉及的领域也十分广阔,包括统计基础理论研究、统计应用研究和统计信息技术研究。同时在统计工作中,对和社会关心的有关经济、社会、科技、资源与环境等重大,都需要从统计的角度进行分析研究,得出结论,提出建议。“十五”期间,国家统计科技研究的重点是统计观念的创新、统计方法的创新、统计手段的创新以及统计体制的创新。要积极组织、
指导重大课题研究,统计科研所每年要完成一项以上具有重要影响的课题。统计杂志是展示优秀科技成果的重要窗口,是科技成果转化为生产力的重要媒介。要加强对统计杂志的领导和支持,不断杂志的质量,增加发行量,扩大影响力,努力创办一流杂志。
科研所的主要职能有五点,具体包括:1.拟订全省统计科研计划和科研制度,并组织实施;2.组织协调本局及全省各地区、各的统计科研工作;3.承担统计科研课题,负责向国家统计局和省直有关进行统计科研课题的申报立项及管理工作;4.承担全省统计科研成果的评审、选优、奖励工作,并推荐优秀成果参加国家和省级评奖;5.拟订省统计学会章程,负责省统计学会日常工作,履行省统计学会秘书处的职责。
根据国务院有关文件精神,国家和各地统计科研所作为非营利性社会公益类科研机构,只能加强,不能削弱。统计科研所担负着从事统计科学研究、进行科研管理(组织统计科技交流、发布课题指南、课题立项、成果评奖等)、编辑出版统计杂志等重要职能。统计局要为科研配备先进的计算机设备、统计分析软件、通讯工具以及其他办公设备;要建设内容丰富的统计科研网站等。
二、科研所实习的具体内容
第一天到科研所报到时,一进门,就看到书柜上排列着诸多奖章,象年度科研先进单位、统计学会先进单位等等,都是国家统计局给予
省统计局科研所的表彰,也是对他们工作的肯定,我为自己能有幸到这里实习而感到骄傲。
俞明所长和所内同事对我们的到来也表示了欢迎。俞所长对我们今后几天实习的具体工作做了安排,具体包括《福建统计》杂志的出版,统计科研网站的建设,如《国际经济信息摘编》,统计论文出版的校对及统计学会的一些工作。在次,我也就这几个工作做汇报。
首先,是关于论文集的校对工作,也是此次实习中的重点工作,由于这本论文集的重要性,更要求我们校对工作的严格,在次之前,科研所的同事已经对该论文集校对过三遍,但为了确保论文集的正确无误,我们又进行了第四次校对工作。我也不得不为科研所里同事们认真负责......
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第三篇:信合大学生实习工作总结
2014年,在联社信贷科与信用社领导的关心及全体同志的帮助下,我认真学习业务知识和业务技能,积极主动的履行工作职责,较好的完成了本年度的工作任务,在思想觉悟、业务素质、操作技能、优质服务等方面都有了一定的提高。现讲本年度的工作总结如下:
1、加强学习,努力提高政治与业务素质。一年来,我能够认真学习**建设具有中国特色社会主义的理论,自觉贯彻执行党和国家制定的路线、方针、政策,具有全心全意为人民服务的意识。能遵纪
守法,敢于同违法乱纪行为作斗争,忠于职守、实事求是、廉洁奉公、遵守职业道德和社会公德。认真学习了**的“三个代表”精神,能较好的理解了“三个代表”精神的内涵,在“三个代表”学习过程中,能及时的发现存在的问题及对“三个代表”精神领悟不透的地方并及时加强学习,予以改正,使我在思想觉悟方面有了一定的进步。同时,利用工余时间认真学习金融业务知识,不断充实自己的工作经验,对于联社下发的各种学习资料能够融会贯通,学以致用,业务工作能力、综合分析能力、协调办事能力、文字语言表达能力等方面,都有了很大的提高。
2、履行职责,踏踏实实的做好本职工作。我热爱自己的本职工作,能够正确认真的去对待每一项工作任务,把党和国家的金融政策及精神灵活的体现在工作中,在工作中能够采取积极主动,认真遵守规章制度,能够及时完成领导交给各项的工作任务。一是严格规章制度,把好信贷资产质量的第一道关口。作为一名信贷内勤,我深感自己肩上的担子的分量,稍有疏忽就有可能出现信贷风险。因此,我不断的提醒自己,不断的增强责任心。针对城区居民集中,贷款户身份证容易使用混乱的状况,我建议领导将贷户的证件按申请先后顺序登记名字、号码后,在城区信用社全部核查,确定无贷款后再办理手续。一年来无论是炎热的夏季,还是寒冷的冬天,我坚持到其他信用社核查,对于多户贷款者、垒大户者坚决不予办理。同时,为了更好的把关守口,我还通过关系,向有关单位的同志,学会了真假身份证的辨别能力,只要是假的证件,我一眼就能辨别出来,从而把好了信贷资产质
量的第一道关口。二是坚持信贷原则,做好贷款的审查。我深知:信贷资产的质量事关信用社经营发展大计,责任重于泰山,丝毫马虎不得。一年来,我坚持贷款的“三查”制度和联社制定的信贷管理制度,对每一笔贷款都一丝不苟地认真审查,从借款人的主体资格、信用情况、生产经营项目的现状与前景、还款能力,到保证人的资格、保证能力,抵、质押物的合法有效性;从库存的检查、往来账目的核对到房屋和设备的实地考察;从资产负债情况的计算、产销量和利润的分析到经营项目现金净流量的研究、贷款风险度的测定,直至提出贷与不贷的理由,每一个环节我都是仔细审查,没有一丝一毫的懈怠......
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第四篇:新闻专业大学生实习个人总结
两个月弹指一挥间就毫无声息的流逝,就在此时需要回头总结之际才猛然间意识到日子的匆匆。原先颇感忸怩的离开大学的围城生活,现在已经渐渐变得顺其自然了,这或许应该是一种庆幸,或许更应该是一种叹息,谁能说得清呢,
两个月的磨刀练阵,按理说,自己到底是宝刀还是锈铁应该可以从这些日子的点滴表现中露出应有的光泽了,然而直至目前,我却对自己这些许的光泽没有信心——虽然我坚信自己不是锈铁~
两个月来,我分别在两个不同的岗位上练兵,前个月在电编部学习新闻采编,后一个月是在办公室做临时的文秘工作。
首先说说在电编部的工作心得。在电编部一个月的工作生活,我感触最深的就是,这里是我的第二个家,新闻工作可以在快乐中完成。从初中到高中再到大学,这期间我一直都是在远离父母亲人的视线之外享受着逍遥自主的生活。虽然在学校里也有师长的关爱与教诲,但总有一种仰承的距离感,缺少家庭特有的温馨。本以为毕业参加工作后,这种人际关系的距离感、层次感只可能加强,但在电编部工作让我惊喜地发现自己原先的判断错了。电编部容主任、韦副主任、廖副主任三位领导都对我们这些新人亲切有加,特别是容主任,在工作之余,以朋友的姿态经常和我们一起打球,坦怀聊天,非但不摆领导的架子,而且还以慈父的关爱之心在引导我们做好新闻工作,让我真切感受到了久违的父爱温情。而其他大部分的老同事,也对我们这些新人投以真挚友情的目光,在工作中,只要你需要,他们随时给予热情地指导;工作之余,大家开怀谈笑,不分彼此。记得刚到一周的时间,电编部新老同事以及三位领导就已经打成一片,给我的感觉是上下同心。正因为如此,在电编部工作,让我体会了在愉快中完成工作的欢欣。
我在工作上的收获主要有:,、基本学会使用和维护摄影机;,、基本掌握会议新闻与社会新闻的拍摄和采写的区别;,、基本了解并初步学会编辑新闻摄像带;,、基本学会电视新闻稿的一些写作方法和技巧等。在这期间我不仅可以较好地配合各位师兄一同出去采访拍
摄工作,还可以自己独立外出采写完成具体的新闻作品。一个月的时间,我配合各位师兄一起完成新闻采写近篇,自己独立完成的采写作品,篇。主任每次安排的采访任务都基本可以顺利完成。
在这期间,工作上最大的不足主要有:?新闻拍摄技术相对落后,画面的稳定性不够;?新闻的采写比较古板,缺乏新意;?新闻的敏感性相对较差,特别是对与会议新闻相关联的社会性新闻把握不足等。
月初我开始被调到办公室工作,主要负责协助钟主任开展日常办公接待和文秘拟写等。
显然,办公室的工作环境与电编部迥然相异。虽然钟主任与电编部的容主任一样,对我关爱有加,体贴不减,同样让我深深感受到一种父爱的慈祥与特有的威严,另外还有同事彭秋霞姐和周光明兄的友情关心与帮助,但却逃脱不掉办公室特有的按部就班的沉静环境。这多少让我喜欢热闹的性格有些不很适应。幸好有钟主任以及其他几位同事的友情关心帮助下,我较早地克服了波动的心思,全身心投入到办公室的日常工作环境中。
经过一个月的工作学习,我做出了一定的成绩:?独立完成并印发了两期《简报》;?配合办公室其他同事开展日常接待、后勤服务和卫生清理工作,并具体负责杨副局长办公室的卫生打理;?负责部分公文打字和复印登记工作;?在钟主任的具体指导下,负责拟写相关公文,如较好的完成了自查自纠工作总结;干部职工培训工作总结;
拟写完成《文字、图片、音像规范化管理》规定,并顺利通过领导审核等;?协助钟主任组织召开“行风评议自查自纠座谈会”,并根据要求,完成“行风评议调查”统计和上送工作;?与同事梁伟耀共同策划完成两个版面的“四五”普法教育宣传板报。
在办公室工作不足主要有:?缺乏基本的办公室工作知识,在开展具体......
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第五篇:公共文秘大学生实习总结
为使公关实习得到良好的效果,我们本着现实性、生活性、真实性、的原则,进行了模拟公关策划模拟和问卷调查的活动。经过一周的实习使我们了解了当代大学生的公关意识成为影响大学生成材和发展以及整个社会发展和进步的重要因素。
在实习的一周里,我们公共文秘专业的两个班共同做了关于包含八个主题的媒体访谈、新闻事件、危机处理、公关策划的公关模拟活动,紧接有进行了关于大学生八个方面的问卷调查,并将有关课题一一分组做了实践活动。在公关策划中,我们几组运用了情景体验,现场模拟的方式,对公关“是什么,怎么做,做的怎样”有了详细了解,有利于提高我们的学习积极性与掌握程度。策划中每组成员都能够按照规定的策划程序:
1、确定公关目标2、设计主题3、界定公众4、选择媒体5、公关预算6、审定方案7、计划书,将方案确定下来;在模拟方案时,我们师生共同讨论,争辩、评判,在点评时间里,每组成员都能够认真听取其不足及优点,并及时对自己组的方案做及时的补充与修改,以求更精。
中我组活动所做的课题为危机事件,主题为肯德基苏丹红事件。事件的中心内容:围绕着肯德基——中国地区销售处,在其食品中发现含有危害人体健康的苏丹红,对此,肯德基中国代理商进行了事件调查,并对此事件进行了一系列相关处理,最终圆满化解危机。
事件安排:组员将事件发展设置为三个场景;
场景一:医生为病人看病,并诊断为食物中毒疑似是吃肯德基引起的(根据今日消费者来院的病例所得)这位病人为此投诉到肯德基。
场景二:肯德基负责人接到投诉,立刻汇报上级并立即组建公关调查小组,调查此事件。已顾客为首要对他们进行了慰问。
场景三:关于此事件的发生,中国销售处召开记者招待会,借用媒体向消费者道歉。
事件结尾事件完善处理,危机成功度过,销售业绩逐渐上升。
此活动策划的开展,使我们的开括了思路,锻炼了分析问题和解决问题的能力,有新意,可行性高。
接下来的几天,我们各个组将所抽到的调查问题,经过小组讨论专题调查......
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第六篇:计算机公司大学生实习总结
在大学里,我一直在不断的努力,我相信我可以做的更好的,可是一直以来我没有很大的进步,我好像进入了瓶颈期。我学习的是计算机技术专业,现实的情况是,只有计算机技术十分好,在社会上才可以做的更好,我需要更多的经历和实践来参加我的专业,那样我才可以做的更好~
我开始到青岛海信计算机有限公司郑州办事处技术服务部实习。在部门领导和同事的指导帮助下,我慢慢了解了公司的组织机构、经营状况及管理体制,以及技术服务部的基本业务,并学到了许多计算机维护知识。
海信集团是以海信集团公司为投资母体组建的国内大型专业电子信息产业集团。创业三十多年,从最初的青岛无线电二厂,到青岛电视机厂、海信电器公司,发展成为国内著名的大型高新技术企业集团。
海信公司的服务承诺是:
全国联保,计算机出现故障时,用户可凭《品质保证书》在最近的海信公司最近的各级海信维修部以及各个授权维修中心获得维护服务。
在设有海信计算机维修服务站的地区实行三日内修复的服务。
免费维修,在计算机不见保修期内且在正常使用下的故障,免收部件的成本费用和维修费用,超过保修期,免收服务费,只收成本费。
保修期的第一年内,正常使用过程中的计算机出现故障时,只需播打海信计算机公司设在该区的服务热线,即可预约时间,并且在预约时间享受免费上门服务。
终身维护,为彻底解决顾客的后顾之忧,对于超过保修期的海信计算机......
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第七篇:机电专业大学生实习总结
读了三年的大学,然而大多数人对本专业的认识还是不够,在大二期末学院曾为我们组织了两个星期的见习,但由于当时所学知识涉及本专业知识不多,所看到的东西与本专业很难联系起来,所以对本专业掌握并不是很理想.
今年暑假,学院为了使我们更多了解机电产品、设备,提高对机电工程制造技术的认识,加深机电在工业各领域应用的感性认识,开阔
视野,了解相关设备及技术资料,熟悉典型零件的加工工艺,特意安排了我们到几个拥有较多类型的机电一体化设备,生产技术较先进的工厂进行生产操作实习.
为期23天的生产实习,我们先后去过了杭州通用机床厂,杭州机密机床加工工厂,上海阀门加工工厂,上海大众汽车厂以及杭州发动机厂等大型工厂,了解这些工厂的生产情况,与本专业有关的各种知识,各厂工人的工作情况等等。第一次亲身感受了所学知识与实际的应用,传感器在空调设备的应用了,电子技术在机械制造工业的应用了,精密机械制造在机器制造的应用了,等等理论与实际的相结合,让我们大开眼界,也是对以前所学知识的一个初审.通过这次生产实习,进一步巩固和深化所学的理论知识,弥补以前单一理论教学的不足,为后续专业课学习和毕业设计打好基础.
杭州通用机床厂
7月3日,我们来到实习的第一站,隶属杭州机床集团的杭州通用机床厂.该厂主要以生产m-级磨床7130h,7132h,是目前国内比较大型的机床制造厂之一.在实习中我们首先听取了一系列关于实习过程中的安全事项和需注意的项目,在机械工程类实习中,安全问题始终是摆在第一位的.然后通过该厂总设计师的总体介绍.粗略了解了该厂的产品类型和工厂概况.也使我们明白了在该厂的实习目的和实习重点.
在接下来的一端时间,我们分三组陆续在通机车间,专机车间和加工车间进行生产实习.在通机车间,该车间负责人带我们参观了他们的生产装配流水线,并为我们详细讲解了平面磨床个主要零部件的加工装配工艺和整机的动力驱动问题以及内部液压系统的一系列构造.我最感兴趣的应该是该平面磨床的液压系统,共分为供油机构,执行机构,辅助机构和控制机构.从不同的角度出发,可以把液压系统分成不同的形式.按油液的循环方式,液压系统可分为开式系统和闭式系统。开式系统是指液压泵从油箱吸油,油经各种控制阀后,驱动液压执行元件,回油再经过换向阀回油箱。这种系统结构较为简单,可以发挥油箱的散热、沉淀杂质作用,但因油液常与空气接触,使空气易于渗入系统,导致机构运动不平稳等后果。开式系统油箱大,油泵自吸性能好。闭式系统中,液压泵的进油管直接与执行元件的回油管相连,工作液体在系统的管路中进行封闭循环。其结构紧凑,与空气接触机会少,空气不易渗入系统,故传动较平稳,但闭式系统较开式系统复杂,因无油箱,油液的散热和过滤条件较差。为补偿系统中的泄漏,通常需要一个小流量的补油泵和油箱.由于闭式系统在技术要求和成本上比较高,考虑到经济性的问题,所以该平面磨床采取开始系统,外加一个吸震器来平衡系统.现代工程机械几乎都采用了液压系统,并且与电子系统、计算机控制技术结合,成为现代工程机械的重要组成部分,怎样设计好液压系统,是提高我国机械制造业水平的一项关键技术.在专机车间,对专用磨床的三组导轨,两个拖板等特殊结
构和送料机构及其加工范围有了进一步的加深学习,比向老师傅讨教了动力驱动......
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第八篇:中药学专业大学生实习总结
转眼间大学四年就快要结束就还剩下一年了,即将踏上社会的我而很懵懂,不知道社会的酸甜苦辣,之前一直是学生,也没有到社会上去实践工作过,这很是不好。终于在即将踏入社会之前有了一次社会实习的机会,我当然不能放过,兴高采烈的去参加实践去了。希望在毕业之前能够了解工作生活的艰辛,在毕业以后踏上社会也不至于无所依赖。
在实践结束以后我感觉这个暑假过得异常的丰富,其中最大的收获就是第一次真正的接触了与中药学专业有关的社会部门,进行了短期的社会实践活动。这次活动让我亲身经历了本专业的工作流程,仿佛是一次模拟的职场人生,受益匪浅。
我们来到了位于区附近的大药房店。作为连锁药店中的一家,该点坐落在居民聚居区域,并南临鞋城等商业街区,北临省医院,东面与颐玛特超市相对。沈河区作为市中心,人口相对集中,交通便利,居民生活水平相对水平相对较高,因此店在选址上具备了充足的客源,一定的顾客够买力,便利的交通以方便顾客的前来购买和配送中心送货运输。店的入口设计为封闭型入口,面向大街一面。进入店内,
左面为非处方药专柜,右面为处方药专柜。紧贴店内侧的是中药饮片专柜,旁边还设立了一个医疗器械专柜,作为经营的副业以增加销售量。为了充分利用营业面积,在店中央设立了药岛,将柜台销售与货架销售有机结合。药岛和周围的柜台在整个店内形成口字型通道方便顾客从身边两册同时浏览选购药品,缩短了行程。在店中环顾浏览时感觉到店虽然营业面积不大,但经营药品的品种很齐全。每个柜台都分为几层摆满了各种不同的药品,让顾客有更大的选择空间再与营业员的交流中,营业员具备了基本的医务能力和营业素质。对常见病、所售药品的药理常识掌握很牢固,能依据顾客的口述迅速判断疾病,帮助顾客选准药品。对治疗同种疾病的不同药品之间的差别、副作用等都能详细具体的解释。处方药的销售须严格持医师处方销售。
大药房店之行,让我有如下三个方面的收获:
1、就是销售人员自身。销售人员要有一定的医务能力、识别顾客的能力、销售技巧和良好的心理素质,给顾客带去高质量的药学服务,以体现药店的核心功能。这也正是目前我们在校大学生在即将踏入社会成为一名医药销售者所应具备的最基本的能力和素质。
2、从经营者的角度考虑,药品销售是以盈利为核心。最初的药店选址应综合考虑客流量、购买力、交通、现有市场和潜在市场等多方面因素,已保障药品有畅通的销售渠道。其次是店面营业场所的设计,一个好的营业场所能够促进药品销售、培养顾客忠诚度并提高工作效率。在设计过程中,应根据行业特点和顾客需求及周边环境等因素,
结合各种布局、橱窗、货架的优缺点综合设计,扬长避短,以做到有利于顾客、服务于大众、突出特色、善于经营、提高效率、增长效益。在大药房店的药品陈设中,让我不足之处在于药品的摆设有些混乱。儿童药品与成人、中老年人药品交错摆设,不便顾客寻找。同时,柜台分层摆设尽管充分利用了柜台空间,但却没有充分考虑群体特点。儿童药品摆在上层,而成人、中老年人相当一部分药品却摆......
范文五:mos管的工作原理
mos管的工作原理
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